| 講演名 | 2004/10/14 高分解能ラザフォード後方散乱法によるInGaN極薄膜の評価(化合物混晶半導体デバイス・材料(含むSiGe,ワイドギャップ半導体),一般) 倉井 聡, 作田 寛明, 山中 良友, 田口 常正, |
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| 抄録(和) | RF-MBE法により作製したInGaN極薄膜(3nm)中のIn原子の熱拡散について、高分解能ラザフォード後方散乱法を用いて直接的に深さ方向In組成分布を観測することにより、評価を行った。その結果、875℃で熱処理を行うことにより、InGaN極薄膜が分解することが分かった。GaNキャップ層を堆積することにより、InGaN極薄膜の分解は抑制されたが、InGaN層厚の増加と同時に、GaNキャップ層厚の減少が確認された。これはGaNキャップ層へのIn原子の拡散が生じたことを示唆しており、これよりIn原子のGaN中拡散係数はおおよそ3.8×10^<-18>cm^2/sと見積もられた。 |
| 抄録(英) | Thermal diffusion of In atoms in InGaN ultra-thin films of the thickness of 3 nm, which were grown by RF-MBE, was directly observed by the high-resolution Rutherford backscattering spectrometry. As the result, InGaN ultra-thin films decomposed by post-growth thermal annealing at 875℃ for lOmin, but remained by covering with GaN capping layers. However the decomposition of InGaN was suppressed by the capping layer, the thickness of InGaN with post-growth thermal annealing increased comparing with that before annealing; On the contrary, the thickness of the cap-GaN layer decreased. This result indicates that diffusion of In atoms occurred at GaN/InGaN interface. The diffusion coefficient was estimated to be approximately 3.8 × 10^<18> cm^2/s. |
| キーワード(和) | 高分解能ラザフォード後方散乱法 / RF-MBE法 / InGaN / 熱拡散 / 拡散係数 |
| キーワード(英) | high-resolution Rutherford backscattering spectrometry / RF-MBE / InGaN / thermal diffusion / diffusion coefficient |
| 資料番号 | ED2004-126,CPM2004-100,LQE2004-64 |
| 発行日 |
| 研究会情報 | |
| 研究会 | CPM |
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| 開催期間 | 2004/10/14(から1日開催) |
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| 委員長氏名（和） | |
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| 幹事氏名（和） | |
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| 幹事補佐氏名（和） | |
| 幹事補佐氏名（英） | |
| 講演論文情報詳細 | |
| 申込み研究会 | Component Parts and Materials (CPM) |
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| 本文の言語 | JPN |
| タイトル（和） | 高分解能ラザフォード後方散乱法によるInGaN極薄膜の評価(化合物混晶半導体デバイス・材料(含むSiGe,ワイドギャップ半導体),一般) |
| サブタイトル（和） | |
| タイトル（英） | Study on InGaN ultra-thin films by high-resolution Rutherford backscattering spectrometry |
| サブタイトル（和） | |
| キーワード(1)（和/英） | 高分解能ラザフォード後方散乱法 / high-resolution Rutherford backscattering spectrometry |
| キーワード(2)（和/英） | RF-MBE法 / RF-MBE |
| キーワード(3)（和/英） | InGaN / InGaN |
| キーワード(4)（和/英） | 熱拡散 / thermal diffusion |
| キーワード(5)（和/英） | 拡散係数 / diffusion coefficient |
| 第 1 著者 氏名（和/英） | 倉井 聡 / Satoshi KURAI |
| 第 1 著者 所属（和/英） | 山口大学工学部 Faculty of Engineering, Yamaguchi University |
| 第 2 著者 氏名（和/英） | 作田 寛明 / Hiroaki SAKUTA |
| 第 2 著者 所属（和/英） | 山口大学工学部 Faculty of Engineering, Yamaguchi University |
| 第 3 著者 氏名（和/英） | 山中 良友 / Yoshitomo YAMANAKA |
| 第 3 著者 所属（和/英） | 山口大学工学部 Faculty of Engineering, Yamaguchi University |
| 第 4 著者 氏名（和/英） | 田口 常正 / Tsunemasa TAGUCHI |
| 第 4 著者 所属（和/英） | 山口大学工学部 Faculty of Engineering, Yamaguchi University |
| 発表年月日 | 2004/10/14 |
| 資料番号 | ED2004-126,CPM2004-100,LQE2004-64 |
| 巻番号（vol） | vol.104 |
| 号番号（no） | 359 |
| ページ範囲 | pp.- |
| ページ数 | 4 |
| 発行日 | |