講演名 | 2004/10/15 Si基板上低温堆積GaN薄膜の紫外EL素子への応用(化合物混晶半導体デバイス・材料(含むSiGe,ワイドギャップ半導体),一般) 青木 陽太, 本田 徹, 長谷川 文夫, 川西 英雄, |
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抄録(和) | GaN結晶を(111)Si基板上に基板温度450℃て化合物原料分子線エピタキシ-(compound source molecular beam epitaxy CS-MBE)によって成長した 薄膜を反射高速電子線回折(reflection high-energy electron dlffraction RHEED),X線回折(x-ray diffraction XRD)によって評価した。RHEEDとXRDの結果からCS-MBEによって低温成長したGaN結晶はC軸に配向した六方晶のGaN結晶であることがわかった また,この低温成長GaNを用いてエレクトロルミネッセントデバイスを製作した パルス電圧によって駆動し紫色がかった青色の発光を確認した |
抄録(英) | Gallium-nitride (GaN) layers were grown on (111)Si substrates at 450 ℃ by compound source molecular beam epitaxy (CS-MBE). Streaky reflection high-energy electron diffraction (RHEED) patterns of the GaN layers at RT were observed after the growth. X-ray diffraction peak was observed. The results indicate the crystal growth of a hexagonal GaN on a Si substrate and the effectiveness of CS-MBE in the fabrication of GaN layers at low temperature. GaN-based electroluminescent devices (ELDs) using CS-MBE were fabricated on the Si substrates. Purplish blue emission was observed from the ELDs under the AC operation. |
キーワード(和) | 窒化物半導体 / エレクトロルミネッセントデバイス / GaN / 低温成長 |
キーワード(英) | GaN / Electroluminescent Devices / Nitride semiconductors / Low temperature growth |
資料番号 | ED2004-151,CPM2004-125,LQE2004-89 |
発行日 |
研究会情報 | |
研究会 | CPM |
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開催期間 | 2004/10/15(から1日開催) |
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テーマ(英) | |
委員長氏名(和) | |
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幹事氏名(和) | |
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幹事補佐氏名(和) | |
幹事補佐氏名(英) |
講演論文情報詳細 | |
申込み研究会 | Component Parts and Materials (CPM) |
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本文の言語 | JPN |
タイトル(和) | Si基板上低温堆積GaN薄膜の紫外EL素子への応用(化合物混晶半導体デバイス・材料(含むSiGe,ワイドギャップ半導体),一般) |
サブタイトル(和) | |
タイトル(英) | GaN-based UV/blue electroluminescent devices deposited on Si at low temperature |
サブタイトル(和) | |
キーワード(1)(和/英) | 窒化物半導体 / GaN |
キーワード(2)(和/英) | エレクトロルミネッセントデバイス / Electroluminescent Devices |
キーワード(3)(和/英) | GaN / Nitride semiconductors |
キーワード(4)(和/英) | 低温成長 / Low temperature growth |
第 1 著者 氏名(和/英) | 青木 陽太 / Y AOKI |
第 1 著者 所属(和/英) | 工学院大学大学院電気・電子工学専攻 Department of Engineering, Kogakum University |
第 2 著者 氏名(和/英) | 本田 徹 / T HONDA |
第 2 著者 所属(和/英) | 工学院大学大学院電気・電子工学専攻 Department of Engineering, Kogakum University |
第 3 著者 氏名(和/英) | 長谷川 文夫 / F HASEGAWA |
第 3 著者 所属(和/英) | 工学院大学大学院電気・電子工学専攻 Department of Engineering, Kogakum University |
第 4 著者 氏名(和/英) | 川西 英雄 / H KAWANISHI |
第 4 著者 所属(和/英) | 工学院大学大学院電気・電子工学専攻 Department of Engineering, Kogakum University |
発表年月日 | 2004/10/15 |
資料番号 | ED2004-151,CPM2004-125,LQE2004-89 |
巻番号(vol) | vol.104 |
号番号(no) | 360 |
ページ範囲 | pp.- |
ページ数 | 4 |
発行日 |