| 講演名 | 2004/10/14 RF-MBE法を用いたN極性GaN上へのInNドット成長の観察 : N極性InNドット成長メカニズムの考察(化合物混晶半導体デバイス・材料(含むSiGe,ワイドギャップ半導体),一般) 橋本 直樹, 菊川 直博, 崔 成伯, 石谷 善博, 吉川 明彦, |
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| 抄録(和) | 我々は、MBE法を用いてN極性GaN上にInNを成長し、N極性InNドットの成長メカニズムについて調査した。RHEED観察によりInN層の格子緩和はN-rich条件において約1MLの成長で起きることがわかった。またAFM観察より、格子緩和後(1.74ML)の成長表面に直径12～18nm(平均15.8nm)、高さ約0.3～1.6nm(平均1.00nm)のInNドットの形成が見られた。これらのドットは成長表面全体に見られ、密度は3.8×10^<11>cm^<-2>と高い値を示した。またInNドットの成長について、InNドット同士の融合が起きるまでは主に高さ方向に成長し、成長温度が高い場合、表面マイグレーションの増加によりInNドットが大きくなることもわかった。 |
| 抄録(英) | We grew InN dots on N-polar GaN by RF-MBE, and investigated their growth mechanism. From RHEED analysis of InN growth, we found that lattice relaxation of InN layer, which was grown under N-rich condition, occurred at almost 1ML. AFM image after 1.74ML growth of InN showed uniformly formation of InN dots. Moreover diameter, height and density of them were estimated to be 12-18nm (average: 15.8nm), 0.3-1.6nm (average: 1.00nm) and 3.8×10^<11>cm^<-2>, respectively. Height of InN dots increased with InN layer thickness, but diameter of them didn't increase until coalescence of InN dots occurred. The size of InN dot became big under higher growth temperature because of enhancement of surface migration. |
| キーワード(和) | 窒化インジウム / 量子ドット / RF-MBE / RHEED / AFM |
| キーワード(英) | Indium nitride / Quantum dot / RF-MBE / RHEED / AFM |
| 資料番号 | ED2004-131,CPM2004-105,LQE2004-69 |
| 発行日 |
| 研究会情報 | |
| 研究会 | CPM |
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| 開催期間 | 2004/10/14(から1日開催) |
| 開催地（和） | |
| 開催地（英） | |
| テーマ（和） | |
| テーマ（英） | |
| 委員長氏名（和） | |
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| 副委員長氏名（和） | |
| 副委員長氏名（英） | |
| 幹事氏名（和） | |
| 幹事氏名（英） | |
| 幹事補佐氏名（和） | |
| 幹事補佐氏名（英） | |
| 講演論文情報詳細 | |
| 申込み研究会 | Component Parts and Materials (CPM) |
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| 本文の言語 | JPN |
| タイトル（和） | RF-MBE法を用いたN極性GaN上へのInNドット成長の観察 : N極性InNドット成長メカニズムの考察(化合物混晶半導体デバイス・材料(含むSiGe,ワイドギャップ半導体),一般) |
| サブタイトル（和） | |
| タイトル（英） | Observation of InN dots on N-polar GaN grown by RF-MBE : Investigation of growth mechanism of N-polar InN dots growth |
| サブタイトル（和） | |
| キーワード(1)（和/英） | 窒化インジウム / Indium nitride |
| キーワード(2)（和/英） | 量子ドット / Quantum dot |
| キーワード(3)（和/英） | RF-MBE / RF-MBE |
| キーワード(4)（和/英） | RHEED / RHEED |
| キーワード(5)（和/英） | AFM / AFM |
| 第 1 著者 氏名（和/英） | 橋本 直樹 / Naoki HASHIMOTO |
| 第 1 著者 所属（和/英） | 千葉大学工学部:JST-CREST千葉大学InNプロジェクト Department of Engineering, Chiba University:InN-Project as CREST-program of JST, Chiba University |
| 第 2 著者 氏名（和/英） | 菊川 直博 / Naohiro KIKUKAWA |
| 第 2 著者 所属（和/英） | 千葉大学工学部 Department of Engineering, Chiba University |
| 第 3 著者 氏名（和/英） | 崔 成伯 / Song-Bek CHE |
| 第 3 著者 所属（和/英） | 千葉大学工学部:千葉大学VBL:JST-CREST千葉大学InNプロジェクト Department of Engineering, Chiba University:VBL, Chiba University:InN-Project as CREST-program of JST, Chiba University |
| 第 4 著者 氏名（和/英） | 石谷 善博 / Yoshihiro ISHITANI |
| 第 4 著者 所属（和/英） | 千葉大学工学部:千葉大学VBL:JST-CREST千葉大学InNプロジェクト Department of Engineering, Chiba University:VBL, Chiba University:InN-Project as CREST-program of JST, Chiba University |
| 第 5 著者 氏名（和/英） | 吉川 明彦 / Akihiko YOSHIKAWA |
| 第 5 著者 所属（和/英） | 千葉大学工学部:千葉大学VBL:JST-CREST千葉大学InNプロジェクト Department of Engineering, Chiba University:VBL, Chiba University:InN-Project as CREST-program of JST, Chiba University |
| 発表年月日 | 2004/10/14 |
| 資料番号 | ED2004-131,CPM2004-105,LQE2004-69 |
| 巻番号（vol） | vol.104 |
| 号番号（no） | 359 |
| ページ範囲 | pp.- |
| ページ数 | 5 |
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