| 講演名 | 2004/10/15 RF-MBE法による高品質窒化物ナノコラム結晶の成長とInGaN/GaNナノコラムLEDの作製(化合物混晶半導体デバイス・材料(含むSiGe,ワイドギャップ半導体),一般) 菊池 昭彦, 川井 瑞恵, 多田 誠, 岸野 克巳, |
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| 抄録(和) | (0001)Al_2O_3基板上に分子線エピタキシ一法を用いて成長したGaNナノコラム結晶の室温における発光特性をフォトルミネッセンス(PL)法を用いて評価した。低励起条件下において.比較に用いた転位密度3～5x10^9cm-<-2>、厚さ37μmの有機金属気相堆積法で成長したノントープGaN連続膜の20～400倍という強いPL発光を得た。強励起条件下では198kWcm^<-2>という低閥値ての光励起誘導放出を観測した。また,InGaN/GaN多重量子井戸構造を有するGaNナノコラム結晶を成長し、波長436nmから614nmにおける強いPL発光を確認した。導電性を有する(111)Si基板上へ,InGaN/GaN多重量子ディスク活性層を有するナノコラムLEDを作製したところ、室温において明瞭な整流特性か得られ,順方向電流庄入時には透明電極下からの明るい発光が観測された。活性層のIn組成を変化させる事によって緑から赤燈色の発光か得られた。 |
| 抄録(英) | The optical property of GaN nanocolumns grown on (0001) Al_2O_3 substrates was characterized by room temperature photolummescence (PL) measurement For the case of low excitation condition, the PL peak intensity of the GaN nanocolumns was about 20～400 times stronger than that of an undoped GaN continuous film grown by metalorganic chemical vapor deposition with a dislocation density of 3～5x10^9cm^<-2> and thickness of 37 μm For the higher excitation condition, stimulated emission was observed with a low threshold power density of 198 kW/cm^2 We also grown GaN nanocolumns with InGaN/GaN multiple quantum well. Bright PL emission at wavelength from 436 to 614 nm was observed InGaN/GaN multiple quantum well nanocolumn LEDs were grown on n-type (111) Si The LEDs showed clear rectifying behavior Green to red-orange electro-luminescence was obtained at room temperature |
| キーワード(和) | ナノコラム / ナノロット / ナノワイヤ / 窒化物半導体 / LED / RF-MBE |
| キーワード(英) | Nanocolumn / Nanorod / Nanowire / Nitride semiconductor / LED / RF-MBE |
| 資料番号 | ED2004-150,CPM2004-124,LQE2004-88 |
| 発行日 |
| 研究会情報 | |
| 研究会 | CPM |
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| 開催期間 | 2004/10/15(から1日開催) |
| 開催地（和） | |
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| テーマ（和） | |
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| 委員長氏名（和） | |
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| 幹事氏名（和） | |
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| 幹事補佐氏名（和） | |
| 幹事補佐氏名（英） | |
| 講演論文情報詳細 | |
| 申込み研究会 | Component Parts and Materials (CPM) |
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| 本文の言語 | JPN |
| タイトル（和） | RF-MBE法による高品質窒化物ナノコラム結晶の成長とInGaN/GaNナノコラムLEDの作製(化合物混晶半導体デバイス・材料(含むSiGe,ワイドギャップ半導体),一般) |
| サブタイトル（和） | |
| タイトル（英） | Growth of High Quality Nitride Nanocolumns by RF-MBE and Fabrication of InGaN/GaN Nanocolumn LED |
| サブタイトル（和） | |
| キーワード(1)（和/英） | ナノコラム / Nanocolumn |
| キーワード(2)（和/英） | ナノロット / Nanorod |
| キーワード(3)（和/英） | ナノワイヤ / Nanowire |
| キーワード(4)（和/英） | 窒化物半導体 / Nitride semiconductor |
| キーワード(5)（和/英） | LED / LED |
| キーワード(6)（和/英） | RF-MBE / RF-MBE |
| 第 1 著者 氏名（和/英） | 菊池 昭彦 / Akihiko KIKUCHI |
| 第 1 著者 所属（和/英） | 上智大学理工学部 Faculty of Science and Engineering, Sophia University |
| 第 2 著者 氏名（和/英） | 川井 瑞恵 / Mizue KAWAI |
| 第 2 著者 所属（和/英） | 上智大学理工学部 Faculty of Science and Engineering, Sophia University |
| 第 3 著者 氏名（和/英） | 多田 誠 / Makoto Tada |
| 第 3 著者 所属（和/英） | 上智大学理工学部 Faculty of Science and Engineering, Sophia University |
| 第 4 著者 氏名（和/英） | 岸野 克巳 / Katsumi KISHINO |
| 第 4 著者 所属（和/英） | 上智大学理工学部 Faculty of Science and Engineering, Sophia University |
| 発表年月日 | 2004/10/15 |
| 資料番号 | ED2004-150,CPM2004-124,LQE2004-88 |
| 巻番号（vol） | vol.104 |
| 号番号（no） | 360 |
| ページ範囲 | pp.- |
| ページ数 | 6 |
| 発行日 | |