| 講演名 | 2004/10/15 AlGaN/GaN-HEMT特性におけるパッシベーション膜の影響(化合物混晶半導体デバイス・材料(含むSiGe,ワイドギャップ半導体),一般) 星 真一, 丸井 俊治, 戸田 典彦, 海部 勝晶, 見田 充郎, 佐野 芳明, 関 昇平, |
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| 抄録(和) | 高出力パワーデバイスとして期待されているAlGaN/GaN-HEMTにおいて、そのデバイス表面のSi_3N_4パッシベーション膜は、表面準位を低減させFET動作を安定化させる重要な役割を果たす。一方、パッシベーション膜の応力は、ピエゾ電荷をゲートエッジ付近に発生させFET特性に影響を与える。本稿では、パッシベーション膜の応力に注目し、AlGaN/GaN-HEMT特性への影響を調べた。応力の異なるパッシベ-ション膜をデバイスに堆積したところ、膜応力の増大によって、ゲートリーク電流が増大し、しきい値電圧(v_ | )がマイナス方向へ大きく変化する現象が観察された。この結果は, パッシベーション膜の応力が、AlGaN/GaN-HEMTを作製する上で重要な検討材料であることを示すものである。 |
| 抄録(英) | AlGaN/GaN-HEMTs are promising device for microwave high power applications. AlGaN/GaN-HEMTs passivated by dielectric films such as Si_3N_4, show good frequency characteristics and high stability. However these passivation films have elastic stresses, which shift the FET characteristics due to the piezoelectric charge density around the edge of the gate. In this paper, we have investigated the stress effects of the passivation film on AlGaN/GaN-HEMT characteristics. We found that the large passivation stress increases the gate-leakage current and changes the threshold voltage towards the negative direction. These results indicate that the control of the passivation stress is an important consideration in AlGaN/GaN-HEMT fabrication. | |
| キーワード(和) | AlGaN/GaN-HEMT / パッシベーション膜 / 応力 / ピエゾ電荷 / ゲートリーク電流 | |
| キーワード(英) | AlGaN/GaN-HEMT / passivation film / stress / piezoelectric charge / gate-leakage current | |
| 資料番号 | ED2004-137,CPM2004-111,LQE2004-75 | |
| 発行日 |
| 研究会情報 | |
| 研究会 | CPM |
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| 開催期間 | 2004/10/15(から1日開催) |
| 開催地（和） | |
| 開催地（英） | |
| テーマ（和） | |
| テーマ（英） | |
| 委員長氏名（和） | |
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| 副委員長氏名（和） | |
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| 幹事氏名（和） | |
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| 幹事補佐氏名（和） | |
| 幹事補佐氏名（英） | |
| 講演論文情報詳細 | |
| 申込み研究会 | Component Parts and Materials (CPM) |
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| 本文の言語 | JPN |
| タイトル（和） | AlGaN/GaN-HEMT特性におけるパッシベーション膜の影響(化合物混晶半導体デバイス・材料(含むSiGe,ワイドギャップ半導体),一般) |
| サブタイトル（和） | |
| タイトル（英） | Stress Effects of Passivation Film on AlGaN/GaN-HEMT Characteristics |
| サブタイトル（和） | |
| キーワード(1)（和/英） | AlGaN/GaN-HEMT / AlGaN/GaN-HEMT |
| キーワード(2)（和/英） | パッシベーション膜 / passivation film |
| キーワード(3)（和/英） | 応力 / stress |
| キーワード(4)（和/英） | ピエゾ電荷 / piezoelectric charge |
| キーワード(5)（和/英） | ゲートリーク電流 / gate-leakage current |
| 第 1 著者 氏名（和/英） | 星 真一 / Shinichi HOSHI |
| 第 1 著者 所属（和/英） | 沖電気工業研究開発本部 Corporate Research & Development Center, Oki Electric Industry Co., Ltd. |
| 第 2 著者 氏名（和/英） | 丸井 俊治 / Toshiharu MARUI |
| 第 2 著者 所属（和/英） | 沖電気工業研究開発本部 Corporate Research & Development Center, Oki Electric Industry Co., Ltd. |
| 第 3 著者 氏名（和/英） | 戸田 典彦 / Norihiko TODA |
| 第 3 著者 所属（和/英） | 沖電気工業研究開発本部 Corporate Research & Development Center, Oki Electric Industry Co., Ltd. |
| 第 4 著者 氏名（和/英） | 海部 勝晶 / Katsuaki KAIFU |
| 第 4 著者 所属（和/英） | 沖電気工業研究開発本部 Corporate Research & Development Center, Oki Electric Industry Co., Ltd. |
| 第 5 著者 氏名（和/英） | 見田 充郎 / Juro MITA |
| 第 5 著者 所属（和/英） | 沖電気工業研究開発本部 Corporate Research & Development Center, Oki Electric Industry Co., Ltd. |
| 第 6 著者 氏名（和/英） | 佐野 芳明 / Yoshiaki SANO |
| 第 6 著者 所属（和/英） | 沖電気工業研究開発本部 Corporate Research & Development Center, Oki Electric Industry Co., Ltd. |
| 第 7 著者 氏名（和/英） | 関 昇平 / Shohei SEKI |
| 第 7 著者 所属（和/英） | 沖電気工業研究開発本部 Corporate Research & Development Center, Oki Electric Industry Co., Ltd. |
| 発表年月日 | 2004/10/15 |
| 資料番号 | ED2004-137,CPM2004-111,LQE2004-75 |
| 巻番号（vol） | vol.104 |
| 号番号（no） | 360 |
| ページ範囲 | pp.- |
| ページ数 | 5 |
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