| 講演名 | 2004/10/14 ECR-MBE法を用いたSapphire(0001)基板上InN薄膜成長(化合物混晶半導体デバイス・材料(含むSiGe,ワイドギャップ半導体),一般) 淀 徳男, 田本 清温, 嶋田 照也, 二口 博行, 藤井 洋平, 真岡 岳史, 原田 義之, |
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| 抄録(和) | InNはIII族窒化物半導体の中で最も電子の有効質量が小さく、その電子移動度やドリフト飽和速度が最も大きいことから高速電子デバイス用材料として注目されていた。また、InNは最近までそのバンドギャップエネルギーは1.9eVと考えられていたが、近年InNの結晶成長技術の向上により結晶性の良い六方晶InN単結晶が作製されるようになり、そのバンドギャップエネルギーは0.8eV以下とする報告が多くの研究機閑からなされ、近赤外域領域の発光素子材料としても見直され始めている。我々はこれまでIII-V族窒化物半導体による低価格フルカラー発光デバイス実現のためSi(111)just基板上にInN薄膜を成長させてきた。しかし、それだけではバンドギャップエネルギーおよび、キャリア濃度の正確な算出は困難である。そこで、今回我々はSapphire(0001)just基板上にInN薄膜の成長を試みた。 |
| 抄録(英) | Hexagonal InN has been recently given much attention as a material for high-speed electron device because of the smallest effective electron mass, highest electron mobility and drift velocity of III-nitride semiconductors. Although the band-gap energy has been long believed to be 1.9 eV, it has been recently reported by many researchers that it was below 0.8 eV, accompanied by drastic improvement of growth techniques and reconsidered as a material of near-far infrared light emitting devices (LEDs). We have grown InN films on Si(111) substrates for developing low-cost full-color LED. However, it was difficult to estimate both band-gap energy and carrier concentration because of conductive Si substrate. In this technical report, we have grown InN films on insulating sapphire(0001) substrates and estimated the film characteristics. |
| キーワード(和) | 六方晶InN / ECRプラズマ励起MBE法 / サファイヤ基板 / In極性 |
| キーワード(英) | Hexagonal InN / ECR-plasma assisted MBE / Sapphire(0001) substrate / In-polar plane |
| 資料番号 | ED2004-128,CPM2004-102,LQE2004-66 |
| 発行日 |
| 研究会情報 | |
| 研究会 | CPM |
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| 開催期間 | 2004/10/14(から1日開催) |
| 開催地（和） | |
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| テーマ（和） | |
| テーマ（英） | |
| 委員長氏名（和） | |
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| 幹事氏名（和） | |
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| 幹事補佐氏名（和） | |
| 幹事補佐氏名（英） | |
| 講演論文情報詳細 | |
| 申込み研究会 | Component Parts and Materials (CPM) |
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| 本文の言語 | JPN |
| タイトル（和） | ECR-MBE法を用いたSapphire(0001)基板上InN薄膜成長(化合物混晶半導体デバイス・材料(含むSiGe,ワイドギャップ半導体),一般) |
| サブタイトル（和） | |
| タイトル（英） | InN films on Sapphire(0001) substrate grown by ECR-plasma assisted MBE |
| サブタイトル（和） | |
| キーワード(1)（和/英） | 六方晶InN / Hexagonal InN |
| キーワード(2)（和/英） | ECRプラズマ励起MBE法 / ECR-plasma assisted MBE |
| キーワード(3)（和/英） | サファイヤ基板 / Sapphire(0001) substrate |
| キーワード(4)（和/英） | In極性 / In-polar plane |
| 第 1 著者 氏名（和/英） | 淀 徳男 / Tokuo YODO |
| 第 1 著者 所属（和/英） | 大阪工業大学工学部電子情報通信工学科 Electronics, Information and Communication Engineering, Osaka Institute of Technology |
| 第 2 著者 氏名（和/英） | 田本 清温 / Kiyonaga TAMOTO |
| 第 2 著者 所属（和/英） | 大阪工業大学工学部電子情報通信工学科 Electronics, Information and Communication Engineering, Osaka Institute of Technology |
| 第 3 著者 氏名（和/英） | 嶋田 照也 / Teruya SHIMADA |
| 第 3 著者 所属（和/英） | 大阪工業大学工学部電子情報通信工学科 Electronics, Information and Communication Engineering, Osaka Institute of Technology |
| 第 4 著者 氏名（和/英） | 二口 博行 / Hiroyuki NIGUCHI |
| 第 4 著者 所属（和/英） | 大阪工業大学工学部電子情報通信工学科 Electronics, Information and Communication Engineering, Osaka Institute of Technology |
| 第 5 著者 氏名（和/英） | 藤井 洋平 / Youhei FUJII |
| 第 5 著者 所属（和/英） | 大阪工業大学工学部電子情報通信工学科 Electronics, Information and Communication Engineering, Osaka Institute of Technology |
| 第 6 著者 氏名（和/英） | 真岡 岳史 / Takefumi MAOKA |
| 第 6 著者 所属（和/英） | 大阪工業大学工学部電子情報通信工学科 Electronics, Information and Communication Engineering, Osaka Institute of Technology |
| 第 7 著者 氏名（和/英） | 原田 義之 / Yoshiyuki HARADA |
| 第 7 著者 所属（和/英） | 大阪工業大学工学部一般教育科 Applied Physics, Osaka Institute of Technology |
| 発表年月日 | 2004/10/14 |
| 資料番号 | ED2004-128,CPM2004-102,LQE2004-66 |
| 巻番号（vol） | vol.104 |
| 号番号（no） | 359 |
| ページ範囲 | pp.- |
| ページ数 | 6 |
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