| 講演名 | 2005/5/19 光化学堆積(PCD)法によるZnO薄膜の作製と評価(結晶成長, 評価技術及びデバイス(化合物, Si, SiGe, その他電子材料)) 東 雅紀, 宮脇 哲哉, 市村 正也, |
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| 抄録(和) | 光化学堆積(PCD)法によるZnS薄膜作製の研究においてZnOが生成したという報告を参考にPCD法によるZnO薄膜作製を試みた。ZnSO_4:50mM、Na_2SO_3:200mMを含む水溶液に0.1mMのNa_2S_2O_3を加え、酸素ガス(O_2)バブリングをすることでZnO薄膜が堆積可能であることが判明した。pH:11の溶液で作製した試料について光透過率測定、光電気化学測定を行ったところ、紫外域での光吸収とn型半導体であることを確認した。しかし、堆積速度は小さく、1時間の堆積で膜厚は0.02μmであった。 |
| 抄録(英) | We deposited ZnO by Photochemical deposition (PCD) method. The ZnO deposition solution contained ZnSO_4:50mM, Na_2SO_3:200mM. We added Na_2S_2O_3:0.1mM and bubbled oxygen gas (O_2) in this solution. The films deposited from an aqueous solution of pH:11 were characterized by photo transmission measurement and photochemical measurement, and were shown to have an absorption edge in a UV range and n-type conduction. The deposition rate was small and the film thickness was 0.02μm for 1 hour deposition. |
| キーワード(和) | 光化学堆積(PCD)法 / 酸素ガス(O_2)バブリング / 光電気化学測定 / 水溶液 |
| キーワード(英) | Photochemical deposition / oxygen gas (O_2) bubbling / Photoelectrochemical measurement / ZnO / aqueous solution |
| 資料番号 | ED2005-24,CPM2005-16,SDM2005-24 |
| 発行日 |
| 研究会情報 | |
| 研究会 | CPM |
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| 開催期間 | 2005/5/19(から1日開催) |
| 開催地（和） | |
| 開催地（英） | |
| テーマ（和） | |
| テーマ（英） | |
| 委員長氏名（和） | |
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| 副委員長氏名（和） | |
| 副委員長氏名（英） | |
| 幹事氏名（和） | |
| 幹事氏名（英） | |
| 幹事補佐氏名（和） | |
| 幹事補佐氏名（英） | |
| 講演論文情報詳細 | |
| 申込み研究会 | Component Parts and Materials (CPM) |
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| 本文の言語 | JPN |
| タイトル（和） | 光化学堆積(PCD)法によるZnO薄膜の作製と評価(結晶成長, 評価技術及びデバイス(化合物, Si, SiGe, その他電子材料)) |
| サブタイトル（和） | |
| タイトル（英） | Deposition of ZnO thin films by the photochemical deposition method and their characterization |
| サブタイトル（和） | |
| キーワード(1)（和/英） | 光化学堆積(PCD)法 / Photochemical deposition |
| キーワード(2)（和/英） | 酸素ガス(O_2)バブリング / oxygen gas (O_2) bubbling |
| キーワード(3)（和/英） | 光電気化学測定 / Photoelectrochemical measurement |
| キーワード(4)（和/英） | 水溶液 / ZnO |
| 第 1 著者 氏名（和/英） | 東 雅紀 / Masaki AZUMA |
| 第 1 著者 所属（和/英） | 名古屋工業大学 Nagoya Institute of Technology |
| 第 2 著者 氏名（和/英） | 宮脇 哲哉 / Tetuya MIYAWAKI |
| 第 2 著者 所属（和/英） | 名古屋工業大学 Nagoya Institute of Technology |
| 第 3 著者 氏名（和/英） | 市村 正也 / Masaya ICHIMURA |
| 第 3 著者 所属（和/英） | 名古屋工業大学 Nagoya Institute of Technology |
| 発表年月日 | 2005/5/19 |
| 資料番号 | ED2005-24,CPM2005-16,SDM2005-24 |
| 巻番号（vol） | vol.105 |
| 号番号（no） | 91 |
| ページ範囲 | pp.- |
| ページ数 | 5 |
| 発行日 | |