| 講演名 | 2004/10/15 不純物を抑制したMBE成長GaInNAs/GaAsレーザの特性(化合物混晶半導体デバイス・材料(含むSiGe,ワイドギャップ半導体),一般) 中原 宏治, 近藤 正彦, 藤崎 寿美子, 谷口 隆文, 田中 滋久, 工藤 真, |
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| 抄録(和) | GaInNAsの結晶成長において不純物、特に3次元成長を助長するAlの混入を抑制したGS-MBE成長装置を用いてGaInNAsレーザを作製した。クラッド層にはGaInPを適用してAl混入の可能性を低減した。しきい電流密度はAlを含む従来の素子に比べて約1/2の値を得ることができた。リッジ型レーザではAl混入の抑制と逆メサリッジ構造の電流狭窄化により通常の長波長レーザと同等レベルのしきい電流特性を得た。しかし,同一構造のGaInAsレーザに比べるとしきい電流密度,しきい電流共に特性に差があった。この差は緩和振動周波数特性からも確認することができ、不純物抑制の他にさらなる結晶性改善が必要であることがわかった。 |
| 抄録(英) | We fabricated GaInNAs lasers by using impurity-reduced GS-MBE. Aluminum, one of residual impurities, enhances three dimensional growths of GaInNAs, which should be reduced. The material of GaInP was used as the cladding layers for eliminating Aluminum. The threshold current density for this laser is about half of that for lasers that contained Aluminum. The threshold current for the GaInNAs RWG laser is almost the same range as that for the conventional long wavelength laser. However, threshold current density and threshold current for GaInNAs lasers is different from those for GaInAs lasers. The same difference is observed for relaxation oscillation frequency, It indicates the qualities of GaInNAs crystallization should be improved with the exception of reduction in residual impurities. |
| キーワード(和) | GaInNAs / GaInAs / GS-MBE / Al / しきい電流 / リッジ型レーザ |
| キーワード(英) | GaInNAs / GaInAs / GS-MBE / Al / threhold current / RWG laser |
| 資料番号 | ED2004-142,CPM2004-116,LQE2004-80 |
| 発行日 |
| 研究会情報 | |
| 研究会 | CPM |
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| 開催期間 | 2004/10/15(から1日開催) |
| 開催地（和） | |
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| テーマ（和） | |
| テーマ（英） | |
| 委員長氏名（和） | |
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| 幹事補佐氏名（和） | |
| 幹事補佐氏名（英） | |
| 講演論文情報詳細 | |
| 申込み研究会 | Component Parts and Materials (CPM) |
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| 本文の言語 | JPN |
| タイトル（和） | 不純物を抑制したMBE成長GaInNAs/GaAsレーザの特性(化合物混晶半導体デバイス・材料(含むSiGe,ワイドギャップ半導体),一般) |
| サブタイトル（和） | |
| タイトル（英） | Lasing properties of GaInNAs MQW lasers grown by impurity-reduced MBE |
| サブタイトル（和） | |
| キーワード(1)（和/英） | GaInNAs / GaInNAs |
| キーワード(2)（和/英） | GaInAs / GaInAs |
| キーワード(3)（和/英） | GS-MBE / GS-MBE |
| キーワード(4)（和/英） | Al / Al |
| キーワード(5)（和/英） | しきい電流 / threhold current |
| キーワード(6)（和/英） | リッジ型レーザ / RWG laser |
| 第 1 著者 氏名（和/英） | 中原 宏治 / Kouji Nakahara |
| 第 1 著者 所属（和/英） | 日立製作所中央研究所 Central Research Laboratory, Hitachi, Ltd. |
| 第 2 著者 氏名（和/英） | 近藤 正彦 / Masahiko Kondow |
| 第 2 著者 所属（和/英） | 日立製作所中央研究所 Central Research Laboratory, Hitachi, Ltd. |
| 第 3 著者 氏名（和/英） | 藤崎 寿美子 / Sumiko Fujisaki |
| 第 3 著者 所属（和/英） | 日立製作所中央研究所 Central Research Laboratory, Hitachi, Ltd. |
| 第 4 著者 氏名（和/英） | 谷口 隆文 / Takafumi Taniguchi |
| 第 4 著者 所属（和/英） | 日立製作所中央研究所 Central Research Laboratory, Hitachi, Ltd. |
| 第 5 著者 氏名（和/英） | 田中 滋久 / Shigehisa Tanaka |
| 第 5 著者 所属（和/英） | 日立製作所中央研究所 Central Research Laboratory, Hitachi, Ltd. |
| 第 6 著者 氏名（和/英） | 工藤 真 / Makoto Kudo |
| 第 6 著者 所属（和/英） | 日立製作所中央研究所 Central Research Laboratory, Hitachi, Ltd. |
| 発表年月日 | 2004/10/15 |
| 資料番号 | ED2004-142,CPM2004-116,LQE2004-80 |
| 巻番号（vol） | vol.104 |
| 号番号（no） | 360 |
| ページ範囲 | pp.- |
| ページ数 | 4 |
| 発行日 | |