| 講演名 | 2004/10/14 高Alモル分率AlGaNへのMgドーピング効果(化合物混晶半導体デバイス・材料(含むSiGe,ワイドギャップ半導体),一般) 大西 孝, 石賀 章, 劉 玉懐, 柴田 智彦, 田中 光浩, 三宅 秀人, 平松 和政, |
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| 抄録(和) | AlGaNのp型伝導性制御にはMgドーピングが必要であるが、AlGaNの高Alモル分率化に伴うMgの活性化エネルギーの増大により低抵抗p型AlGaNの作製は困難であり、Mg涼加効果については明らかになっていない。本研究では、減圧MOVPE法によりAlNエピタキシャル膜を下地基板として用いてMg-doped AlGaNを成長し、その結晶性や光学特性などの評価を行った。Mgドーピング量の増加に伴いXRC-FWHMは増加した。またCLスペクトルからはMgドーピングによる深い準位に関する発光が確認された。 |
| 抄録(英) | p-type conductivity control of AlGaN needs Mg-doping, but it is difficult to fabricate low resistance p-type AlGaN because the higher Al mole fraction in AlGaN is, the larger Mg activation energy becomes. Therefore, Mg-doping influence of AlGaN with high Al mole fraction is not well understood. In this study, epitaxial AlN film was used as the substrate for the growth of Mg-doped AlGaN by low-pressure MOVPE. Crystallinity, optical property and other property were characterized. XRC-FWHM values of this experimental AlGaN increased with the flow of Cp_2Mg. And the emission peak concerned with deep level by Mg-doping was observed in CL spectra. |
| キーワード(和) | AlGaN / GaN / AlN / LP-MOVPE / Mg |
| キーワード(英) | AlGaN / GaN / AlN / LP-MOVPE / Mg |
| 資料番号 | ED2004-124,CPM2004-98,LQE2004-62 |
| 発行日 |
| 研究会情報 | |
| 研究会 | CPM |
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| 開催期間 | 2004/10/14(から1日開催) |
| 開催地（和） | |
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| テーマ（和） | |
| テーマ（英） | |
| 委員長氏名（和） | |
| 委員長氏名（英） | |
| 副委員長氏名（和） | |
| 副委員長氏名（英） | |
| 幹事氏名（和） | |
| 幹事氏名（英） | |
| 幹事補佐氏名（和） | |
| 幹事補佐氏名（英） | |
| 講演論文情報詳細 | |
| 申込み研究会 | Component Parts and Materials (CPM) |
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| 本文の言語 | JPN |
| タイトル（和） | 高Alモル分率AlGaNへのMgドーピング効果(化合物混晶半導体デバイス・材料(含むSiGe,ワイドギャップ半導体),一般) |
| サブタイトル（和） | |
| タイトル（英） | Mg-doping influence in AlGaN with high Al mole fraction |
| サブタイトル（和） | |
| キーワード(1)（和/英） | AlGaN / AlGaN |
| キーワード(2)（和/英） | GaN / GaN |
| キーワード(3)（和/英） | AlN / AlN |
| キーワード(4)（和/英） | LP-MOVPE / LP-MOVPE |
| キーワード(5)（和/英） | Mg / Mg |
| 第 1 著者 氏名（和/英） | 大西 孝 / Takashi Ohnishi |
| 第 1 著者 所属（和/英） | 三重大学工学部電気電子工学科 Faculty of Eng., Mie University |
| 第 2 著者 氏名（和/英） | 石賀 章 / Akira Ishiga |
| 第 2 著者 所属（和/英） | 三重大学工学部電気電子工学科 Faculty of Eng., Mie University |
| 第 3 著者 氏名（和/英） | 劉 玉懐 / Yuhuai Liu |
| 第 3 著者 所属（和/英） | 三重大学工学部SVBL Satellite Venture Business Lab., Mie University |
| 第 4 著者 氏名（和/英） | 柴田 智彦 / Tomohiko Shibata |
| 第 4 著者 所属（和/英） | 日本ガイシ(株) NGK Insulators, Ltd. |
| 第 5 著者 氏名（和/英） | 田中 光浩 / Mitsuhiro Tanaka |
| 第 5 著者 所属（和/英） | 日本ガイシ(株) NGK Insulators, Ltd. |
| 第 6 著者 氏名（和/英） | 三宅 秀人 / Hideto Miyake |
| 第 6 著者 所属（和/英） | 三重大学工学部電気電子工学科 Faculty of Eng., Mie University |
| 第 7 著者 氏名（和/英） | 平松 和政 / Kazumasa Hiramatsu |
| 第 7 著者 所属（和/英） | 三重大学工学部電気電子工学科 Faculty of Eng., Mie University |
| 発表年月日 | 2004/10/14 |
| 資料番号 | ED2004-124,CPM2004-98,LQE2004-62 |
| 巻番号（vol） | vol.104 |
| 号番号（no） | 359 |
| ページ範囲 | pp.- |
| ページ数 | 5 |
| 発行日 | |