| 講演名 | 2004/10/15 Si基板上低温堆積GaN薄膜の紫外EL素子への応用(化合物混晶半導体デバイス・材料(含むSiGe,ワイドギャップ半導体),一般) 青木 陽太, 本田 徹, 長谷川 文夫, 川西 英雄, |
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| 抄録(和) | GaN結晶を(111)Si基板上に基板温度450℃て化合物原料分子線エピタキシ-(compound source molecular beam epitaxy CS-MBE)によって成長した 薄膜を反射高速電子線回折(reflection high-energy electron dlffraction RHEED),X線回折(x-ray diffraction XRD)によって評価した。RHEEDとXRDの結果からCS-MBEによって低温成長したGaN結晶はC軸に配向した六方晶のGaN結晶であることがわかった また,この低温成長GaNを用いてエレクトロルミネッセントデバイスを製作した パルス電圧によって駆動し紫色がかった青色の発光を確認した |
| 抄録(英) | Gallium-nitride (GaN) layers were grown on (111)Si substrates at 450 ℃ by compound source molecular beam epitaxy (CS-MBE). Streaky reflection high-energy electron diffraction (RHEED) patterns of the GaN layers at RT were observed after the growth. X-ray diffraction peak was observed. The results indicate the crystal growth of a hexagonal GaN on a Si substrate and the effectiveness of CS-MBE in the fabrication of GaN layers at low temperature. GaN-based electroluminescent devices (ELDs) using CS-MBE were fabricated on the Si substrates. Purplish blue emission was observed from the ELDs under the AC operation. |
| キーワード(和) | 窒化物半導体 / エレクトロルミネッセントデバイス / GaN / 低温成長 |
| キーワード(英) | GaN / Electroluminescent Devices / Nitride semiconductors / Low temperature growth |
| 資料番号 | ED2004-151,CPM2004-125,LQE2004-89 |
| 発行日 |
| 研究会情報 | |
| 研究会 | CPM |
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| 開催期間 | 2004/10/15(から1日開催) |
| 開催地（和） | |
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| テーマ（和） | |
| テーマ（英） | |
| 委員長氏名（和） | |
| 委員長氏名（英） | |
| 副委員長氏名（和） | |
| 副委員長氏名（英） | |
| 幹事氏名（和） | |
| 幹事氏名（英） | |
| 幹事補佐氏名（和） | |
| 幹事補佐氏名（英） | |
| 講演論文情報詳細 | |
| 申込み研究会 | Component Parts and Materials (CPM) |
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| 本文の言語 | JPN |
| タイトル（和） | Si基板上低温堆積GaN薄膜の紫外EL素子への応用(化合物混晶半導体デバイス・材料(含むSiGe,ワイドギャップ半導体),一般) |
| サブタイトル（和） | |
| タイトル（英） | GaN-based UV/blue electroluminescent devices deposited on Si at low temperature |
| サブタイトル（和） | |
| キーワード(1)（和/英） | 窒化物半導体 / GaN |
| キーワード(2)（和/英） | エレクトロルミネッセントデバイス / Electroluminescent Devices |
| キーワード(3)（和/英） | GaN / Nitride semiconductors |
| キーワード(4)（和/英） | 低温成長 / Low temperature growth |
| 第 1 著者 氏名（和/英） | 青木 陽太 / Y AOKI |
| 第 1 著者 所属（和/英） | 工学院大学大学院電気・電子工学専攻 Department of Engineering, Kogakum University |
| 第 2 著者 氏名（和/英） | 本田 徹 / T HONDA |
| 第 2 著者 所属（和/英） | 工学院大学大学院電気・電子工学専攻 Department of Engineering, Kogakum University |
| 第 3 著者 氏名（和/英） | 長谷川 文夫 / F HASEGAWA |
| 第 3 著者 所属（和/英） | 工学院大学大学院電気・電子工学専攻 Department of Engineering, Kogakum University |
| 第 4 著者 氏名（和/英） | 川西 英雄 / H KAWANISHI |
| 第 4 著者 所属（和/英） | 工学院大学大学院電気・電子工学専攻 Department of Engineering, Kogakum University |
| 発表年月日 | 2004/10/15 |
| 資料番号 | ED2004-151,CPM2004-125,LQE2004-89 |
| 巻番号（vol） | vol.104 |
| 号番号（no） | 360 |
| ページ範囲 | pp.- |
| ページ数 | 4 |
| 発行日 | |