| 講演名 | 2004/10/14 分子線エピタキシーにより作製したn-GaN/p-SiCヘテロ接合ダイオードの電気的特性(化合物混晶半導体デバイス・材料(含むSiGe,ワイドギャップ半導体),一般) 中野 佑紀, 須田 淳, 木本 恒暢, |
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| 抄録(和) | 4H-SiC(0001)Si南上へのGaNの直接成長と、n-GaN/p-SiCヘテロ接合ダイオードの電気的特性に関して報告する。GaNはrfプラズマ援用分子線エピタキシー法により成長した。基板は、[11-20]方向に8°オフした4H-SiC(0001)基板を用いた。SiC上に直接成長したGaNの表面モフォロジーは波打っており、最大30nm程度の起伏がある荒れた表面であった。ステップバンチングが見られ、[11-20]から±30°ずれた[01-10]と[10-10]方向にステップが向く傾向が見られた。成長温度を下げることにより比較的平坦な表面が得られるものの,最大高低差は3nmであった。波打った表面は依然として観測された。高温と低温で成長したGaNを用いて,メサ型ダイオードを作製した。成長条件とダイオードの電気的特性との相関について議論する。 |
| 抄録(英) | Direct growth of GaN on misoriented 4H- and 6H-SiC (0001) Si-face substrates and electrical characteristics of n-GaN/p-SiC heterojunction mesa diodes are presented. GaN was grown by molecular-beam epitaxy (MBE) using elemental Ga and rf plasma-excited active nitrogen. SiC substrates misoriented 8° toward the [11-20] direction were used in this study. The surfaces of MBE-grown GaN layers have wavy features with peak-to-valley height of 30 nm. It was found that step bunching and large faceting toward [01-10] and [10-10] directions occurred during the growth of GaN. Lowering the growth temperature suppresses large faceting, and results in reduction of the peak-to-valley height to 3 nm. However, the surface still has the same undulating features (on a smaller length scale). Mesa diodes were fabricated from the grown GaN layers. The correlation between the diode electrical characteristics and GaN growth conditions is discussed. |
| キーワード(和) | MBE / GaN / SiC / ヘテロ接合ダイオード |
| キーワード(英) | MBE / GaN / SiC / heterojunction diode |
| 資料番号 | ED2004-123,CPM2004-97,LQE2004-61 |
| 発行日 |
| 研究会情報 | |
| 研究会 | CPM |
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| 開催期間 | 2004/10/14(から1日開催) |
| 開催地（和） | |
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| テーマ（和） | |
| テーマ（英） | |
| 委員長氏名（和） | |
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| 副委員長氏名（英） | |
| 幹事氏名（和） | |
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| 幹事補佐氏名（和） | |
| 幹事補佐氏名（英） | |
| 講演論文情報詳細 | |
| 申込み研究会 | Component Parts and Materials (CPM) |
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| 本文の言語 | JPN |
| タイトル（和） | 分子線エピタキシーにより作製したn-GaN/p-SiCヘテロ接合ダイオードの電気的特性(化合物混晶半導体デバイス・材料(含むSiGe,ワイドギャップ半導体),一般) |
| サブタイトル（和） | |
| タイトル（英） | Electrical Characteristics of GaN/SiC Heterojunction diodes by molecular-beam epitaxy |
| サブタイトル（和） | |
| キーワード(1)（和/英） | MBE / MBE |
| キーワード(2)（和/英） | GaN / GaN |
| キーワード(3)（和/英） | SiC / SiC |
| キーワード(4)（和/英） | ヘテロ接合ダイオード / heterojunction diode |
| 第 1 著者 氏名（和/英） | 中野 佑紀 / Yuki NAKANO |
| 第 1 著者 所属（和/英） | 京大院・工 Department of Electronic Science and Engineering, Kyoto University |
| 第 2 著者 氏名（和/英） | 須田 淳 / Jun SUDA |
| 第 2 著者 所属（和/英） | JSTさきがけ PRESTO, Japan Science and Technology Agency |
| 第 3 著者 氏名（和/英） | 木本 恒暢 / Tsunenobu KIMOTO |
| 第 3 著者 所属（和/英） | 京大院・工 Department of Electronic Science and Engineering, Kyoto University |
| 発表年月日 | 2004/10/14 |
| 資料番号 | ED2004-123,CPM2004-97,LQE2004-61 |
| 巻番号（vol） | vol.104 |
| 号番号（no） | 359 |
| ページ範囲 | pp.- |
| ページ数 | 6 |
| 発行日 | |