| 講演名 | 2004/10/14 凹凸AlN基板を用いた低転位密度AlGaNのMOVPE成長(化合物混晶半導体デバイス・材料(含むSiGe,ワイドギャップ半導体),一般) 石賀 章, 大西 孝, 劉 玉懐, 原口 雅也, 桑野 範之, 柴田 智彦, 田中 光浩, 三宅 秀人, 平松 和政, |
|---|---|
| PDFダウンロードページ | PDFダウンロードページへ |
| 抄録(和) | 深紫外域用の受発光デバイスにおいて、高AlNモル分率かつ低転位密度AlGaN膜が必要である。連続な斜面凹凸のあるエピタキシャルAlN基板を下地として用いて、減圧MOVPE法によりAlGaNを成長し、表面全面で転位密度の低減を行った。得られたAlGaNはクラックフリーで、AlNモル分率は0.51であり、AFM像から表面で明瞭な原子ステップを確認することができた。またCL測定からAlGaNの転位密度は8.8×10^7であり、従来の平坦なAlNエピタキシャル基板を下地として用いたAlGaNよりも転位密度は2桁程度低減した。以上より連続な斜面凹凸のあるエピタキシャルAlN基板を下地とすることによりAlGaNの転位密度低減が可能であるといえる。 |
| 抄録(英) | AlGaN with high AlN molar fraction and low dislocation density is necessary for fabricating deep -UV emitters and detectors. In this study, the reduction of dislocation density of AlGaN in the whole area of surface was achieved by low-pressure MOVPE using continuous rugged epitaxial AlN substrate. The AlN molar fraction of the crack-free AlGaN is 0.51, and atomic steps in the surface are clearly observed by AFM. In addition, the dislocation density is estimated to be 8.8×10^7cm^<-2> from CL measurement, which is two orders lower than that of AlGaN grown on flat AlN epitaxial layer. The above results indicate that the dislocation density of AlGaN can be reduced greatly by adopting rugged AlN epitaxial substrate with continuous inclined facet. |
| キーワード(和) | AlGaN / GaN / AlN / LP-MOVPE / エピタキシャルAlN |
| キーワード(英) | AlGaN / GaN / GaN / LP-MOVPE / epitaxial AlN film |
| 資料番号 | ED2004-120,CPM2004-94,LQE2004-58 |
| 発行日 |
| 研究会情報 | |
| 研究会 | CPM |
|---|---|
| 開催期間 | 2004/10/14(から1日開催) |
| 開催地（和） | |
| 開催地（英） | |
| テーマ（和） | |
| テーマ（英） | |
| 委員長氏名（和） | |
| 委員長氏名（英） | |
| 副委員長氏名（和） | |
| 副委員長氏名（英） | |
| 幹事氏名（和） | |
| 幹事氏名（英） | |
| 幹事補佐氏名（和） | |
| 幹事補佐氏名（英） | |
| 講演論文情報詳細 | |
| 申込み研究会 | Component Parts and Materials (CPM) |
|---|---|
| 本文の言語 | JPN |
| タイトル（和） | 凹凸AlN基板を用いた低転位密度AlGaNのMOVPE成長(化合物混晶半導体デバイス・材料(含むSiGe,ワイドギャップ半導体),一般) |
| サブタイトル（和） | |
| タイトル（英） | MOVPE growth of AlGaN with low dislocation density using rugged AlN epilayer |
| サブタイトル（和） | |
| キーワード(1)（和/英） | AlGaN / AlGaN |
| キーワード(2)（和/英） | GaN / GaN |
| キーワード(3)（和/英） | AlN / GaN |
| キーワード(4)（和/英） | LP-MOVPE / LP-MOVPE |
| キーワード(5)（和/英） | エピタキシャルAlN / epitaxial AlN film |
| 第 1 著者 氏名（和/英） | 石賀 章 / Akira ISHIGA |
| 第 1 著者 所属（和/英） | 三重大学工学部電気電子工学科 Faculty of Eng., Mie University |
| 第 2 著者 氏名（和/英） | 大西 孝 / Takashi ONISHI |
| 第 2 著者 所属（和/英） | 三重大学工学部電気電子工学科 Faculty of Eng., Mie University |
| 第 3 著者 氏名（和/英） | 劉 玉懐 / Yuhuai LIU |
| 第 3 著者 所属（和/英） | 三重大学SVBL Satellite Venture Business Lab., Mie University |
| 第 4 著者 氏名（和/英） | 原口 雅也 / Masaya HARAGUCHI |
| 第 4 著者 所属（和/英） | 九州大学総合理工学府 Interdisciplinary Graduate School of Engineering Sciences, Kyusyu University |
| 第 5 著者 氏名（和/英） | 桑野 範之 / Noriyuki KUWANO |
| 第 5 著者 所属（和/英） | 九州大学産学連携センター Art, Science and Technology Center for Cooperative Reserch, Kyusyu University |
| 第 6 著者 氏名（和/英） | 柴田 智彦 / Tomohiko SHIBATA |
| 第 6 著者 所属（和/英） | 日本ガイシ(株) NGK Insulators, Ltd. |
| 第 7 著者 氏名（和/英） | 田中 光浩 / Mitsuhiro TANAKA |
| 第 7 著者 所属（和/英） | 日本ガイシ(株) NGK Insulators, Ltd. |
| 第 8 著者 氏名（和/英） | 三宅 秀人 / Hideto MIYAKE |
| 第 8 著者 所属（和/英） | 三重大学工学部電気電子工学科 Faculty of Eng., Mie University |
| 第 9 著者 氏名（和/英） | 平松 和政 / Kazumasa HIRAMATSU |
| 第 9 著者 所属（和/英） | 三重大学工学部電気電子工学科 Faculty of Eng., Mie University |
| 発表年月日 | 2004/10/14 |
| 資料番号 | ED2004-120,CPM2004-94,LQE2004-58 |
| 巻番号（vol） | vol.104 |
| 号番号（no） | 359 |
| ページ範囲 | pp.- |
| ページ数 | 4 |
| 発行日 | |