| 講演名 | 2004/10/14 その場観察分光エリプソメトリーによるRF-MBE成長InNの成長表面ストイキオメトリー制御(化合物混晶半導体デバイス・材料(含むSiGe,ワイドギャップ半導体),一般) 吉谷 昌慶, 赤坂 康一郎, 崔 成伯, 王 新強, 石谷 善博, 吉川 明彦, |
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| 抄録(和) | 高品質InN結晶を得るためにはInNの分解温度を考慮しつつ可能な限り高温で成長することが望ましいと考えられる.このような条件下ではInN成長表面の厳密なv/III族供給比制御が不可欠である.本研究ではRF-MBE成長InNの表面ストイキオメトリー状態をその場観察分光エリプソメトリーを用いて観測した.得られた擬誘電関数<ε>は成長表面状態とV/III族供給比に強く依存しており,これらの測定結果から表面ストイキオメトリー状態を実時間で評価できた.この実時間制御法は,高品質かつ厚膜(5ミクロン以上)InN結晶を得る上で非常に有効な手法だった. |
| 抄録(英) | In order to obtain a high quality InN film, higher temperature growth is preferable with considering decomposition temperature of InN, which is estimated to be about 600℃. Under this condition, a V/III ratio during the InN growth should be precisely controlled to keep the Stoichiometry condition. In this study, we investigated surface states of InN epitaxial layers by using the in-situ Spectroscopic ellipsometry (SE). Pseudo-dielectric function <ε> strongly depended on surface states and V/III ratios. This real time SE monitoring was very useful to control the surface state and to obtain high quality and thick (over 5 μm) InN crystals. |
| キーワード(和) | InN / 分光エリプソメトリー / 表面ストイキオメトリー / RF-MBE |
| キーワード(英) | InN / Spectroscopic ellipsometry / Surface Stoichiometry / RF-MBE |
| 資料番号 | ED2004-129,CPM2004-103,LQE2004-67 |
| 発行日 |
| 研究会情報 | |
| 研究会 | CPM |
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| 開催期間 | 2004/10/14(から1日開催) |
| 開催地（和） | |
| 開催地（英） | |
| テーマ（和） | |
| テーマ（英） | |
| 委員長氏名（和） | |
| 委員長氏名（英） | |
| 副委員長氏名（和） | |
| 副委員長氏名（英） | |
| 幹事氏名（和） | |
| 幹事氏名（英） | |
| 幹事補佐氏名（和） | |
| 幹事補佐氏名（英） | |
| 講演論文情報詳細 | |
| 申込み研究会 | Component Parts and Materials (CPM) |
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| 本文の言語 | JPN |
| タイトル（和） | その場観察分光エリプソメトリーによるRF-MBE成長InNの成長表面ストイキオメトリー制御(化合物混晶半導体デバイス・材料(含むSiGe,ワイドギャップ半導体),一般) |
| サブタイトル（和） | |
| タイトル（英） | Surface Stoichiometry Control of InN Grown by RF-MBE Using In-situ Spectroscopic Ellipsometry |
| サブタイトル（和） | |
| キーワード(1)（和/英） | InN / InN |
| キーワード(2)（和/英） | 分光エリプソメトリー / Spectroscopic ellipsometry |
| キーワード(3)（和/英） | 表面ストイキオメトリー / Surface Stoichiometry |
| キーワード(4)（和/英） | RF-MBE / RF-MBE |
| 第 1 著者 氏名（和/英） | 吉谷 昌慶 / Masayoshi YOSHITANI |
| 第 1 著者 所属（和/英） | 千葉大学工学部 Department of Electronics and Mechanical Engineering, Chiba University |
| 第 2 著者 氏名（和/英） | 赤坂 康一郎 / Koichiro AKASAKA |
| 第 2 著者 所属（和/英） | 千葉大学工学部 Department of Electronics and Mechanical Engineering, Chiba University |
| 第 3 著者 氏名（和/英） | 崔 成伯 / Song-Bek CHE |
| 第 3 著者 所属（和/英） | 千葉大学工学部:千葉大学VBL:JST-CREST千葉大学InNプロジェクト Department of Electronics and Mechanical Engineering, Chiba University:Chiba University-VBL:InN-Project as a CREST program of JST, Chiba University |
| 第 4 著者 氏名（和/英） | 王 新強 / Xinqiang WANG |
| 第 4 著者 所属（和/英） | 千葉大学VBL:JST-CREST千葉大学InNプロジェクト Chiba University-VBL:InN-Project as a CREST program of JST, Chiba University |
| 第 5 著者 氏名（和/英） | 石谷 善博 / Yoshihiro ISHITANI |
| 第 5 著者 所属（和/英） | 千葉大学工学部:千葉大学VBL:JST-CREST千葉大学InNプロジェクト Department of Electronics and Mechanical Engineering, Chiba University:Chiba University-VBL:InN-Project as a CREST program of JST, Chiba University |
| 第 6 著者 氏名（和/英） | 吉川 明彦 / Akihiko YOSHIKAWA |
| 第 6 著者 所属（和/英） | 千葉大学工学部:千葉大学VBL:JST-CREST千葉大学InNプロジェクト Department of Electronics and Mechanical Engineering, Chiba University:Chiba University-VBL:InN-Project as a CREST program of JST, Chiba University |
| 発表年月日 | 2004/10/14 |
| 資料番号 | ED2004-129,CPM2004-103,LQE2004-67 |
| 巻番号（vol） | vol.104 |
| 号番号（no） | 359 |
| ページ範囲 | pp.- |
| ページ数 | 4 |
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