| 講演名 | 2004/10/14 CS-MBE法によるAl基板上低温堆積GaN薄膜の製作(化合物混晶半導体デバイス・材料(含むSiGe,ワイドギャップ半導体),一般) 江川 慎一, 本田 徹, 長谷川 文夫, 川西 英雄, |
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| 抄録(和) | 化合物原料分子線エピタキシー(CS-MBE)法はGaNの低温堆積に有効な方法である.これまで,ガラス基板上に堆積させた非晶質GaN薄膜を用いてGaN系エレクトロルミネッセントデバイス(ELDs)の製作を行ってきた.しかし素子の寿命に問題があった.今回,熱伝導性の良いAlを基板に着目した.CS-MBE技術を用いてAl基板上に非晶質GaN薄膜の低温堆積を行った.Al基板を使用することによりGlass基板と比較してELDsの発光寿命の向上が見られた.また,Al基板上のGaN薄膜の表面平坦性について低温堆積バッファ層の導入によって薄膜の表面平坦性の改善が見られた. |
| 抄録(英) | Compound source molecular beam Epitaxy (CS-MBE) is one of the techniques to achieve a low-temperature deposition of amorphous GaN (a-GaN) films. Amorphous GaN Films are deposited on Al substrates by CS-MBE and are applied to GaN-based electroluminescent devices (ELDs) operating in UV/blue spectral regions. The Al substrates have a high thermal conductivity, which leads to the long-lifetime operation of GaN-based ELDs. The ELDs fabricated on Al substrates show a longer lifetime than that of the ELDs on glass substrates. It is due to a good thermal conductivity of Al substrates compared with Glass substrates. The introduction of a buffer layer deposited at RT improves the surface smoothness of a-GaN films. |
| キーワード(和) | GaN / 非晶質 / 低温堆積 / 化合物原料分子線堆積法 |
| キーワード(英) | GaN / Amorphous / Low-temperature deposition / MBE |
| 資料番号 | ED2004-119,CPM2004-93,LQE2004-57 |
| 発行日 |
| 研究会情報 | |
| 研究会 | CPM |
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| 開催期間 | 2004/10/14(から1日開催) |
| 開催地（和） | |
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| テーマ（英） | |
| 委員長氏名（和） | |
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| 幹事氏名（和） | |
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| 幹事補佐氏名（和） | |
| 幹事補佐氏名（英） | |
| 講演論文情報詳細 | |
| 申込み研究会 | Component Parts and Materials (CPM) |
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| 本文の言語 | JPN |
| タイトル（和） | CS-MBE法によるAl基板上低温堆積GaN薄膜の製作(化合物混晶半導体デバイス・材料(含むSiGe,ワイドギャップ半導体),一般) |
| サブタイトル（和） | |
| タイトル（英） | Amorphous GaN Films Deposited on Al substrates by CS-MBE at Low Temperature |
| サブタイトル（和） | |
| キーワード(1)（和/英） | GaN / GaN |
| キーワード(2)（和/英） | 非晶質 / Amorphous |
| キーワード(3)（和/英） | 低温堆積 / Low-temperature deposition |
| キーワード(4)（和/英） | 化合物原料分子線堆積法 / MBE |
| 第 1 著者 氏名（和/英） | 江川 慎一 / S. EGAWA |
| 第 1 著者 所属（和/英） | 工学院大学工学部電子工学科 Dept. of Electronic Engineering, Kogakuin University |
| 第 2 著者 氏名（和/英） | 本田 徹 / T. HONDA |
| 第 2 著者 所属（和/英） | 工学院大学工学部電子工学科 Dept. of Electronic Engineering, Kogakuin University |
| 第 3 著者 氏名（和/英） | 長谷川 文夫 / H. HASEGAWA |
| 第 3 著者 所属（和/英） | 工学院大学工学部電子工学科 Dept. of Electronic Engineering, Kogakuin University |
| 第 4 著者 氏名（和/英） | 川西 英雄 / H. KAWANISHI |
| 第 4 著者 所属（和/英） | 工学院大学工学部電子工学科 Dept. of Electronic Engineering, Kogakuin University |
| 発表年月日 | 2004/10/14 |
| 資料番号 | ED2004-119,CPM2004-93,LQE2004-57 |
| 巻番号（vol） | vol.104 |
| 号番号（no） | 359 |
| ページ範囲 | pp.- |
| ページ数 | 4 |
| 発行日 | |