| 講演名 | 2004/10/15 RF-MBE法による光通信波長域InGaNダブルヘテロ構造の成長(化合物混晶半導体デバイス・材料(含むSiGe,ワイドギャップ半導体),一般) 大橋 達男, 光野 徹也, 石沢 峻介, 菊池 昭彦, 岸野 克巳, |
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| 抄録(和) | 窒化物半導体であるInNの高品質化が進み、その禁制帯幅が長い間信じられてきた1.9eVよりもはるかに小さく、0.65～0.8eVであることがわかってきた。このためInNをベースとする近赤外域の光通信用デバイスなど、新しい分野への応用が期待され始めている。本研究ではRFプラズマで励起した窒素ガスを原料とする分子線エピタキシー (RF-MBE)法を用いてサファイア基板上にIII族組成を変化させて高In組成InGaNを成長し、光学特性について評価を行った。また光通信用発光デバイスの実現に向けて、高In組成InGaNを用いたダブルヘテロ構造を成長し、1.45μmにおいて井戸層からのPL発光が確認された。高In組成InGaNの多重量子井戸構造を成長し、室温PL発光波長から量子シフトも確認した。さらに、InNの屈折率を算出し、波長1.8～2.5μmにおいて2.7～2.55と見積もられた。 |
| 抄録(英) | Recently, the fundamental bandgap of InN was reported to be 0.65-0.8 eV, contrary to the previous knowledge of 1.9 eV, due to the improvement of crystal quality of InN filmes. Therfore InN will be a new material for the optical communication devices. In this study, In-rich InGaN films and double-heterostructures were grown by rf-plasma assisted molecular beam epitaxy (RE-MBE). The photoluminescence emission from well layer was observed at 1.45 μm. Furthermore, for modeling the InN-system optical waveguides, the refractive indices of InN, GaN and AlN were measured in the wavelengths range from 1.8 to 2.5 μm. The refractive indices for InN at the IR region were evaluated to be 2.7～2.55. |
| キーワード(和) | InN / InGaN / 分子線エピタキシー / ダブルヘテロ構造 / 多重量子井戸構造 / 層折率 |
| キーワード(英) | InN / InGaN / Molecular Beam Epitaxy / double- heterostructufes / refractive index |
| 資料番号 | ED2004-140,CPM2004-114,LQE2004-78 |
| 発行日 |
| 研究会情報 | |
| 研究会 | CPM |
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| 開催期間 | 2004/10/15(から1日開催) |
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| 委員長氏名（和） | |
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| 幹事補佐氏名（和） | |
| 幹事補佐氏名（英） | |
| 講演論文情報詳細 | |
| 申込み研究会 | Component Parts and Materials (CPM) |
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| 本文の言語 | JPN |
| タイトル（和） | RF-MBE法による光通信波長域InGaNダブルヘテロ構造の成長(化合物混晶半導体デバイス・材料(含むSiGe,ワイドギャップ半導体),一般) |
| サブタイトル（和） | |
| タイトル（英） | Epitaxial Growth of InGaN Double Heterostructures for Optical Communication by RF-MBE |
| サブタイトル（和） | |
| キーワード(1)（和/英） | InN / InN |
| キーワード(2)（和/英） | InGaN / InGaN |
| キーワード(3)（和/英） | 分子線エピタキシー / Molecular Beam Epitaxy |
| キーワード(4)（和/英） | ダブルヘテロ構造 / double- heterostructufes |
| キーワード(5)（和/英） | 多重量子井戸構造 / refractive index |
| キーワード(6)（和/英） | 層折率 |
| 第 1 著者 氏名（和/英） | 大橋 達男 / Tatsuo OHASHI |
| 第 1 著者 所属（和/英） | 上智大学理工学部 Faculty of Science and Technology, Sophia University |
| 第 2 著者 氏名（和/英） | 光野 徹也 / Tetsuya KOUNO |
| 第 2 著者 所属（和/英） | 上智大学理工学部 Faculty of Science and Technology, Sophia University |
| 第 3 著者 氏名（和/英） | 石沢 峻介 / Shunsuke ISHIZAWA |
| 第 3 著者 所属（和/英） | 上智大学理工学部 Faculty of Science and Technology, Sophia University |
| 第 4 著者 氏名（和/英） | 菊池 昭彦 / Akihiko KIKUCHI |
| 第 4 著者 所属（和/英） | 上智大学理工学部 Faculty of Science and Technology, Sophia University |
| 第 5 著者 氏名（和/英） | 岸野 克巳 / Katsumi KISHINO |
| 第 5 著者 所属（和/英） | 上智大学理工学部 Faculty of Science and Technology, Sophia University |
| 発表年月日 | 2004/10/15 |
| 資料番号 | ED2004-140,CPM2004-114,LQE2004-78 |
| 巻番号（vol） | vol.104 |
| 号番号（no） | 360 |
| ページ範囲 | pp.- |
| ページ数 | 5 |
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