| 講演名 | 2004/10/14 容量DLTS法によるAlGaN中のディープレベルの評価(化合物混晶半導体デバイス・材料(含むSiGe,ワイドギャップ半導体),一般) 大坂 次郎, 西浦 政人, 沖野 徹, 大野 雄高, 岸本 茂, 前澤 宏一, 水谷 孝, |
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| 抄録(和) | GaN系半導体材料は次世代高性能電子デバイスへの応用が期待されており,結晶性がデバイス特性に与える影響について研究が盛んに行われている.しかし,ヘテロ構造作成に不可欠なAlGaNについては結晶性に関する一つの指標であるディープレベルに関する報告例がない.本報告では,HVPE法によりサファイヤ上に成長されたAlxGal-xN(;x=0.09および0.17)を用いて容量DLTS法により評価したAlGaN中のディープレベルについてGaN中のディープレベル(文献)と比較した結果を報告する.検討の結果,AlGaN中には3種の代表的ディープレベルが存在し,それらの電気的特性はAl組成変化によって徐々に変化することを始めて見出した. |
| 抄録(英) | GaN-related compound semiconductors are expected to be used for future high-performance electron devices, and much studies of the effects of crystal quality on device characteristics are now on progress. However, there is no report on the deep levels, which is an indicator of crystal quality, of AlGaN which is indispensable to form hetero-structures. In this paper, we studied deep levels in HVPE-grown AlxGal-xN (; x =0.09 and 0.17) by using capacitance-DLTS method, for the first time to our knowledge. We found that there are three typical deep levels in AlGaN and that their characteristics depend on the Al content. |
| キーワード(和) | AlGaN / DLTS / ディープレベル / HVPE / ショットキーダイオード |
| キーワード(英) | AlGaN / DLTS / Deep Level / HVPE / Schottki Diode |
| 資料番号 | ED2004-125,CPM2004-99,LQE2004-63 |
| 発行日 |
| 研究会情報 | |
| 研究会 | CPM |
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| 開催期間 | 2004/10/14(から1日開催) |
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| テーマ（和） | |
| テーマ（英） | |
| 委員長氏名（和） | |
| 委員長氏名（英） | |
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| 副委員長氏名（英） | |
| 幹事氏名（和） | |
| 幹事氏名（英） | |
| 幹事補佐氏名（和） | |
| 幹事補佐氏名（英） | |
| 講演論文情報詳細 | |
| 申込み研究会 | Component Parts and Materials (CPM) |
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| 本文の言語 | JPN |
| タイトル（和） | 容量DLTS法によるAlGaN中のディープレベルの評価(化合物混晶半導体デバイス・材料(含むSiGe,ワイドギャップ半導体),一般) |
| サブタイトル（和） | |
| タイトル（英） | Evaluation of deep levels in AlGaN on sapphire by Capacitance DLTS |
| サブタイトル（和） | |
| キーワード(1)（和/英） | AlGaN / AlGaN |
| キーワード(2)（和/英） | DLTS / DLTS |
| キーワード(3)（和/英） | ディープレベル / Deep Level |
| キーワード(4)（和/英） | HVPE / HVPE |
| キーワード(5)（和/英） | ショットキーダイオード / Schottki Diode |
| 第 1 著者 氏名（和/英） | 大坂 次郎 / Jiro OSAKA |
| 第 1 著者 所属（和/英） | 名古屋大学工学部 School of Engineering, Nagoya University |
| 第 2 著者 氏名（和/英） | 西浦 政人 / Masato NISHIURA |
| 第 2 著者 所属（和/英） | 名古屋大学工学部 School of Engineering, Nagoya University |
| 第 3 著者 氏名（和/英） | 沖野 徹 / Toru OKINO |
| 第 3 著者 所属（和/英） | 名古屋大学工学部 School of Engineering, Nagoya University |
| 第 4 著者 氏名（和/英） | 大野 雄高 / Yutaka OHNO |
| 第 4 著者 所属（和/英） | 名古屋大学工学部 School of Engineering, Nagoya University |
| 第 5 著者 氏名（和/英） | 岸本 茂 / Shigeru KISHIMOTO |
| 第 5 著者 所属（和/英） | 名古屋大学工学部 School of Engineering, Nagoya University |
| 第 6 著者 氏名（和/英） | 前澤 宏一 / Kouichi MAEZAWA |
| 第 6 著者 所属（和/英） | 名古屋大学工学部 School of Engineering, Nagoya University |
| 第 7 著者 氏名（和/英） | 水谷 孝 / Takashi MIZUTANI |
| 第 7 著者 所属（和/英） | 名古屋大学工学部 School of Engineering, Nagoya University |
| 発表年月日 | 2004/10/14 |
| 資料番号 | ED2004-125,CPM2004-99,LQE2004-63 |
| 巻番号（vol） | vol.104 |
| 号番号（no） | 359 |
| ページ範囲 | pp.- |
| ページ数 | 4 |
| 発行日 | |