| 講演名 | 2005/5/19 MOVPE法によるSi基板上CdTe層直接成長と成長層特性評価(結晶成長, 評価技術及びデバイス(化合物, Si, SiGe, その他電子材料)) 江口 和隆, 大西 浩文, 高橋 博之, 野田 光太郎, 安形 保則, マダン ニラウラ, 安田 和人, |
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| 抄録(和) | MOVPE法によるCdTe厚膜成長層を用いたX線γ線検出器の開発を目的として研究を行っている.これまでは, GaAs基板上のCdTe成長層を用いた検出器の検討を行ってきたが、検出器高性能化及び大面積化のためには, Si基板上に直接成長したCdTe層を利用することが望ましい.しかし, Si基板上へCdTe直接成長では, 成長層の多結晶化や基板からの剥離の問題がある.この問題を解決するため成長前にSi基板をGaAs片と共にアニールする事をしたところ, 単結晶が得られることが可能になった.ここではSi基板上に直接成長した厚膜CdTe層結晶性について報告する. |
| 抄録(英) | MOVPE growth of thick CdTe layers for the application in x-ray, γ-ray detectors has been studied. Our previous results on growth of CdTe on GaAs substrates and detectors fabrication showed direct growth of CdTe on Si substrates is favorable for obtaining a large area and improving detector performance. However, the direct growth of CdTe on Si resulted polycrystalline layers with poor substrate adhesion. We studied Si substrate pre-treatment by annealing then with piece of GaAs substrates. High quality single crystalline CdTe layers were obtained on these pre-treated substrates and reported here. |
| キーワード(和) | X線γ線検出器 / 厚膜CdTe/GaAs / Ga拡散 / 電気特性 / Si基板 |
| キーワード(英) | MOVPE / X-and γ-ray detector / thick CdTe layers/GaAs / Ga diffusion / electronic properties / Si Substrate |
| 資料番号 | ED2005-17,CPM2005-9,SDM2005-17 |
| 発行日 |
| 研究会情報 | |
| 研究会 | CPM |
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| 開催期間 | 2005/5/19(から1日開催) |
| 開催地（和） | |
| 開催地（英） | |
| テーマ（和） | |
| テーマ（英） | |
| 委員長氏名（和） | |
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| 副委員長氏名（和） | |
| 副委員長氏名（英） | |
| 幹事氏名（和） | |
| 幹事氏名（英） | |
| 幹事補佐氏名（和） | |
| 幹事補佐氏名（英） | |
| 講演論文情報詳細 | |
| 申込み研究会 | Component Parts and Materials (CPM) |
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| 本文の言語 | JPN |
| タイトル（和） | MOVPE法によるSi基板上CdTe層直接成長と成長層特性評価(結晶成長, 評価技術及びデバイス(化合物, Si, SiGe, その他電子材料)) |
| サブタイトル（和） | |
| タイトル（英） | Growth properties of thick CdTe layers grown on Si Substrate by MOVPE |
| サブタイトル（和） | |
| キーワード(1)（和/英） | X線γ線検出器 / MOVPE |
| キーワード(2)（和/英） | 厚膜CdTe/GaAs / X-and γ-ray detector |
| キーワード(3)（和/英） | Ga拡散 / thick CdTe layers/GaAs |
| キーワード(4)（和/英） | 電気特性 / Ga diffusion |
| キーワード(5)（和/英） | Si基板 / electronic properties |
| 第 1 著者 氏名（和/英） | 江口 和隆 / Kazutaka Eguchi |
| 第 1 著者 所属（和/英） | 名古屋工業大学電気情報工学科 Department of Electrical and Computer Engineering Nagoya Institute of Technology |
| 第 2 著者 氏名（和/英） | 大西 浩文 / Hirofumi Onishi |
| 第 2 著者 所属（和/英） | 名古屋工業大学電気情報工学科 Department of Electrical and Computer Engineering Nagoya Institute of Technology |
| 第 3 著者 氏名（和/英） | 高橋 博之 / Hiroyuki Takahashi |
| 第 3 著者 所属（和/英） | 名古屋工業大学電気情報工学科 Department of Electrical and Computer Engineering Nagoya Institute of Technology |
| 第 4 著者 氏名（和/英） | 野田 光太郎 / Kotaro Noda |
| 第 4 著者 所属（和/英） | 名古屋工業大学電気情報工学科 Department of Electrical and Computer Engineering Nagoya Institute of Technology |
| 第 5 著者 氏名（和/英） | 安形 保則 / Yasunori Agata |
| 第 5 著者 所属（和/英） | 名古屋工業大学電気情報工学科 Department of Electrical and Computer Engineering Nagoya Institute of Technology |
| 第 6 著者 氏名（和/英） | マダン ニラウラ / Madan Niraula |
| 第 6 著者 所属（和/英） | 名古屋工業大学電気情報工学科 Department of Electrical and Computer Engineering Nagoya Institute of Technology |
| 第 7 著者 氏名（和/英） | 安田 和人 / Kazuhito Yasuda |
| 第 7 著者 所属（和/英） | 名古屋工業大学電気情報工学科 Department of Electrical and Computer Engineering Nagoya Institute of Technology |
| 発表年月日 | 2005/5/19 |
| 資料番号 | ED2005-17,CPM2005-9,SDM2005-17 |
| 巻番号（vol） | vol.105 |
| 号番号（no） | 91 |
| ページ範囲 | pp.- |
| ページ数 | 4 |
| 発行日 | |