| 講演名 | 2004/10/15 低温成長GaNキャップ層を用いたAlGaN/GaN HFETの特性改善(化合物混晶半導体デバイス・材料(含むSiGe,ワイドギャップ半導体),一般) 出口 忠義, 脇 英司, 小野 悟, 中川 敦, 石川 博康, 江川 孝志, |
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| 抄録(和) | 従来のAlGaN/GaN HFETの最上層に、半絶縁性の低温成長(LT)GaNキャップ層を堆積したエピウエハを用いてHFETを作製した。このHFETは従来構造に比べ高いショットキー障壁を有しており、ゲートリーク電流を約2桁低減でき、ゲート電圧+3Vまで印加しても直線的に電流が増加した。また、ゲートパルス測定において、ドレイン電圧を40V印加しても電流コラプスを抑制できた。これらの結果から、LT-GaNキャップ層はゲート絶縁膜とパッシベーション膜の役割を併せもちリーク電流の低減と電流コラプスの抑制に効果があることを確認できた。 |
| 抄録(英) | AlGaN/GaN heterostructure field-effect transistors(HFETs) with a highly resistive low-temperature(LT) GaN cap layer on the conventional HFET epitaxial structure were fabricated. We found that this approach could significantly reduce the gate leakage current and achieve a high turn-on voltage for Schottky barrier diodes. HFETs with the LT-GaN layer showed a large gate voltage swing up to Vg=3V with higher linearity, as compared to conventional HFETs. Moreover, no current collapse was observed in the novel HFETs under pulse-mode gate stress. This results demonstrate that the application of a LT-GaN cap layer to serve as a gate insulator and to provide surface passivation is a promising technique for improving the surface stability of AlGaN/GaN HFETs. |
| キーワード(和) | AlGaN/GaN / HFET / ゲートリーク電流 / カレントコラプス / LT-GaN |
| キーワード(英) | AlGaN/GaN / HFET / gate leakage / current collapse / LT-GaN |
| 資料番号 | ED2004-136,CPM2004-110,LQE2004-74 |
| 発行日 |
| 研究会情報 | |
| 研究会 | CPM |
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| 開催期間 | 2004/10/15(から1日開催) |
| 開催地（和） | |
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| テーマ（和） | |
| テーマ（英） | |
| 委員長氏名（和） | |
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| 幹事氏名（和） | |
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| 幹事補佐氏名（和） | |
| 幹事補佐氏名（英） | |
| 講演論文情報詳細 | |
| 申込み研究会 | Component Parts and Materials (CPM) |
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| 本文の言語 | JPN |
| タイトル（和） | 低温成長GaNキャップ層を用いたAlGaN/GaN HFETの特性改善(化合物混晶半導体デバイス・材料(含むSiGe,ワイドギャップ半導体),一般) |
| サブタイトル（和） | |
| タイトル（英） | Improvement in Performance of AlGaN/GaN HFETs by utilizing a Low-Temperature GaN Cap Layer |
| サブタイトル（和） | |
| キーワード(1)（和/英） | AlGaN/GaN / AlGaN/GaN |
| キーワード(2)（和/英） | HFET / HFET |
| キーワード(3)（和/英） | ゲートリーク電流 / gate leakage |
| キーワード(4)（和/英） | カレントコラプス / current collapse |
| キーワード(5)（和/英） | LT-GaN / LT-GaN |
| 第 1 著者 氏名（和/英） | 出口 忠義 / Tadayoshi DEGUCHI |
| 第 1 著者 所属（和/英） | 新日本無線株式会社研究所 Research Laboratory, New Japan Radio Co., Ltd. |
| 第 2 著者 氏名（和/英） | 脇 英司 / Eiji WAKI |
| 第 2 著者 所属（和/英） | 新日本無線株式会社研究所 Research Laboratory, New Japan Radio Co., Ltd. |
| 第 3 著者 氏名（和/英） | 小野 悟 / Satoru ONO |
| 第 3 著者 所属（和/英） | 新日本無線株式会社研究所 Research Laboratory, New Japan Radio Co., Ltd. |
| 第 4 著者 氏名（和/英） | 中川 敦 / Atsushi NAKAGAWA |
| 第 4 著者 所属（和/英） | 新日本無線株式会社研究所 Research Laboratory, New Japan Radio Co., Ltd. |
| 第 5 著者 氏名（和/英） | 石川 博康 / Hiroyasu Ishikawa |
| 第 5 著者 所属（和/英） | 名古屋工業大学極微デバイス機能システム研究センター Research Center for Nano-Device and System, Nagoya Institute of Technology |
| 第 6 著者 氏名（和/英） | 江川 孝志 / Takashi EGAWA |
| 第 6 著者 所属（和/英） | 名古屋工業大学極微デバイス機能システム研究センター Research Center for Nano-Device and System, Nagoya Institute of Technology |
| 発表年月日 | 2004/10/15 |
| 資料番号 | ED2004-136,CPM2004-110,LQE2004-74 |
| 巻番号（vol） | vol.104 |
| 号番号（no） | 360 |
| ページ範囲 | pp.- |
| ページ数 | 5 |
| 発行日 | |