| 講演名 | 2004/10/15 中間層を用いたAlGaN/GaN HEMTエピウエハの反り低減とその特性評価(化合物混晶半導体デバイス・材料(含むSiGe,ワイドギャップ半導体),一般) 坂井 正宏, 江川 孝志, ハオ マオシェン, 石川 博康, |
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| 抄録(和) | 中間層を用いることにより,サファイア基板上に成長させたAlGaN/GaN HEMTエピウエハの反り低減を試みた。Alを含む中間層は成長温度に拘わらず反りを増加させたが, hを含む中間層,GaN低温堆積中間層は反りを低減させた。中間層を多層膜構造にすることにより更にその反り低減効果が促進され、反りが10μm以下と中間層を含まない場合に比べて約1/3にまで低減させることが出来た。加えて,中間層を用いたAlGaN/Ga NHEMT構造の結晶品質、そのデバイス特性は良好であった。エピウエハの反りを制御するためには、エピタキシャル膜の応力コントロールが重要であり、中間層は有効な手段であることが分かった。 |
| 抄録(英) | We have demonstrated the reduction of epiwafer bowing in AlGaN/GaN HEMT structures on sapphire substrates using various interlayers. The interlayers including aluminum (high-temperature-grown AlGaN and low-temperature-deposited AlN) increased the epiwafer bowing independently of the growth temperature. On the other hand, InGaN-base interlayers and low-temperature-deposited interlayers decreased the epiwafer bowing. The multilayers as interlayers are effective for enhancing the suppression of epiwafer bowing. The minimum bowing value was lower than 10 μm, which was decreased by approximately 30 percent compared with that of AlGaN/GaN epiwafers without interlayers. Strain control in the epitaxial layers is important for reducing the epiwafer bowing. The interlayer insertion method may be a good solution for reducing the epiwafer bowing. |
| キーワード(和) | 反り / エピウエハ / 中間層 / AlGaN/GaN HEMT |
| キーワード(英) | bowing / epiwafer / interlayer / AlGaN/GaN HEMT |
| 資料番号 | ED2004-135,CPM2004-109,LQE2004-73 |
| 発行日 |
| 研究会情報 | |
| 研究会 | CPM |
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| 開催期間 | 2004/10/15(から1日開催) |
| 開催地（和） | |
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| テーマ（和） | |
| テーマ（英） | |
| 委員長氏名（和） | |
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| 幹事氏名（和） | |
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| 幹事補佐氏名（和） | |
| 幹事補佐氏名（英） | |
| 講演論文情報詳細 | |
| 申込み研究会 | Component Parts and Materials (CPM) |
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| 本文の言語 | JPN |
| タイトル（和） | 中間層を用いたAlGaN/GaN HEMTエピウエハの反り低減とその特性評価(化合物混晶半導体デバイス・材料(含むSiGe,ワイドギャップ半導体),一般) |
| サブタイトル（和） | |
| タイトル（英） | Bowing Reduction in AlGaN/GaN HEMT Epiwafers Using Interlayers and its Characterization |
| サブタイトル（和） | |
| キーワード(1)（和/英） | 反り / bowing |
| キーワード(2)（和/英） | エピウエハ / epiwafer |
| キーワード(3)（和/英） | 中間層 / interlayer |
| キーワード(4)（和/英） | AlGaN/GaN HEMT / AlGaN/GaN HEMT |
| 第 1 著者 氏名（和/英） | 坂井 正宏 / Masahiro SAKAI |
| 第 1 著者 所属（和/英） | 名古屋工業大学極微デバイス機能システム研究センター:日本ガイシ(株)研究開発本部 Research Center for Nano-Device and System, Nagoya Institute of Technology:R&D Center, NGK INSULATORS, LTD. |
| 第 2 著者 氏名（和/英） | 江川 孝志 / Takashi EGAWA |
| 第 2 著者 所属（和/英） | 名古屋工業大学極微デバイス機能システム研究センター Research Center for Nano-Device and System, Nagoya Institute of Technology |
| 第 3 著者 氏名（和/英） | ハオ マオシェン / Maosheng HAO |
| 第 3 著者 所属（和/英） | 名古屋工業大学極微デバイス機能システム研究センター Research Center for Nano-Device and System, Nagoya Institute of Technology |
| 第 4 著者 氏名（和/英） | 石川 博康 / Hiroyasu ISHIKAWA |
| 第 4 著者 所属（和/英） | 名古屋工業大学極微デバイス機能システム研究センター Research Center for Nano-Device and System, Nagoya Institute of Technology |
| 発表年月日 | 2004/10/15 |
| 資料番号 | ED2004-135,CPM2004-109,LQE2004-73 |
| 巻番号（vol） | vol.104 |
| 号番号（no） | 360 |
| ページ範囲 | pp.- |
| ページ数 | 6 |
| 発行日 | |