| 講演名 | 2005/5/19 メタン及び窒素プラズマソースを用いて作製したアモルファスカーボン薄膜の特性評価(結晶成長, 評価技術及びデバイス(化合物, Si, SiGe, その他電子材料)) 鎌田 直樹, 林 靖彦, 曽我 哲夫, 神保 孝志, |
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| 抄録(和) | カーボン(C)は, ダイヤモンドやグラファイトなど多くの同素体があり, 多様性に富んだ材料である.本研究では, アモルファスカーボン(a-C)薄膜を電子デバイスとして応用することを目的とし, a-C薄膜に窒素のドーピングを試みた.メタン及び窒素プラズマ源を別に設ける「ダブルビーム法」により, a-C薄膜への窒素ドーピングを行った. |
| 抄録(英) | Conductivity of amorphous carbon (a-C) was successfully controlled by incorporation of nitrogen atoms using a double beam method (DBM), where both rf nitrogen radical and rf methane plasma sources were controlled separately to optimize the nitrogen incorporation. |
| キーワード(和) | アモルファスカーボン / 窒素ドーピング / ダブルビーム法 / 導電率 |
| キーワード(英) | Amorphous carbon films / Nitrogen doping / Double beam method / Conductivity |
| 資料番号 | ED2005-21,CPM2005-13,SDM2005-21 |
| 発行日 |
| 研究会情報 | |
| 研究会 | CPM |
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| 開催期間 | 2005/5/19(から1日開催) |
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| 委員長氏名（和） | |
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| 幹事氏名（和） | |
| 幹事氏名（英） | |
| 幹事補佐氏名（和） | |
| 幹事補佐氏名（英） | |
| 講演論文情報詳細 | |
| 申込み研究会 | Component Parts and Materials (CPM) |
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| 本文の言語 | JPN |
| タイトル（和） | メタン及び窒素プラズマソースを用いて作製したアモルファスカーボン薄膜の特性評価(結晶成長, 評価技術及びデバイス(化合物, Si, SiGe, その他電子材料)) |
| サブタイトル（和） | |
| タイトル（英） | Characterization of amorphous carbon thin film synthesized by nitrogen radical and methane plasma sources |
| サブタイトル（和） | |
| キーワード(1)（和/英） | アモルファスカーボン / Amorphous carbon films |
| キーワード(2)（和/英） | 窒素ドーピング / Nitrogen doping |
| キーワード(3)（和/英） | ダブルビーム法 / Double beam method |
| キーワード(4)（和/英） | 導電率 / Conductivity |
| 第 1 著者 氏名（和/英） | 鎌田 直樹 / Naoki KAMADA |
| 第 1 著者 所属（和/英） | 名古屋工業大学工学研究科 Nagoya Institute of Technology |
| 第 2 著者 氏名（和/英） | 林 靖彦 / Yasuhiko HAYASHI |
| 第 2 著者 所属（和/英） | 名古屋工業大学工学研究科 Nagoya Institute of Technology |
| 第 3 著者 氏名（和/英） | 曽我 哲夫 / Tetsuo SOGA |
| 第 3 著者 所属（和/英） | 名古屋工業大学工学研究科 Nagoya Institute of Technology |
| 第 4 著者 氏名（和/英） | 神保 孝志 / Takashi JIMBO |
| 第 4 著者 所属（和/英） | 名古屋工業大学工学研究科 Nagoya Institute of Technology |
| 発表年月日 | 2005/5/19 |
| 資料番号 | ED2005-21,CPM2005-13,SDM2005-21 |
| 巻番号（vol） | vol.105 |
| 号番号（no） | 91 |
| ページ範囲 | pp.- |
| ページ数 | 5 |
| 発行日 | |