| 講演名 | 2004/10/15 GaAs上長波長帯レーザのためのGaInAsSb系量子ドットのMBE成長(化合物混晶半導体デバイス・材料(含むSiGe,ワイドギャップ半導体),一般) 宮本 智之, 松浦 哲也, 太田 征孝, 松井 康尚, 古旗 達也, 小山 二三夫, |
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| 抄録(和) | GaAs基板上で1.3-1.6μm発光する材料は,長距離光通信用面発光レーザの実現に重要である.本研究では,GaAs基板上のGaInAs量子ドットへSbを漆加することで,長波長発光および発光効率の高い量子ドットの実現の可能性を探索した.Sbをドットそのものに漆加するとドットの形成が抑制された.これは高歪量子井戸成長に見られるSbのサーファクタント効果に基づく.量子ドットのカバー層をGaInAsSbとした場合,PLの大幅な長波長化と発光効率の向上が観測された.本現象は量子ドットの長波長レーザへの適用の可能性を示すものである. |
| 抄録(英) | MBE grown (Ga)InAs quantum dots (QDs) have been investigated using antimony (Sb). The Sb introduction in dots inhibits the formation of QDs. The phenomenon is understood that Sb suppresses the 3D growth similar to the case of highly strained GaInAs QWs with Sb. On the other hand, the QD with a GaInAsSb cover layer elongated the PL wavelength and increased the intensity drastically. The result would be promising for QD lasers on a GaAs substrate for use in long-wavelength lasers and VCSELs. |
| キーワード(和) | 量子ドット / アンチモン / 長波長 / レーザ / MBE / 歪 / GaInAs / GaAs |
| キーワード(英) | Quantum dot / Antimony / long wavelength / MBE / strained material / GaInAs / GaAs |
| 資料番号 | ED2004-143,CPM2004-117,LQE2004-81 |
| 発行日 |
| 研究会情報 | |
| 研究会 | CPM |
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| 開催期間 | 2004/10/15(から1日開催) |
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| テーマ（和） | |
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| 委員長氏名（和） | |
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| 幹事氏名（和） | |
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| 幹事補佐氏名（和） | |
| 幹事補佐氏名（英） | |
| 講演論文情報詳細 | |
| 申込み研究会 | Component Parts and Materials (CPM) |
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| 本文の言語 | JPN |
| タイトル（和） | GaAs上長波長帯レーザのためのGaInAsSb系量子ドットのMBE成長(化合物混晶半導体デバイス・材料(含むSiGe,ワイドギャップ半導体),一般) |
| サブタイトル（和） | |
| タイトル（英） | MBE growth of GaInAsSb-based quantum dots for long-wavelength lasers on GaAs |
| サブタイトル（和） | |
| キーワード(1)（和/英） | 量子ドット / Quantum dot |
| キーワード(2)（和/英） | アンチモン / Antimony |
| キーワード(3)（和/英） | 長波長 / long wavelength |
| キーワード(4)（和/英） | レーザ / MBE |
| キーワード(5)（和/英） | MBE / strained material |
| キーワード(6)（和/英） | 歪 / GaInAs |
| キーワード(7)（和/英） | GaInAs / GaAs |
| キーワード(8)（和/英） | GaAs |
| 第 1 著者 氏名（和/英） | 宮本 智之 / Tomoyuki Miyamoto |
| 第 1 著者 所属（和/英） | 東京工業大学精密工学研究所附属マイクロシステム研究センター Mierosystem Research Center, P&I Lab., Tokyo Institute of Technology |
| 第 2 著者 氏名（和/英） | 松浦 哲也 / Tetsuya Matsuura |
| 第 2 著者 所属（和/英） | 東京工業大学精密工学研究所附属マイクロシステム研究センター Mierosystem Research Center, P&I Lab., Tokyo Institute of Technology |
| 第 3 著者 氏名（和/英） | 太田 征孝 / Masataka Ohta |
| 第 3 著者 所属（和/英） | 東京工業大学精密工学研究所附属マイクロシステム研究センター Mierosystem Research Center, P&I Lab., Tokyo Institute of Technology |
| 第 4 著者 氏名（和/英） | 松井 康尚 / Yasutaka Matsui |
| 第 4 著者 所属（和/英） | 東京工業大学精密工学研究所附属マイクロシステム研究センター Mierosystem Research Center, P&I Lab., Tokyo Institute of Technology |
| 第 5 著者 氏名（和/英） | 古旗 達也 / Tatsuya Furuhata |
| 第 5 著者 所属（和/英） | 東京工業大学精密工学研究所附属マイクロシステム研究センター Mierosystem Research Center, P&I Lab., Tokyo Institute of Technology |
| 第 6 著者 氏名（和/英） | 小山 二三夫 / Fumio Koyama |
| 第 6 著者 所属（和/英） | 東京工業大学精密工学研究所附属マイクロシステム研究センター Mierosystem Research Center, P&I Lab., Tokyo Institute of Technology |
| 発表年月日 | 2004/10/15 |
| 資料番号 | ED2004-143,CPM2004-117,LQE2004-81 |
| 巻番号（vol） | vol.104 |
| 号番号（no） | 360 |
| ページ範囲 | pp.- |
| ページ数 | 6 |
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