| 講演名 | 2004/10/15 一次元フォトニック結晶の作製と応用(化合物混晶半導体デバイス・材料(含むSiGe,ワイドギャップ半導体),一般) 細見 和彦, 深町 俊彦, 山田 宏治, 勝山 俊夫, 荒川 泰彦, |
|---|---|
| PDFダウンロードページ | PDFダウンロードページへ |
| 抄録(和) | 平面型一次元フォトニック結晶を提案し、その透過特性を測定した。V溝付Si基板上に高ナスペクト比Siドライエッチング技術を用い、Si層厚300nm、深さ約10μmのパターンを形成した。光透過特性を測定し、透過率の抑圧が30dB以上の明瞭なバンドギャップを確認した。透過帯の損失は数dB以下であった。測定スペクトルは、プロセス揺らぎを考慮に入れた計算値とよく一致した。これらの結果により、Siを用いた平面型一次元フォトニック結晶素子実現の見通しを得た。 |
| 抄録(英) | One-dimensional (1D) photonic crystals composed of deeply etched silicon were developed, and their transmission characteristics were measured. Because of its simplicity, a ID photonic crystal is a promising structure for academic research as well as commercial applications. In particular, a planer-type device fabricated on a silicon wafer is considered to have many advantageous for various applications. The structure is made of a high-aspect-ratio silicon plate fabricated by dry etching. The thickness and the height of the silicon plates are respectively 300 nm and 10 μm. In the experimentally measured spectrum, the transmittance is obviously suppressed which is considered to correspond to the band gap. The suppressed value of transmittance was at least 30 dB. The experimental result agrees well with the calculation; therefore, it is concluded that this experiment confirmed the fundamental function of the proposed 1D-photonic-crystal structure. |
| キーワード(和) | フォトニック結晶 / バンドギャップ / 高アスペクト比 / ドライエッチング |
| キーワード(英) | Photonic Crystal / Band Gap / High Aspect Ratio / Dry Etching |
| 資料番号 | ED2004-145,CPM2004-119,LQE2004-83 |
| 発行日 |
| 研究会情報 | |
| 研究会 | CPM |
|---|---|
| 開催期間 | 2004/10/15(から1日開催) |
| 開催地（和） | |
| 開催地（英） | |
| テーマ（和） | |
| テーマ（英） | |
| 委員長氏名（和） | |
| 委員長氏名（英） | |
| 副委員長氏名（和） | |
| 副委員長氏名（英） | |
| 幹事氏名（和） | |
| 幹事氏名（英） | |
| 幹事補佐氏名（和） | |
| 幹事補佐氏名（英） | |
| 講演論文情報詳細 | |
| 申込み研究会 | Component Parts and Materials (CPM) |
|---|---|
| 本文の言語 | JPN |
| タイトル（和） | 一次元フォトニック結晶の作製と応用(化合物混晶半導体デバイス・材料(含むSiGe,ワイドギャップ半導体),一般) |
| サブタイトル（和） | |
| タイトル（英） | Fabrication and Application of One-Dimensional Photonic Crystal |
| サブタイトル（和） | |
| キーワード(1)（和/英） | フォトニック結晶 / Photonic Crystal |
| キーワード(2)（和/英） | バンドギャップ / Band Gap |
| キーワード(3)（和/英） | 高アスペクト比 / High Aspect Ratio |
| キーワード(4)（和/英） | ドライエッチング / Dry Etching |
| 第 1 著者 氏名（和/英） | 細見 和彦 / Kazuhiko HOSOMI |
| 第 1 著者 所属（和/英） | 東京大学生産技術研究所ナノエレクトロニクス連携研究センター:財団法人光産業技術振興協会:日立製作所中央研究所 NCRC, IIS, University of Tokyo:OITDA:Central Research Laboratory, Hitachi, Ltd. |
| 第 2 著者 氏名（和/英） | 深町 俊彦 / Toshihiko FUKAMACHI |
| 第 2 著者 所属（和/英） | 東京大学生産技術研究所ナノエレクトロニクス連携研究センター:財団法人光産業技術振興協会:日立製作所中央研究所 NCRC, IIS, University of Tokyo:OITDA:Central Research Laboratory, Hitachi, Ltd. |
| 第 3 著者 氏名（和/英） | 山田 宏治 / Hiroji YAMADA |
| 第 3 著者 所属（和/英） | 東京大学生産技術研究所ナノエレクトロニクス連携研究センター NCRC, IIS, University of Tokyo:OITDA:Central Research Laboratory, Hitachi, Ltd. |
| 第 4 著者 氏名（和/英） | 勝山 俊夫 / Toshio KATSUYAMA |
| 第 4 著者 所属（和/英） | 東京大学生産技術研究所ナノエレクトロニクス連携研究センター:財団法人光産業技術振興協会 NCRC, IIS, University of Tokyo:OITDA |
| 第 5 著者 氏名（和/英） | 荒川 泰彦 / Yasuhiko ARAKAWA |
| 第 5 著者 所属（和/英） | 東京大学生産技術研究所ナノエレクトロニクス連携研究センター NCRC, IIS, University of Tokyo |
| 発表年月日 | 2004/10/15 |
| 資料番号 | ED2004-145,CPM2004-119,LQE2004-83 |
| 巻番号（vol） | vol.104 |
| 号番号（no） | 360 |
| ページ範囲 | pp.- |
| ページ数 | 6 |
| 発行日 | |