| 講演名 | 2004/10/15 高出力AlGaN/GaNデュアルゲートHEMTミキサー(化合物混晶半導体デバイス・材料(含むSiGe,ワイドギャップ半導体),一般) 塩島 謙次, 牧村 隆司, 小杉 敏彦, 杉谷 末広, 重川 直輝, 石川 博康, 江川 孝志, |
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| 抄録(和) | SiC基板上AlGaN/GaNデュアルゲートHEMTミキサーを作製し、DC、及び変調特性を評価した。電源電圧15V、2GHzにおいて、0.7x300μm ゲートデバイスは相互コンダクタンス47mS,最大RF出力19.6dBm,変換利得11dBの特性を示した。電源電圧15V以上では、電流容量に余裕があったが、デバイス耐圧の制限により、素子が破壊した。この結果は電極間隔の最適化による耐圧の向上とゲート幅の増加で、AlGaN/GaNデュアルゲートHEMTがW級ミキサーを実現できることを示唆するものである. |
| 抄録(英) | We have demonstrated dual-gate AlGaN/GaN high-electron-mobility transistors on SiC substrates for high-power mixers and examined DC and up-conversion RF measurements with drain-source bias voltages (VDS) to analyze the possible output level. The 0.7x300 μm-gate device exhibited the maximum transconductance of 47 mS, maximum RF power of 19.6 dBm and up-conversion gain of 11 dB at 2 GHz when V_ |
| キーワード(和) | AlGaN/GaNHEMT / デュアルゲート構造 / 高出力ミキサー |
| キーワード(英) | AlGaN/GaN HEMT / Dual-gate structure / High-power mixer |
| 資料番号 | ED2004-138,CPM2004-112,LQE2004-76 |
| 発行日 |
| 研究会情報 | |
| 研究会 | CPM |
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| 開催期間 | 2004/10/15(から1日開催) |
| 開催地（和） | |
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| テーマ（和） | |
| テーマ（英） | |
| 委員長氏名（和） | |
| 委員長氏名（英） | |
| 副委員長氏名（和） | |
| 副委員長氏名（英） | |
| 幹事氏名（和） | |
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| 幹事補佐氏名（和） | |
| 幹事補佐氏名（英） | |
| 講演論文情報詳細 | |
| 申込み研究会 | Component Parts and Materials (CPM) |
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| 本文の言語 | ENG |
| タイトル（和） | 高出力AlGaN/GaNデュアルゲートHEMTミキサー(化合物混晶半導体デバイス・材料(含むSiGe,ワイドギャップ半導体),一般) |
| サブタイトル（和） | |
| タイトル（英） | High-power AlGaN/GaN dual-gate HEMT mixers |
| サブタイトル（和） | |
| キーワード(1)（和/英） | AlGaN/GaNHEMT / AlGaN/GaN HEMT |
| キーワード(2)（和/英） | デュアルゲート構造 / Dual-gate structure |
| キーワード(3)（和/英） | 高出力ミキサー / High-power mixer |
| 第 1 著者 氏名（和/英） | 塩島 謙次 / Kenji SHIOJIMA |
| 第 1 著者 所属（和/英） | 日本電信電話株式会社NTTフォトニクス研究所 NTT Corporation NTT Photonics Laboratories |
| 第 2 著者 氏名（和/英） | 牧村 隆司 / Takashi MAKIMURA |
| 第 2 著者 所属（和/英） | 名古屋工業大学極微デバイス機能システム研究センター Research Center for Nano-Device and Syatem, Nagoya Institute of Technology |
| 第 3 著者 氏名（和/英） | 小杉 敏彦 / Toshihiko KOSUGI |
| 第 3 著者 所属（和/英） | 名古屋工業大学極微デバイス機能システム研究センター Research Center for Nano-Device and Syatem, Nagoya Institute of Technology |
| 第 4 著者 氏名（和/英） | 杉谷 末広 / Suehiro SUGITANI |
| 第 4 著者 所属（和/英） | 名古屋工業大学極微デバイス機能システム研究センター Research Center for Nano-Device and Syatem, Nagoya Institute of Technology |
| 第 5 著者 氏名（和/英） | 重川 直輝 / Naoteru SHIGEKAWA |
| 第 5 著者 所属（和/英） | 名古屋工業大学極微デバイス機能システム研究センター Research Center for Nano-Device and Syatem, Nagoya Institute of Technology |
| 第 6 著者 氏名（和/英） | 石川 博康 / Hiroyasu ISHIKAWA |
| 第 6 著者 所属（和/英） | 名古屋工業大学極微デバイス機能システム研究センター Research Center for Nano-Device and Syatem, Nagoya Institute of Technology |
| 第 7 著者 氏名（和/英） | 江川 孝志 / Takashi EGAWA |
| 第 7 著者 所属（和/英） | 名古屋工業大学極微デバイス機能システム研究センター Research Center for Nano-Device and Syatem, Nagoya Institute of Technology |
| 発表年月日 | 2004/10/15 |
| 資料番号 | ED2004-138,CPM2004-112,LQE2004-76 |
| 巻番号（vol） | vol.104 |
| 号番号（no） | 360 |
| ページ範囲 | pp.- |
| ページ数 | 4 |
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