| 講演名 | 2004/10/14 ハイドライド気相成長法によるAl系窒化物の高速成長 : AlNのHVPE成長は可能か?(化合物混晶半導体デバイス・材料(含むSiGe,ワイドギャップ半導体),一般) 熊谷 義直, 纐纈 明伯, |
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| 抄録(和) | AlNのハイドライド気相成長(HVPE)の実現のため,石英反応管と反応しない三塩化アルミニウム(AlCl_3)が金属AlとHClガスとの反応で優先発生する条件を熱力学解析および実際の反応実験から検討した.Al原料部を500℃程度の低温に保持することで,キャリアガスによらずAlCl_3が優先発生することが分かった.この結果を基にAlCl_3とNH_3を原料とするAlNのHVPE装置を構築し,サファイア基板上に1100℃でAlN成長を試みた.AlCl_3供給分圧2.0×10^<-3>atm,V/III比2の条件でAlNが最高122μm/hの速度で成長した. |
| 抄録(英) | In order to achieve hydride vapor phase epitaxy (HVPE) of AlN, a thermodynamic analysis and a preliminary experiment targeting preferential generation of AlCl_3, which does not react with quartz (SiO_2) reactor, by the reaction between Al metal and HCl gas at the Al source zone were performed. Regardless of the H_2 mole fraction in the carrier gas, preferential generation of AlCl_3 is possible by maintaining the source zone at approximately 500℃. Based on this finding, AlN was grown on sapphire substrates at 1100℃ using AlCl_3 and NH_3. The growth rate reached 122 μm/h at AlCl_3 input partial pressure of 2.0×10^<-3> atm and input V/III ratio of 2. |
| キーワード(和) | AlN / HVPE / AlCl_3 / 石英反応管 / 熱力学解析 / 高速成長 |
| キーワード(英) | AlN / HVPE / AlCl_3 / Quartz Reactor / Thermodynamic Analysis / High Growth Rate |
| 資料番号 | ED2004-121,CPM2004-95,LQE2004-59 |
| 発行日 |
| 研究会情報 | |
| 研究会 | CPM |
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| 開催期間 | 2004/10/14(から1日開催) |
| 開催地（和） | |
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| テーマ（英） | |
| 委員長氏名（和） | |
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| 幹事補佐氏名（和） | |
| 幹事補佐氏名（英） | |
| 講演論文情報詳細 | |
| 申込み研究会 | Component Parts and Materials (CPM) |
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| 本文の言語 | JPN |
| タイトル（和） | ハイドライド気相成長法によるAl系窒化物の高速成長 : AlNのHVPE成長は可能か?(化合物混晶半導体デバイス・材料(含むSiGe,ワイドギャップ半導体),一般) |
| サブタイトル（和） | |
| タイトル（英） | Hydride Vapor Phase Epitaxy of Al-Containing Nitrides with High Growth Rate : Is It Possible to Grow AlN by Hydride Vapor Phase Epitaxy? |
| サブタイトル（和） | |
| キーワード(1)（和/英） | AlN / AlN |
| キーワード(2)（和/英） | HVPE / HVPE |
| キーワード(3)（和/英） | AlCl_3 / AlCl_3 |
| キーワード(4)（和/英） | 石英反応管 / Quartz Reactor |
| キーワード(5)（和/英） | 熱力学解析 / Thermodynamic Analysis |
| キーワード(6)（和/英） | 高速成長 / High Growth Rate |
| 第 1 著者 氏名（和/英） | 熊谷 義直 / Yoshinao KUMAGAI |
| 第 1 著者 所属（和/英） | 東京農工大学大学院工学系 Department of Applied Chemistry, Tokyo University of Agriculture and Technology |
| 第 2 著者 氏名（和/英） | 纐纈 明伯 / Akinori KOUKITU |
| 第 2 著者 所属（和/英） | 東京農工大学大学院工学系 Department of Applied Chemistry, Tokyo University of Agriculture and Technology |
| 発表年月日 | 2004/10/14 |
| 資料番号 | ED2004-121,CPM2004-95,LQE2004-59 |
| 巻番号（vol） | vol.104 |
| 号番号（no） | 359 |
| ページ範囲 | pp.- |
| ページ数 | 6 |
| 発行日 | |