| 講演名 | 2004/10/15 集束イオンビームによる窒化物半導体の微細加工と分布ブラッグ反射鏡の試作(化合物混晶半導体デバイス・材料(含むSiGe,ワイドギャップ半導体),一般) 畑田 芳隆, 小谷 晃央, 船戸 充, 成川 幸男, 向井 孝志, 川上 養一, |
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| 抄録(和) | 本研究では,短波長域での重要な光材料である窒化物半導体を対象とし,集束イオンビーム(FIB)による微細加工と分布ブラッグ反射鏡(DBR)の試作を行った.FIBで加工した領域の側面を原子間力顕微鏡により測定したところ,表面粗さの2乗平均は0.5-0.8nmであり,平坦性の優れた平面および曲面構造の加工が可能であることが明らかになった.この結果を踏まえ,レーザ共振器端面にエアギャップ/GaN DBRを作製した.まず導波路内光損失係数を見積ったところ42cm^<-1>であった.その値を用いてDBRの反射率を求めたところ62%であり,ファセットミラーの反射率17%を大きく上回ることに成功した. |
| 抄録(英) | Fine-patterning of nitride semiconductors, which is a key material for optical applications in the short wavelength range, was performed, using a focused ion beam (FIB) technique. The etching characteristics were investigated and air/GaN distributed Bragg reflector (DBR) mirrors were fabricated. The root-mean-square roughness of the sidewall of etched area was measured by atomic force microscopy to be 0.5-0.8 nm. Namely, the etched surface was optically smooth, and so we fabricated air/GaN DBR mirrors at the end of laser cavities as a test structure. The internal loss factor was firstly evaluated to be 42 cm^<-1> and using this quantity the reflectivity of the fabricated DBR mirrors was estimated to be 62%, which was much higher than that of conventional facet mirrors (17%). |
| キーワード(和) | 窒化物半導体 / 集束イオンビーム / 分布ブラッグ反射鏡 |
| キーワード(英) | nitride semiconductor / focused ion beam / distributed Bragg reflector |
| 資料番号 | ED2004-147,CPM2004-121,LQE2004-85 |
| 発行日 |
| 研究会情報 | |
| 研究会 | CPM |
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| 開催期間 | 2004/10/15(から1日開催) |
| 開催地（和） | |
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| テーマ（和） | |
| テーマ（英） | |
| 委員長氏名（和） | |
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| 幹事氏名（和） | |
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| 幹事補佐氏名（和） | |
| 幹事補佐氏名（英） | |
| 講演論文情報詳細 | |
| 申込み研究会 | Component Parts and Materials (CPM) |
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| 本文の言語 | JPN |
| タイトル（和） | 集束イオンビームによる窒化物半導体の微細加工と分布ブラッグ反射鏡の試作(化合物混晶半導体デバイス・材料(含むSiGe,ワイドギャップ半導体),一般) |
| サブタイトル（和） | |
| タイトル（英） | Fine patterning of nitride semiconductors and fabrication of distributed Bragg reflector mirrors by focused ion beam |
| サブタイトル（和） | |
| キーワード(1)（和/英） | 窒化物半導体 / nitride semiconductor |
| キーワード(2)（和/英） | 集束イオンビーム / focused ion beam |
| キーワード(3)（和/英） | 分布ブラッグ反射鏡 / distributed Bragg reflector |
| 第 1 著者 氏名（和/英） | 畑田 芳隆 / Yoshitaka Hatada |
| 第 1 著者 所属（和/英） | 京都大学工学研究科電子工学専攻 Department of Electronic Science and Engineering, Kyoto University |
| 第 2 著者 氏名（和/英） | 小谷 晃央 / Teruhisa Kotani |
| 第 2 著者 所属（和/英） | 京都大学工学研究科電子工学専攻 Department of Electronic Science and Engineering, Kyoto University |
| 第 3 著者 氏名（和/英） | 船戸 充 / Mitsuru Funato |
| 第 3 著者 所属（和/英） | 京都大学工学研究科電子工学専攻 Department of Electronic Science and Engineering, Kyoto University |
| 第 4 著者 氏名（和/英） | 成川 幸男 / Yukio Narukawa |
| 第 4 著者 所属（和/英） | 日亜化学工業 Nitride Semiconductor Research Lab. Nichia Corporation |
| 第 5 著者 氏名（和/英） | 向井 孝志 / Takashi Mukai |
| 第 5 著者 所属（和/英） | 日亜化学工業 Nitride Semiconductor Research Lab. Nichia Corporation |
| 第 6 著者 氏名（和/英） | 川上 養一 / Yoichi Kawakami |
| 第 6 著者 所属（和/英） | 京都大学工学研究科電子工学専攻 Department of Electronic Science and Engineering, Kyoto University |
| 発表年月日 | 2004/10/15 |
| 資料番号 | ED2004-147,CPM2004-121,LQE2004-85 |
| 巻番号（vol） | vol.104 |
| 号番号（no） | 360 |
| ページ範囲 | pp.- |
| ページ数 | 6 |
| 発行日 | |