講演名 2005/5/19
MOVPE法によるCdTe/GaAsダイオード型放射線検出器(結晶成長, 評価技術及びデバイス(化合物, Si, SiGe, その他電子材料))
大西 浩文, 江口 和隆, 高橋 博之, 野田 光太郎, 安形 保則, マダン ニラウラ, 安田 和人,
PDFダウンロードページ PDFダウンロードページへ
抄録(和) MOVPE法によるCdTe厚膜成長層を用いたX線γ線検出器の開発を目的として研究を行っている.n^+-GaAs基板上に成長したCdTe厚膜を用いてヘテロ接合ダイオード型検出器を試作し電気特性及び放射線検出特性を評価した.その結果良好な電流-電圧特性が得られ, キャリアの輸送特性も確認することができた.またγ線源に^<241>Amを用いて放射線検出測定を行ったところ, エネルギー分解可能であることが分かった.以上のことからMOVPE法によるエピタキシャルCdTe層を用いて放射線検出器を実現できることが確認できた.
抄録(英) X-and γ-ray detectors using thick CdTe layers grown by MOVPE have been studied. Heterojunction-diode type detectors were fabricated by growing thick CdTe layers on n^+-GaAs substrates and evaluated. The diode type detector showed excellent I-V characteristics and carrier transport property. Furthermore it could successfully resolve γ-ray energy from ^<241>Am radioisotope. Obtained results showed that radiation detectors can be fabricated with epitaxial thick CdTe layers grown by MOVPE.
キーワード(和) X線γ線検出器 / CdTe厚膜 / ヘテロ接合ダイオード型検出器
キーワード(英) MOVPE / X-andγ-ray detectors / thick CdTe layers / Heterojunction-diode type detectors
資料番号 ED2005-16,CPM2005-8,SDM2005-16
発行日

研究会情報
研究会 CPM
開催期間 2005/5/19(から1日開催)
開催地(和)
開催地(英)
テーマ(和)
テーマ(英)
委員長氏名(和)
委員長氏名(英)
副委員長氏名(和)
副委員長氏名(英)
幹事氏名(和)
幹事氏名(英)
幹事補佐氏名(和)
幹事補佐氏名(英)

講演論文情報詳細
申込み研究会 Component Parts and Materials (CPM)
本文の言語 JPN
タイトル(和) MOVPE法によるCdTe/GaAsダイオード型放射線検出器(結晶成長, 評価技術及びデバイス(化合物, Si, SiGe, その他電子材料))
サブタイトル(和)
タイトル(英) Diode type radiation detectors fabricated with thick CdTe/n^+-GaAs grown by MOVPE
サブタイトル(和)
キーワード(1)(和/英) X線γ線検出器 / MOVPE
キーワード(2)(和/英) CdTe厚膜 / X-andγ-ray detectors
キーワード(3)(和/英) ヘテロ接合ダイオード型検出器 / thick CdTe layers
第 1 著者 氏名(和/英) 大西 浩文 / Hirofumi Ohnishi
第 1 著者 所属(和/英) 名古屋工業大学
Department of Electorical and Computer Engineering Nagoya Institute of Techonlogy
第 2 著者 氏名(和/英) 江口 和隆 / Kazutaka Eguchi
第 2 著者 所属(和/英) 名古屋工業大学
Department of Electorical and Computer Engineering Nagoya Institute of Techonlogy
第 3 著者 氏名(和/英) 高橋 博之 / Hiroyuki Takahashi
第 3 著者 所属(和/英) 名古屋工業大学
Department of Electorical and Computer Engineering Nagoya Institute of Techonlogy
第 4 著者 氏名(和/英) 野田 光太郎 / Kohtaro Noda
第 4 著者 所属(和/英) 名古屋工業大学
Department of Electorical and Computer Engineering Nagoya Institute of Techonlogy
第 5 著者 氏名(和/英) 安形 保則 / Yasunori Agata
第 5 著者 所属(和/英) 名古屋工業大学
Department of Electorical and Computer Engineering Nagoya Institute of Techonlogy
第 6 著者 氏名(和/英) マダン ニラウラ / Madan Niraula
第 6 著者 所属(和/英) 名古屋工業大学
Department of Electorical and Computer Engineering Nagoya Institute of Techonlogy
第 7 著者 氏名(和/英) 安田 和人 / Kazuhito Yasuda
第 7 著者 所属(和/英) 名古屋工業大学
Department of Electorical and Computer Engineering Nagoya Institute of Techonlogy
発表年月日 2005/5/19
資料番号 ED2005-16,CPM2005-8,SDM2005-16
巻番号(vol) vol.105
号番号(no) 91
ページ範囲 pp.-
ページ数 5
発行日