| 講演名 | 2004/10/14 高出力AlGaN/GaN HEMT用の非Al系オーミック電極(化合物混晶半導体デバイス・材料(含むSiGe,ワイドギャップ半導体),一般) 多木 俊裕, 金村 雅仁, 高橋 剛, 吉川 俊英, 常信 和清, 原 直紀, |
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| 抄録(和) | 高出力AlGaN/GaN HEMT用の新規オーミック電極を開発した.本電極はAlを含まない系において構成されており、極めて平坦な表面モフォロジを有することを特徴とする.またMoの接触抵抗低減効果により、HEMT構造に対する接触抵抗率(p_c)は9.1×10^<-6>Ωcm^2と従来のTi/Al系電極と同等の良好な特性が得られた.さらに本電極を用いたAlGaN/GaN HEMTにおいて210mS/mmという充分な相互コンダクタンス(g_m)を確認した. |
| 抄録(英) | We have demonstrated an Al-free Ti/Mo/Ta/Au-based n-type ohmic contact for high power AlGaN/GaN high electron mobility transistors (HEMTs). Our fabricated ohmic contact has an extremely smooth surface morphology and almost the same specific contact resistance (p_c) of 9.1 × 10^<-6> Ωcm^2 as conventional Ti/Al-based contacts. We have found that Mo, which is generally inserted as a barrier layer, has the effect of reducing contact resistance. Moreover, we have applied this ohmic technique to fabricate an AlGaN/GaN HEMT and obtained sufficient transconductance (g_m) of 210 mS/mm. |
| キーワード(和) | GaN / AlGaN / HEMT / FET / オーミック |
| キーワード(英) | GaN / AlGaN / HEMT / FET / ohmic |
| 資料番号 | ED2004-132,CPM2004-106,LQE2004-70 |
| 発行日 |
| 研究会情報 | |
| 研究会 | CPM |
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| 開催期間 | 2004/10/14(から1日開催) |
| 開催地（和） | |
| 開催地（英） | |
| テーマ（和） | |
| テーマ（英） | |
| 委員長氏名（和） | |
| 委員長氏名（英） | |
| 副委員長氏名（和） | |
| 副委員長氏名（英） | |
| 幹事氏名（和） | |
| 幹事氏名（英） | |
| 幹事補佐氏名（和） | |
| 幹事補佐氏名（英） | |
| 講演論文情報詳細 | |
| 申込み研究会 | Component Parts and Materials (CPM) |
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| 本文の言語 | JPN |
| タイトル（和） | 高出力AlGaN/GaN HEMT用の非Al系オーミック電極(化合物混晶半導体デバイス・材料(含むSiGe,ワイドギャップ半導体),一般) |
| サブタイトル（和） | |
| タイトル（英） | Al-Free n-Type Ohmic Contact for AlGaN/GaN Power HEMTs |
| サブタイトル（和） | |
| キーワード(1)（和/英） | GaN / GaN |
| キーワード(2)（和/英） | AlGaN / AlGaN |
| キーワード(3)（和/英） | HEMT / HEMT |
| キーワード(4)（和/英） | FET / FET |
| キーワード(5)（和/英） | オーミック / ohmic |
| 第 1 著者 氏名（和/英） | 多木 俊裕 / Toshihiro OHKI |
| 第 1 著者 所属（和/英） | 富士通研究所 Fujitsu Laboratories Ltd. |
| 第 2 著者 氏名（和/英） | 金村 雅仁 / Masahito KANAMURA |
| 第 2 著者 所属（和/英） | 富士通研究所 Fujitsu Laboratories Ltd. |
| 第 3 著者 氏名（和/英） | 高橋 剛 / Tsuyoshi TAKAHASHI |
| 第 3 著者 所属（和/英） | 富士通研究所 Fujitsu Laboratories Ltd. |
| 第 4 著者 氏名（和/英） | 吉川 俊英 / Toshihide KIKKAWA |
| 第 4 著者 所属（和/英） | 富士通研究所 Fujitsu Laboratories Ltd. |
| 第 5 著者 氏名（和/英） | 常信 和清 / Kazukiyo JOSHIN |
| 第 5 著者 所属（和/英） | 富士通研究所 Fujitsu Laboratories Ltd. |
| 第 6 著者 氏名（和/英） | 原 直紀 / Naoki HARA |
| 第 6 著者 所属（和/英） | 富士通研究所 Fujitsu Laboratories Ltd. |
| 発表年月日 | 2004/10/14 |
| 資料番号 | ED2004-132,CPM2004-106,LQE2004-70 |
| 巻番号（vol） | vol.104 |
| 号番号（no） | 359 |
| ページ範囲 | pp.- |
| ページ数 | 4 |
| 発行日 | |