| 講演名 | 2005-01-27 作りこみ欠陥を有する完成チップの走査レーザSQUID顕微鏡による観測(LSIシステムの実装・モジュール化・インタフェース技術, テスト実装, 一般) 酒井 哲哉, 二川 清, |
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| 抄録(和) | 我々は走査レーザSQUID顕微鏡のLSI検査・故障解析への適用にむけ研究、開発を行っている。今回まずロジック回路評価用TEG試料複数個に対して、走査レーザSQUID顕微鏡による観測を行った。その結果、同一観測条件ではそれらの試料で磁場強度像、磁場位相像の再現性が確認された。次に再現性が確認された試料に対して、集束イオンビーム(FIB)装置を用いて断線箇所の作りこみを実施した。断線箇所を作りこんだ試料に対し走査レーザSQUID顕微鏡観測を行った。その結果、従来困難であると考えられてきた走査レーザSQUID顕微鏡による観測のみで、試料内の断線箇所を絞り込める場合があることを確認できた。 |
| 抄録(英) | We have been improving and evaluating this system. In this meeting, we report observation results of completed LSI after building-in defect using laser-SQUID microscopy. First, we took magnetic intensity and phase images from same kind of samples without building-in defects in same experimental condition. We got similar images from each samples. Secondary, we observed a sample that was made open-circuit by focused ion beam (FIB). Magnetic intensity image showed strong contrast at positions of built-in defects. The phase at opposite sides of built-in defects showed about 180-degree change. These results shows we can directly localize open interconnects using the scanning laser-SQUID microscope. |
| キーワード(和) | 走査レーザSQUID顕微鏡 / 作りこみ欠陥 / 磁場強度像 / 磁場位相像 / 断線箇所絞り込み |
| キーワード(英) | Scanning Laser-SQUID microscope / built-in defect / intensity image / phase image / Open-circuit localization |
| 資料番号 | CPM2004-158,ICD2004-203 |
| 発行日 |
| 研究会情報 | |
| 研究会 | CPM |
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| 開催期間 | 2005/1/20(から1日開催) |
| 開催地（和） | |
| 開催地（英） | |
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| テーマ（英） | |
| 委員長氏名（和） | |
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| 副委員長氏名（英） | |
| 幹事氏名（和） | |
| 幹事氏名（英） | |
| 幹事補佐氏名（和） | |
| 幹事補佐氏名（英） | |
| 講演論文情報詳細 | |
| 申込み研究会 | Component Parts and Materials (CPM) |
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| 本文の言語 | JPN |
| タイトル（和） | 作りこみ欠陥を有する完成チップの走査レーザSQUID顕微鏡による観測(LSIシステムの実装・モジュール化・インタフェース技術, テスト実装, 一般) |
| サブタイトル（和） | |
| タイトル（英） | Observation of completed LSI after building-in defect using laser-SQUID microscopy |
| サブタイトル（和） | |
| キーワード(1)（和/英） | 走査レーザSQUID顕微鏡 / Scanning Laser-SQUID microscope |
| キーワード(2)（和/英） | 作りこみ欠陥 / built-in defect |
| キーワード(3)（和/英） | 磁場強度像 / intensity image |
| キーワード(4)（和/英） | 磁場位相像 / phase image |
| キーワード(5)（和/英） | 断線箇所絞り込み / Open-circuit localization |
| 第 1 著者 氏名（和/英） | 酒井 哲哉 / T. Sakai |
| 第 1 著者 所属（和/英） | NECエレクトロニクス株式会社 テスト評価技術開発事業部 Test Analysis Technology Development Division, NEC Electronics Corporation |
| 第 2 著者 氏名（和/英） | 二川 清 / K. Nikawa |
| 第 2 著者 所属（和/英） | NECエレクトロニクス株式会社 テスト評価技術開発事業部 Test Analysis Technology Development Division, NEC Electronics Corporation |
| 発表年月日 | 2005-01-27 |
| 資料番号 | CPM2004-158,ICD2004-203 |
| 巻番号（vol） | vol.104 |
| 号番号（no） | 626 |
| ページ範囲 | pp.- |
| ページ数 | 6 |
| 発行日 | |