| 講演名 | 2004/10/14 SiGe-ヘテロDTMOSの1/fノイズ特性(化合物混晶半導体デバイス・材料(含むSiGe,ワイドギャップ半導体),一般) 川島 良男, 井上 彰, 空田 晴之, 神澤 好彦, 川島 孝啓, 原 義博, 浅井 明, 高木 剛, |
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| 抄録(和) | アナログ回路やCMOSの高性能化へ向け、チャネル領域に新材料であるSiGeを用いたSiGeヘテロDTMOSを提案した。従来のSiと比べると、高い相互コンダクタンス(g_m)値を得ることができ,さらに低周波雑音を低減することができた。また、低周波雑音の発生源を明らかにし、低周波雑音の低減への手法を見出した。 |
| 抄録(英) | For realizing high performance analog CMOS, we have proposed the SiGe channel heterostructure DTMOS. It has larger transconductance (g_m) and lower low-frequency noise than those of Si-MOS. Further we have clarified the origin of low frequency noise and have found the way to reduce it. |
| キーワード(和) | SiGe / ヘテロ構造 / DTMOS / 1/fnoise |
| キーワード(英) | SiGe / heterostructure / DTMOS / l/fnoise |
| 資料番号 | ED2004-133,CPM2004-107,LQE2004-71 |
| 発行日 |
| 研究会情報 | |
| 研究会 | CPM |
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| 開催期間 | 2004/10/14(から1日開催) |
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| 委員長氏名（和） | |
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| 幹事氏名（和） | |
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| 幹事補佐氏名（和） | |
| 幹事補佐氏名（英） | |
| 講演論文情報詳細 | |
| 申込み研究会 | Component Parts and Materials (CPM) |
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| 本文の言語 | JPN |
| タイトル（和） | SiGe-ヘテロDTMOSの1/fノイズ特性(化合物混晶半導体デバイス・材料(含むSiGe,ワイドギャップ半導体),一般) |
| サブタイトル（和） | |
| タイトル（英） | Low Frequency Noise Characteristics in SiGe Channel Heterostructure Dynamic Threshold MOSFET(HDTMOS) |
| サブタイトル（和） | |
| キーワード(1)（和/英） | SiGe / SiGe |
| キーワード(2)（和/英） | ヘテロ構造 / heterostructure |
| キーワード(3)（和/英） | DTMOS / DTMOS |
| キーワード(4)（和/英） | 1/fnoise / l/fnoise |
| 第 1 著者 氏名（和/英） | 川島 良男 / Yoshio KAWASHIMA |
| 第 1 著者 所属（和/英） | 松下電器産業(株) 先行デバイス開発センター Advanced Devices Development Center, Matsushita Electric Industrial Co., Ltd. |
| 第 2 著者 氏名（和/英） | 井上 彰 / Akira INOUE |
| 第 2 著者 所属（和/英） | 松下電器産業(株) 先行デバイス開発センター Advanced Devices Development Center, Matsushita Electric Industrial Co., Ltd. |
| 第 3 著者 氏名（和/英） | 空田 晴之 / Haruyuki SORADA |
| 第 3 著者 所属（和/英） | 松下電器産業(株) 先行デバイス開発センター Advanced Devices Development Center, Matsushita Electric Industrial Co., Ltd. |
| 第 4 著者 氏名（和/英） | 神澤 好彦 / Yoshihiko KANZAWA |
| 第 4 著者 所属（和/英） | 松下電器産業(株) 先行デバイス開発センター Advanced Devices Development Center, Matsushita Electric Industrial Co., Ltd. |
| 第 5 著者 氏名（和/英） | 川島 孝啓 / Takahiro KAWASHIMA |
| 第 5 著者 所属（和/英） | 松下電器産業(株) 先行デバイス開発センター Advanced Devices Development Center, Matsushita Electric Industrial Co., Ltd. |
| 第 6 著者 氏名（和/英） | 原 義博 / Yoshihiro HARA |
| 第 6 著者 所属（和/英） | 松下電器産業(株) 通信デバイス開発センター Communication Devices Development Center, Matsushita Electric Industrial Co., Ltd. |
| 第 7 著者 氏名（和/英） | 浅井 明 / Akira ASAI |
| 第 7 著者 所属（和/英） | 松下電器産業(株) 先端技術研究所 Advanced Technology Research Laboratories, Matsushita Electric Industrial Co., Ltd. |
| 第 8 著者 氏名（和/英） | 高木 剛 / Takeshi TAKAGI |
| 第 8 著者 所属（和/英） | 松下電器産業(株) 先行デバイス開発センター Advanced Devices Development Center, Matsushita Electric Industrial Co., Ltd. |
| 発表年月日 | 2004/10/14 |
| 資料番号 | ED2004-133,CPM2004-107,LQE2004-71 |
| 巻番号（vol） | vol.104 |
| 号番号（no） | 359 |
| ページ範囲 | pp.- |
| ページ数 | 6 |
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