| 講演名 | 2004/11/5 大気開放CVD法によるZnO:Al薄膜の作製(薄膜プロセス・材料,一般) 小柳 泰輔, 神保 和夫, 篠田 俊介, 小林 武, 片桐 裕則, |
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| 抄録(和) | Cu,ZnSnS_4(CZTS)系薄膜太陽電池の窓層ZnO:Alを、大気開放化学気相成長(Atmospheric Chemical Vapor Deposition:CVD)法により作製した。原料には、金属錯体を用いた。基板温度550℃において、42分の作製時間で600nm程度の極めて平坦な膜が得られた。同条件において、可視光領域で70%以上の透過率、10^<-3>Ωcm台の抵抗率を得た。X線回折より基板温度の上昇と共に(002)面へ配向することが明らかになった。ノズル-基板間距離を狭めるにつれて、低抵抗率化する傾向があることが分かった。 |
| 抄録(英) | By using Atmospheric Chemical Vapor Deposition (A-CVD) technique, ZnO:Al thin films were fabricated successfully. In this deposition technique, a metal complex was used as a source material. The deposition was carried out at the substrate temperature of 550 ℃ for 42 minutes to obtain ZnO:Al thin films with the thickness of about 600 nm. It was confirmed that the surface of the films were quite smooth, the transmittance exceeded over 70 % in the visible wavelength region and the resistivity was in the order of 10^<-3> Ωcm. The preferred orientation to the (002) plane increased with increase in the substrate temperature. The resistivity decreased with decrease in the distance between the nozzle and the substrate. |
| キーワード(和) | Cu_2ZnSnS_4 / 薄膜太陽電池 / 窓層 / 化学気相成長法 |
| キーワード(英) | Cu_2ZnSnS_4 / thin film solar cell device / window layer / chemical vapor deposition |
| 資料番号 | CPM2004-137 |
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| 研究会情報 | |
| 研究会 | CPM |
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| 開催期間 | 2004/11/5(から1日開催) |
| 開催地（和） | |
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| テーマ（和） | |
| テーマ（英） | |
| 委員長氏名（和） | |
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| 副委員長氏名（英） | |
| 幹事氏名（和） | |
| 幹事氏名（英） | |
| 幹事補佐氏名（和） | |
| 幹事補佐氏名（英） | |
| 講演論文情報詳細 | |
| 申込み研究会 | Component Parts and Materials (CPM) |
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| 本文の言語 | JPN |
| タイトル（和） | 大気開放CVD法によるZnO:Al薄膜の作製(薄膜プロセス・材料,一般) |
| サブタイトル（和） | |
| タイトル（英） | Evaluation of ZnO:Al thin films prepared by Atmospheric Chemical Vapor Deposition |
| サブタイトル（和） | |
| キーワード(1)（和/英） | Cu_2ZnSnS_4 / Cu_2ZnSnS_4 |
| キーワード(2)（和/英） | 薄膜太陽電池 / thin film solar cell device |
| キーワード(3)（和/英） | 窓層 / window layer |
| キーワード(4)（和/英） | 化学気相成長法 / chemical vapor deposition |
| 第 1 著者 氏名（和/英） | 小柳 泰輔 / Taisuke OYANAGI |
| 第 1 著者 所属（和/英） | 長岡工業高等専門学校専攻科 Advanced Engineering Course, Nagaoka National College of Technology |
| 第 2 著者 氏名（和/英） | 神保 和夫 / Kazuo JIMBO |
| 第 2 著者 所属（和/英） | 長岡工業高等専門学校専攻科 Advanced Engineering Course, Nagaoka National College of Technology |
| 第 3 著者 氏名（和/英） | 篠田 俊介 / Syunsuke SHINODA |
| 第 3 著者 所属（和/英） | 長岡工業高等専門学校専攻科 Advanced Engineering Course, Nagaoka National College of Technology |
| 第 4 著者 氏名（和/英） | 小林 武 / Takeshi KOBAYASHI |
| 第 4 著者 所属（和/英） | 長岡工業高等専門学校専攻科 Advanced Engineering Course, Nagaoka National College of Technology |
| 第 5 著者 氏名（和/英） | 片桐 裕則 / Hironori KATAGIRI |
| 第 5 著者 所属（和/英） | 長岡工業高等専門学校専攻科 Advanced Engineering Course, Nagaoka National College of Technology |
| 発表年月日 | 2004/11/5 |
| 資料番号 | CPM2004-137 |
| 巻番号（vol） | vol.104 |
| 号番号（no） | 426 |
| ページ範囲 | pp.- |
| ページ数 | 5 |
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