| 講演名 | 2004/10/15 GaN/AlN多重量子井戸のサブバンド間遷移を用いた紫外・赤外光変換素子の基礎検討(化合物混晶半導体デバイス・材料(含むSiGe,ワイドギャップ半導体),一般) 松井 聰, 石井 洋平, / 関口 寛人, 菊池 昭彦, 岸野 克巳, |
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| 抄録(和) | GaN/AlN多重量子井戸(MQW)のサブバンド間遷移(ISBT)は、超高速全光スイッチへの応用が期待されている。我々は、紫外域に対応するバンド間遷移(IBT)によりMQWの第一量子準位にキャリアを励起し、波長1.55μmのISBT効果を発現させることで、(1)IBT共鳴光によるISBTデバイス動体のON-OFF制御、(2)紫外-赤外信号変換作用を基礎にした高速紫外光検出器の実現を目指して研究を推進している。後者では、IBT緩和時間の高速動作が期待される。これらのデバイスへの発展の基礎的資料を得るため、本研究では、IBT共鳴光によるISBT誘起特性を調べ、IBT共鳴光強度3mW程度で比較的大きなISBT消光比38%を得た。この実験をもとにしてISBT消光比を理論的に解析したところ、IBT共鳴光強度40mWでISBT消光比は99%以上となり、最終的な目的であるISBTデバイス制御や高速紫外光検出器の実現の可能性を示した。 |
| 抄録(英) | ISBT in GaN/AlN MQW has been expected to be a ultra fast all-optical switch Now, a scheme of inducing ISBT, whose wavelength of 155 μm, by IBT is investigated. This scheme gives us the applications for #1 ON-OFF controlling of ISBT devices by IBT resonant light, #2 hi-speed ultraviolet detector The latter device is expected to show hi-speed detection is same as IBT relaxation time For realization of those devices, we investigated the IBT excitation dependences of intersubband absorption As the result, a relatively high ISBT extinction ratio of 38 % at IBT excitation power of 3 mW was obtained, and also ISBT extinction ratio of over 99 % at 40 mW by a calculation These results show the possibilities of realization for those devices |
| キーワード(和) | GaN/AlN MQW / サブバンド間遷移 / バンド間遷移 / 全光スイッチ / 高速紫外光検出器 |
| キーワード(英) | GaN/AlN MQW / Intersubband transitions / nterband transitions / All-optical switch / High-speed UV detector |
| 資料番号 | ED2004-148,CPM2004-122,LQE2004-86 |
| 発行日 |
| 研究会情報 | |
| 研究会 | CPM |
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| 開催期間 | 2004/10/15(から1日開催) |
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| テーマ（和） | |
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| 委員長氏名（和） | |
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| 幹事補佐氏名（和） | |
| 幹事補佐氏名（英） | |
| 講演論文情報詳細 | |
| 申込み研究会 | Component Parts and Materials (CPM) |
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| 本文の言語 | JPN |
| タイトル（和） | GaN/AlN多重量子井戸のサブバンド間遷移を用いた紫外・赤外光変換素子の基礎検討(化合物混晶半導体デバイス・材料(含むSiGe,ワイドギャップ半導体),一般) |
| サブタイトル（和） | |
| タイトル（英） | Basic investigation for the ultraviolet to infrared light conversion devices utilizing intersubband transitions in GaN/AlN multiple quantum wells |
| サブタイトル（和） | |
| キーワード(1)（和/英） | GaN/AlN MQW / GaN/AlN MQW |
| キーワード(2)（和/英） | サブバンド間遷移 / Intersubband transitions |
| キーワード(3)（和/英） | バンド間遷移 / nterband transitions |
| キーワード(4)（和/英） | 全光スイッチ / All-optical switch |
| キーワード(5)（和/英） | 高速紫外光検出器 / High-speed UV detector |
| 第 1 著者 氏名（和/英） | 松井 聰 / Satoshi MATSUI |
| 第 1 著者 所属（和/英） | 上智大学理工学部 Faculty of Science and Technology, Sophia University |
| 第 2 著者 氏名（和/英） | 石井 洋平 / Yohei ISHII |
| 第 2 著者 所属（和/英） | 上智大学理工学部 Faculty of Science and Technology, Sophia University |
| 第 3 著者 氏名（和/英） | / 関口 寛人 / Fetter HOLMSTROM |
| 第 3 著者 所属（和/英） | 上智大学理工学部 Faculty of Science and Technology, Sophia University |
| 第 4 著者 氏名（和/英） | 菊池 昭彦 / Hiroto SEKIGUCHI |
| 第 4 著者 所属（和/英） | 上智大学理工学部 Faculty of Science and Technology, Sophia University |
| 第 5 著者 氏名（和/英） | 岸野 克巳 / Akihiko KIKUCHI |
| 第 5 著者 所属（和/英） | 上智大学理工学部 Faculty of Science and Technology, Sophia University |
| 発表年月日 | 2004/10/15 |
| 資料番号 | ED2004-148,CPM2004-122,LQE2004-86 |
| 巻番号（vol） | vol.104 |
| 号番号（no） | 360 |
| ページ範囲 | pp.- |
| ページ数 | 5 |
| 発行日 | |