| 講演名 | 2005/5/19 非晶質Asマスクを用いた3次元ヘテロ構造形成プロセスに関する研究(結晶成長, 評価技術及びデバイス(化合物, Si, SiGe, その他電子材料)) 山田 巧, 則竹 陽介, 田渕 雅夫, 竹田 美和, |
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| 抄録(和) | 本研究では化合物半導体におけるヘテロ/量子構造デバイスの作製・集積を可能にする, 非晶質Asマスクを用いた新しい真空一貫形成プロセスの確立を目的とした.1.低温(480℃)成長GaAs層上に非晶質As膜を堆積する.2.電子線描画による非晶質As膜へのパターン形成を行い, これをマスクとする.3.金属Inを堆積後, 加熱し, GaAs中へのIn拡散と非晶質Asの昇華に伴うInのリフトオフにより, 面内でパターン形成されたGaInAs/GaAsヘテロ構造を作製する.本報告では, As分子線圧をコントロールすることでプロセス用に適すると考えられる, 平坦で薄い非晶質As膜を得ることができた.また電子線照射による非晶質Asの変質, 低温成長したGaAs中へのInの拡散を確かめることが出来た. |
| 抄録(英) | New fabrication process for three-dimensional hetero-structure using amorphous As mask was investigated. 1. Amorphous As layer is deposited on the low-temperature-grown GaAs layer. 2. A pattern is drawn on the amorphous As layer using electron beam. 3. The sample is annealed after deposition of In on the amorphous As mask. It causes reevaporation of both amorphous As and In, and diffusion of In into GaAs layer. Finally, we are going to fabricate in-plain patterned GaInAs/GaAs hetero-structure. Smooth and thin amorphous As mask adapted for the process was available by controlling the vapor pressure of As. The amorphous As layer was found to be deformed by electron beam. The diffusion of In into the low-temperature-grown GaAs was successfully observed by the detection of fluoresce X-ray. |
| キーワード(和) | 非晶質As / 真空一貫プロセス / ヘテロ構造 / 分子線エピタキシー |
| キーワード(英) | amorphous arsenic / UHV process / hetero-structure / molecular beam epitaxy / GaInAs/GaAs |
| 資料番号 | ED2005-19,CPM2005-11,SDM2005-19 |
| 発行日 |
| 研究会情報 | |
| 研究会 | CPM |
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| 開催期間 | 2005/5/19(から1日開催) |
| 開催地（和） | |
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| テーマ（和） | |
| テーマ（英） | |
| 委員長氏名（和） | |
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| 幹事氏名（和） | |
| 幹事氏名（英） | |
| 幹事補佐氏名（和） | |
| 幹事補佐氏名（英） | |
| 講演論文情報詳細 | |
| 申込み研究会 | Component Parts and Materials (CPM) |
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| 本文の言語 | JPN |
| タイトル（和） | 非晶質Asマスクを用いた3次元ヘテロ構造形成プロセスに関する研究(結晶成長, 評価技術及びデバイス(化合物, Si, SiGe, その他電子材料)) |
| サブタイトル（和） | |
| タイトル（英） | New fabrication process for three-dimensional hetero-structure using amorphous arsenic mask |
| サブタイトル（和） | |
| キーワード(1)（和/英） | 非晶質As / amorphous arsenic |
| キーワード(2)（和/英） | 真空一貫プロセス / UHV process |
| キーワード(3)（和/英） | ヘテロ構造 / hetero-structure |
| キーワード(4)（和/英） | 分子線エピタキシー / molecular beam epitaxy |
| 第 1 著者 氏名（和/英） | 山田 巧 / Takumi YAMADA |
| 第 1 著者 所属（和/英） | 名古屋大学大学院工学研究科 Graduate School of Engineering, Nagoya University |
| 第 2 著者 氏名（和/英） | 則竹 陽介 / Yosuke NORITAKE |
| 第 2 著者 所属（和/英） | 名古屋大学大学院工学研究科 Graduate School of Engineering, Nagoya University |
| 第 3 著者 氏名（和/英） | 田渕 雅夫 / Masao TABUCHI |
| 第 3 著者 所属（和/英） | 名古屋大学ベンチャー・ビジネス・ラボラトリー Venture Business Laboratory, Nagoya University |
| 第 4 著者 氏名（和/英） | 竹田 美和 / Yoshikazu TAKEDA |
| 第 4 著者 所属（和/英） | 名古屋大学大学院工学研究科:名古屋大学ベンチャー・ビジネス・ラボラトリー Graduate School of Engineering, Nagoya University:Venture Business Laboratory, Nagoya University |
| 発表年月日 | 2005/5/19 |
| 資料番号 | ED2005-19,CPM2005-11,SDM2005-19 |
| 巻番号（vol） | vol.105 |
| 号番号（no） | 91 |
| ページ範囲 | pp.- |
| ページ数 | 6 |
| 発行日 | |