| 講演名 | 2004/10/14 Si(111)基板へのGaNの低温化による影響(化合物混晶半導体デバイス・材料(含むSiGe,ワイドギャップ半導体),一般) 淀 徳男, 福山 高章, 渕上 紘志, |
|---|---|
| PDFダウンロードページ | PDFダウンロードページへ |
| 抄録(和) | ECRプラズマ励起MBE法を用いてSi(111)基板上へGaNの成長を行い、成長プロセスの低温化を検討した。Si基板の化学エッチング法として、石坂法よりもRCA法の方がより薄膜の結晶性が改善され、アニール温度の低温化が可能であった。また、AlNバッファ層の成長温度を500℃まで下げてもその上に成長したGaNの膜質に影響ないことがわかった。窒素分子イオンによるダメージに関係した391nmの窒素プラズマ発光強度依存性の実験から、この発光強度を強めた方がより低温でGaN薄膜の結晶性が改善された。今後、低温化のプロセスで更なる膜質の向上を狙うためには、391nmの窒素プラズマ発光強度を増加させ、最適なV/III比の条件を詰める必要がある。 |
| 抄録(英) | We grew GaN films on Si(111) substrates by ECR-plasma assisted MBE and investigated the optimum low temperature growth process of GaN. We found that RCA method was superior to lshizaka method as chemical etching of Si substrate before growth. AlN buffer layer grown at temperatures higher than 500℃ improved the crystalline quality of GaN films. The strong 391 nm-nitrogen plasma emission intensity also improved it greatly for low temperature growth process. The control of this 391 nm-nitrogen plasma emission intensity and the increase of V/III mole ratio during growth are key factors for low temperature growth process. |
| キーワード(和) | GaN / ECRプラズマ励起MBE法 / プロセスの低温化 / Si(111)基板 / AlNバッファ層 |
| キーワード(英) | GaN / ECR-plasma assisted MBE / low temperature growthprocess / Si(111) substrate / AlN buffer layer |
| 資料番号 | ED2004-118,CPM2004-92,LQE2004-56 |
| 発行日 |
| 研究会情報 | |
| 研究会 | CPM |
|---|---|
| 開催期間 | 2004/10/14(から1日開催) |
| 開催地（和） | |
| 開催地（英） | |
| テーマ（和） | |
| テーマ（英） | |
| 委員長氏名（和） | |
| 委員長氏名（英） | |
| 副委員長氏名（和） | |
| 副委員長氏名（英） | |
| 幹事氏名（和） | |
| 幹事氏名（英） | |
| 幹事補佐氏名（和） | |
| 幹事補佐氏名（英） | |
| 講演論文情報詳細 | |
| 申込み研究会 | Component Parts and Materials (CPM) |
|---|---|
| 本文の言語 | JPN |
| タイトル（和） | Si(111)基板へのGaNの低温化による影響(化合物混晶半導体デバイス・材料(含むSiGe,ワイドギャップ半導体),一般) |
| サブタイトル（和） | |
| タイトル（英） | The influence of low temperature growth of GaN on Si(111) substrates |
| サブタイトル（和） | |
| キーワード(1)（和/英） | GaN / GaN |
| キーワード(2)（和/英） | ECRプラズマ励起MBE法 / ECR-plasma assisted MBE |
| キーワード(3)（和/英） | プロセスの低温化 / low temperature growthprocess |
| キーワード(4)（和/英） | Si(111)基板 / Si(111) substrate |
| キーワード(5)（和/英） | AlNバッファ層 / AlN buffer layer |
| 第 1 著者 氏名（和/英） | 淀 徳男 / Tokuo YODO |
| 第 1 著者 所属（和/英） | 大阪工業大学工学部電子情報通信工学科 Electronics, Information and Communication Engineering, Osaka Institute of Technology |
| 第 2 著者 氏名（和/英） | 福山 高章 / Takaaki FUKUYAMA |
| 第 2 著者 所属（和/英） | 大阪工業大学工学部電子情報通信工学科 Electronics, Information and Communication Engineering, Osaka Institute of Technology |
| 第 3 著者 氏名（和/英） | 渕上 紘志 / Hiroshi FUCHIGAMI |
| 第 3 著者 所属（和/英） | 大阪工業大学工学部電子情報通信工学科 Electronics, Information and Communication Engineering, Osaka Institute of Technology |
| 発表年月日 | 2004/10/14 |
| 資料番号 | ED2004-118,CPM2004-92,LQE2004-56 |
| 巻番号（vol） | vol.104 |
| 号番号（no） | 359 |
| ページ範囲 | pp.- |
| ページ数 | 6 |
| 発行日 | |