講演名 2004/10/15
Si基板上低温堆積GaN薄膜の紫外EL素子への応用(化合物混晶半導体デバイス・材料(含むSiGe,ワイドギャップ半導体),一般)
青木 陽太, 本田 徹, 長谷川 文夫, 川西 英雄,
PDFダウンロードページ PDFダウンロードページへ
抄録(和) GaN結晶を(111)Si基板上に基板温度450℃て化合物原料分子線エピタキシ-(compound source molecular beam epitaxy CS-MBE)によって成長した 薄膜を反射高速電子線回折(reflection high-energy electron dlffraction RHEED),X線回折(x-ray diffraction XRD)によって評価した。RHEEDとXRDの結果からCS-MBEによって低温成長したGaN結晶はC軸に配向した六方晶のGaN結晶であることがわかった また,この低温成長GaNを用いてエレクトロルミネッセントデバイスを製作した パルス電圧によって駆動し紫色がかった青色の発光を確認した
抄録(英) Gallium-nitride (GaN) layers were grown on (111)Si substrates at 450 ℃ by compound source molecular beam epitaxy (CS-MBE). Streaky reflection high-energy electron diffraction (RHEED) patterns of the GaN layers at RT were observed after the growth. X-ray diffraction peak was observed. The results indicate the crystal growth of a hexagonal GaN on a Si substrate and the effectiveness of CS-MBE in the fabrication of GaN layers at low temperature. GaN-based electroluminescent devices (ELDs) using CS-MBE were fabricated on the Si substrates. Purplish blue emission was observed from the ELDs under the AC operation.
キーワード(和) 窒化物半導体 / エレクトロルミネッセントデバイス / GaN / 低温成長
キーワード(英) GaN / Electroluminescent Devices / Nitride semiconductors / Low temperature growth
資料番号 ED2004-151,CPM2004-125,LQE2004-89
発行日

研究会情報
研究会 CPM
開催期間 2004/10/15(から1日開催)
開催地(和)
開催地(英)
テーマ(和)
テーマ(英)
委員長氏名(和)
委員長氏名(英)
副委員長氏名(和)
副委員長氏名(英)
幹事氏名(和)
幹事氏名(英)
幹事補佐氏名(和)
幹事補佐氏名(英)

講演論文情報詳細
申込み研究会 Component Parts and Materials (CPM)
本文の言語 JPN
タイトル(和) Si基板上低温堆積GaN薄膜の紫外EL素子への応用(化合物混晶半導体デバイス・材料(含むSiGe,ワイドギャップ半導体),一般)
サブタイトル(和)
タイトル(英) GaN-based UV/blue electroluminescent devices deposited on Si at low temperature
サブタイトル(和)
キーワード(1)(和/英) 窒化物半導体 / GaN
キーワード(2)(和/英) エレクトロルミネッセントデバイス / Electroluminescent Devices
キーワード(3)(和/英) GaN / Nitride semiconductors
キーワード(4)(和/英) 低温成長 / Low temperature growth
第 1 著者 氏名(和/英) 青木 陽太 / Y AOKI
第 1 著者 所属(和/英) 工学院大学大学院電気・電子工学専攻
Department of Engineering, Kogakum University
第 2 著者 氏名(和/英) 本田 徹 / T HONDA
第 2 著者 所属(和/英) 工学院大学大学院電気・電子工学専攻
Department of Engineering, Kogakum University
第 3 著者 氏名(和/英) 長谷川 文夫 / F HASEGAWA
第 3 著者 所属(和/英) 工学院大学大学院電気・電子工学専攻
Department of Engineering, Kogakum University
第 4 著者 氏名(和/英) 川西 英雄 / H KAWANISHI
第 4 著者 所属(和/英) 工学院大学大学院電気・電子工学専攻
Department of Engineering, Kogakum University
発表年月日 2004/10/15
資料番号 ED2004-151,CPM2004-125,LQE2004-89
巻番号(vol) vol.104
号番号(no) 360
ページ範囲 pp.-
ページ数 4
発行日