| 講演名 | 2004/10/14 p型GaNの成長圧力依存性(化合物混晶半導体デバイス・材料(含むSiGe,ワイドギャップ半導体),一般) 生方 映徳, 徳永 裕樹, 矢野 良樹, 阿久津 仲男, 松本 功, 山崎 利明, |
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| 抄録(和) | MOVPE装置を用いて成長した、成長圧力の異なるMgドープGaNの材料特性について調べた。大気圧成長p-GaNは減圧成長(300torr)のサンプルに比べて、一桁以上ホールキャリアが低くなった。断面透過電子顕微鏡(TEM)像では、深さ方向に周期的にInversion Domain Boundary Defects(IDE)と思われる逆三角型の構造欠陥が観察された。これらの構造欠陥の現れる領域の断面カソードルミネッセンス測定ではDA発光強度が強くなる傾向が観察されたことから、同時にドナー性の点欠陥も誘起されていると考えられる。これらの結果は圧力を下げる程、ホールキャリアが少なくなる結果と合致するかもしれない。 |
| 抄録(英) | We investigated the effect of growth pressure on material properties of Mg-doped GaN. We found that the hole carrier concentration of p-type GaN grown at 300 Torr was more than one order of magnitude lower than that of p-type GaN grown at atmospheric pressure. In cross-sectional TEM observation, pyramidal defects were observed periodically. These defects were supposed to be inversion domains boundary defects. In this area, strong donor-acceptor emission peaks were observed in CL spectra. It indicates that the donor-like point defects were also generated, associated with IDB. These results may correspond to the electrical properties of p-GaN grown with different growth pressure. |
| キーワード(和) | Mg doping / point defect / inversion domain / MOVPE / atmospheric pressure growth |
| キーワード(英) | Mg doping / point defect / inversion domain / MOVPE / atmospheric pressure growth |
| 資料番号 | ED2004-122,CPM2004-96,LQE2004-60 |
| 発行日 |
| 研究会情報 | |
| 研究会 | CPM |
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| 開催期間 | 2004/10/14(から1日開催) |
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| テーマ（和） | |
| テーマ（英） | |
| 委員長氏名（和） | |
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| 幹事氏名（和） | |
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| 幹事補佐氏名（和） | |
| 幹事補佐氏名（英） | |
| 講演論文情報詳細 | |
| 申込み研究会 | Component Parts and Materials (CPM) |
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| 本文の言語 | JPN |
| タイトル（和） | p型GaNの成長圧力依存性(化合物混晶半導体デバイス・材料(含むSiGe,ワイドギャップ半導体),一般) |
| サブタイトル（和） | |
| タイトル（英） | The Effect of Growth Pressure on material properties of p-type GaN |
| サブタイトル（和） | |
| キーワード(1)（和/英） | Mg doping / Mg doping |
| キーワード(2)（和/英） | point defect / point defect |
| キーワード(3)（和/英） | inversion domain / inversion domain |
| キーワード(4)（和/英） | MOVPE / MOVPE |
| キーワード(5)（和/英） | atmospheric pressure growth / atmospheric pressure growth |
| 第 1 著者 氏名（和/英） | 生方 映徳 / Akinori Ubukata |
| 第 1 著者 所属（和/英） | 日本酸素株式会社化合物プロジェクト部 Compound Semiconductor Project, NIPPON SANSO Corporation |
| 第 2 著者 氏名（和/英） | 徳永 裕樹 / Hiroki Tokunaga |
| 第 2 著者 所属（和/英） | 日本酸素株式会社化合物プロジェクト部 Compound Semiconductor Project, NIPPON SANSO Corporation |
| 第 3 著者 氏名（和/英） | 矢野 良樹 / Yoshiki Yano |
| 第 3 著者 所属（和/英） | 日本酸素株式会社化合物プロジェクト部 Compound Semiconductor Project, NIPPON SANSO Corporation |
| 第 4 著者 氏名（和/英） | 阿久津 仲男 / Nakao Akutsu |
| 第 4 著者 所属（和/英） | 日本酸素株式会社化合物プロジェクト部 Compound Semiconductor Project, NIPPON SANSO Corporation |
| 第 5 著者 氏名（和/英） | 松本 功 / Koh Matsumoto |
| 第 5 著者 所属（和/英） | 日本酸素株式会社化合物プロジェクト部 Compound Semiconductor Project, NIPPON SANSO Corporation |
| 第 6 著者 氏名（和/英） | 山崎 利明 / Toshiaki Yamazaki |
| 第 6 著者 所属（和/英） | 日本酸素株式会社化合物プロジェクト部 Compound Semiconductor Project, NIPPON SANSO Corporation |
| 発表年月日 | 2004/10/14 |
| 資料番号 | ED2004-122,CPM2004-96,LQE2004-60 |
| 巻番号（vol） | vol.104 |
| 号番号（no） | 359 |
| ページ範囲 | pp.- |
| ページ数 | 4 |
| 発行日 | |