| 講演名 | 2005/5/19 ZnOナノドット形成の基板依存性(結晶成長, 評価技術及びデバイス(化合物, Si, SiGe, その他電子材料)) 岡松 航太, 中川 聡, 中村 篤志, 青木 徹, 天明 二郎, |
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| 抄録(和) | リモートプラズマMOCVD法を用いて、Si(100)上SiO_2基板、r面サファイア基板、a面サファイア基板上にZnO薄膜およびZnOナノドットを作製した。II族原料にDEZn、VI族原料に酸素ガスを用いて、基板および基板温度を変化させることでZnOナノドットのサイズの影響について検討を行った。X線回折(XRD)測定の評価より、ZnO薄膜では基板によって成長する面方位が異なることを確認した。また成長速度の変化による各基板のドットサイズの変化、および同程度の成長速度で基板表面温度の差異によるr面、a面サファイア基板上のドットサイズの変化について検討をおこなった。a面サファイア基板の方がr面サファイア基板に比べて基板表面温度の影響を受けやすい傾向が見られた。また、フォトルミネッセンス評価により、代表的なZnOナノドットの光学的評価を行った。 |
| 抄録(英) | The ZnO films and nanodots were grown on SiO_2/Si substrate, r-plane sapphire substrate, a-plane substrate by Remote Plasma Enhanced Metal Organic Chemical Vapor Deposition (RPE-MOCVD). Diethyl Zinc (DEZn) was used for a group-II source and oxygen gas was used for a group-VI source. The size dependency of ZnO nanodot were investigated by changing the substrates and substrate temperature. Crystallographic relationship between ZnO and substrates were investigated by XRD measurement. The ZnO dot size were depended on the substrate temperature and the growth rate. Optical property of ZnO nanodots was characterized by photoluminescence measurement. |
| キーワード(和) | リモートプラズマMOCVD / ナノドット |
| キーワード(英) | remote plasma MOCVD / ZnO / DEZn / nanodots |
| 資料番号 | ED2005-25,CPM2005-17,SDM2005-25 |
| 発行日 |
| 研究会情報 | |
| 研究会 | CPM |
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| 開催期間 | 2005/5/19(から1日開催) |
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| 幹事氏名（和） | |
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| 幹事補佐氏名（和） | |
| 幹事補佐氏名（英） | |
| 講演論文情報詳細 | |
| 申込み研究会 | Component Parts and Materials (CPM) |
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| 本文の言語 | JPN |
| タイトル（和） | ZnOナノドット形成の基板依存性(結晶成長, 評価技術及びデバイス(化合物, Si, SiGe, その他電子材料)) |
| サブタイトル（和） | |
| タイトル（英） | Substrates dependence of ZnO nanodots formation |
| サブタイトル（和） | |
| キーワード(1)（和/英） | リモートプラズマMOCVD / remote plasma MOCVD |
| キーワード(2)（和/英） | ナノドット / ZnO |
| 第 1 著者 氏名（和/英） | 岡松 航太 / Kota OKAMATSU |
| 第 1 著者 所属（和/英） | 静岡大学電子工学研究所 Research Institute of Electronics, Shizuoka University |
| 第 2 著者 氏名（和/英） | 中川 聡 / Satoshi NAKAGAWA |
| 第 2 著者 所属（和/英） | 静岡大学電子工学研究所 Research Institute of Electronics, Shizuoka University |
| 第 3 著者 氏名（和/英） | 中村 篤志 / Atsushi NAKAMURA |
| 第 3 著者 所属（和/英） | 静岡大学電子工学研究所 Research Institute of Electronics, Shizuoka University |
| 第 4 著者 氏名（和/英） | 青木 徹 / Toru AOKI |
| 第 4 著者 所属（和/英） | 静岡大学電子工学研究所 Research Institute of Electronics, Shizuoka University |
| 第 5 著者 氏名（和/英） | 天明 二郎 / Jiro TEMMYO |
| 第 5 著者 所属（和/英） | 静岡大学電子工学研究所 Research Institute of Electronics, Shizuoka University |
| 発表年月日 | 2005/5/19 |
| 資料番号 | ED2005-25,CPM2005-17,SDM2005-25 |
| 巻番号（vol） | vol.105 |
| 号番号（no） | 91 |
| ページ範囲 | pp.- |
| ページ数 | 6 |
| 発行日 | |