| 講演名 | 2005/5/19 メサ構造InPテンプレート基板へのInAs量子ドットの成長とサイズ制御(結晶成長, 評価技術及びデバイス(化合物, Si, SiGe, その他電子材料)) 宇治原 徹, 吉田 義浩, 李 祐植, 竹田 美和, |
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| 抄録(和) | InP基板上のInAsドットは、歪みを利用した自己形成法での作製が困難である。それに対して我々は液滴へテロエピタキシー法を用いてInAsドットの形成を行ってきた。本研究では、さらにドットサイズの均一性向上を目的として、選択成長により形成したテンプレートInP基板へのInAsドットの成長を試みた。テンプレートには、InP(001)基板に[1-10]方向に伸びたライン状メサ構造を用いた。その結果、InAsドットは40～60nmの比較的小さなサイズと、140～160nmの大きなサイズのものが安定に存在できる傾向が見られこと、さらに、テンプレート頂上面の幅を小さなサイズのものに合わせることでサイズの均一化が可能であることを明らかにした。それよりも大きいと量子ドットのサイズ分布が二極化し、一方、幅が小さすぎると全くドットが形成されないことがわかった。さらに、サイズ分布によって発光スペクトルも変化することを確認した。 |
| 抄録(英) | InAs dot structure is hardly grown on a InP substrate using a self-assemble method. On the other hand, we successfully fabricate this structure by an OMVPE droplet hetero-epitaxial growth. In this study, we improved the uniformity of dot size using InP template substrates with linear mesa structures. The mesa structures are fabricated on a (001) InP substrate along the [1-10] direction using selective-area growth technique. InAs dots are grown on the top surface of the mesa structures. The size distribution of dot depends on the width of top facet plane of the mesa structure: when the width is larger than the appropriate size, which is 40nm in the present experiments, the size distribution is divided into two peaks. On the other hand, when the width is much small, a InAs dot structure is not grown at all. |
| キーワード(和) | InAsドット / InP基板 / 液滴ヘテロエピタキシー法 / 有機金属化学気相成長法 / 選択成長 |
| キーワード(英) | InAs dot / InP / Droplet hetero epitaxy / OMVPE / Selective-area growth |
| 資料番号 | ED2005-20,CPM2005-12,SDM2005-20 |
| 発行日 |
| 研究会情報 | |
| 研究会 | CPM |
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| 開催期間 | 2005/5/19(から1日開催) |
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| テーマ（和） | |
| テーマ（英） | |
| 委員長氏名（和） | |
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| 幹事氏名（和） | |
| 幹事氏名（英） | |
| 幹事補佐氏名（和） | |
| 幹事補佐氏名（英） | |
| 講演論文情報詳細 | |
| 申込み研究会 | Component Parts and Materials (CPM) |
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| 本文の言語 | JPN |
| タイトル（和） | メサ構造InPテンプレート基板へのInAs量子ドットの成長とサイズ制御(結晶成長, 評価技術及びデバイス(化合物, Si, SiGe, その他電子材料)) |
| サブタイトル（和） | |
| タイトル（英） | Improvement of size uniformity of InAs dots using InP mesa-structure template substrate |
| サブタイトル（和） | |
| キーワード(1)（和/英） | InAsドット / InAs dot |
| キーワード(2)（和/英） | InP基板 / InP |
| キーワード(3)（和/英） | 液滴ヘテロエピタキシー法 / Droplet hetero epitaxy |
| キーワード(4)（和/英） | 有機金属化学気相成長法 / OMVPE |
| キーワード(5)（和/英） | 選択成長 / Selective-area growth |
| 第 1 著者 氏名（和/英） | 宇治原 徹 / Toru Ujihara |
| 第 1 著者 所属（和/英） | 名古屋大学大学院工学研究科 Faculty of Engineering, Nagoya University |
| 第 2 著者 氏名（和/英） | 吉田 義浩 / Yoshihiro Yoshida |
| 第 2 著者 所属（和/英） | 名古屋大学大学院工学研究科 Faculty of Engineering, Nagoya University |
| 第 3 著者 氏名（和/英） | 李 祐植 / Woo Sik Lee |
| 第 3 著者 所属（和/英） | 名古屋大学大学院工学研究科 Faculty of Engineering, Nagoya University |
| 第 4 著者 氏名（和/英） | 竹田 美和 / Yoshikazu Takeda |
| 第 4 著者 所属（和/英） | 名古屋大学大学院工学研究科:名古屋大学ベンチャー・ビジネス・ラボラトリー Faculty of Engineering, Nagoya University:Venture Business Laboratory, Nagoya University |
| 発表年月日 | 2005/5/19 |
| 資料番号 | ED2005-20,CPM2005-12,SDM2005-20 |
| 巻番号（vol） | vol.105 |
| 号番号（no） | 91 |
| ページ範囲 | pp.- |
| ページ数 | 4 |
| 発行日 | |