| 講演名 | 2004/10/14 様々な面の4H-SiC上へのGaN結晶成長(化合物混晶半導体デバイス・材料(含むSiGe,ワイドギャップ半導体),一般) 三宅 泰人, 本塩 彰, 北野 司, 井村 将隆, 仲野 清孝, 春日井 秀紀, 川島 毅士, 飯田 一喜, 岩谷 素顕, 上山 智, 天野 浩, 赤崎 勇, 木下 博之, 塩見 弘, |
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| 抄録(和) | 本研究では、MOVPE法を用いて、様々な面の4H-SiC基板上にGaNを成長させ,その結晶方位、表面平坦性、結晶性などについて研究を行った。その結果、実験を行った全ての面方位で基板とGaNのc軸の方位はそろって成長し、単結晶が得られた。また、X線回折によるGaN(0002)、(101^-0)のモザイク性は、 c軸候斜角に大きく依存していた。また、AlGaNのAlNモル分率や成長速度も依存することがわかった。 |
| 抄録(英) | MOVPE growth of GaN and AlGaN on 4H-SiC having different planes were conducted. X-ray diffraction measurements showed that the GaN axis is exactly aligned with that of the SiC substrates. Strong dependence was observed for the FWHMs of X-ray rocking curves of GaN (0002) and (112^-0) diffraction on the tilting of the crystal planes. |
| キーワード(和) | 4H-SIC / c軸傾斜 / GaN / X線回折 / AlGaN |
| キーワード(英) | c axis inclination / GaN / XRD / AlGaN |
| 資料番号 | ED2004-117,CPM2004-91,LQE2004-55 |
| 発行日 |
| 研究会情報 | |
| 研究会 | CPM |
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| 開催期間 | 2004/10/14(から1日開催) |
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| 幹事氏名（和） | |
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| 幹事補佐氏名（和） | |
| 幹事補佐氏名（英） | |
| 講演論文情報詳細 | |
| 申込み研究会 | Component Parts and Materials (CPM) |
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| 本文の言語 | JPN |
| タイトル（和） | 様々な面の4H-SiC上へのGaN結晶成長(化合物混晶半導体デバイス・材料(含むSiGe,ワイドギャップ半導体),一般) |
| サブタイトル（和） | |
| タイトル（英） | Growth of GaN on 4H-SiC with different crystal planes |
| サブタイトル（和） | |
| キーワード(1)（和/英） | 4H-SIC / c axis inclination |
| キーワード(2)（和/英） | c軸傾斜 / GaN |
| キーワード(3)（和/英） | GaN / XRD |
| キーワード(4)（和/英） | X線回折 / AlGaN |
| キーワード(5)（和/英） | AlGaN |
| 第 1 著者 氏名（和/英） | 三宅 泰人 / Yasuto MIYAKE |
| 第 1 著者 所属（和/英） | 名城大学理工学研究科、21世紀COEプログラムナノファクトリー Faculty of Science and Technology, 2 1 st Century COE "Nano-Factory", Meijo University |
| 第 2 著者 氏名（和/英） | 本塩 彰 / Akira HONSHIO |
| 第 2 著者 所属（和/英） | 名城大学理工学研究科、21世紀COEプログラムナノファクトリー Faculty of Science and Technology, 2 1 st Century COE "Nano-Factory", Meijo University |
| 第 3 著者 氏名（和/英） | 北野 司 / Tsukasa KITANO |
| 第 3 著者 所属（和/英） | 名城大学理工学研究科、21世紀COEプログラムナノファクトリー Faculty of Science and Technology, 2 1 st Century COE "Nano-Factory", Meijo University |
| 第 4 著者 氏名（和/英） | 井村 将隆 / Masataka IMURA |
| 第 4 著者 所属（和/英） | 名城大学理工学研究科、21世紀COEプログラムナノファクトリー Faculty of Science and Technology, 2 1 st Century COE "Nano-Factory", Meijo University |
| 第 5 著者 氏名（和/英） | 仲野 清孝 / Kiyotaka NAKANO |
| 第 5 著者 所属（和/英） | 名城大学理工学研究科、21世紀COEプログラムナノファクトリー Faculty of Science and Technology, 2 1 st Century COE "Nano-Factory", Meijo University |
| 第 6 著者 氏名（和/英） | 春日井 秀紀 / Hideki KASUGAI |
| 第 6 著者 所属（和/英） | 名城大学理工学研究科、21世紀COEプログラムナノファクトリー Faculty of Science and Technology, 2 1 st Century COE "Nano-Factory", Meijo University |
| 第 7 著者 氏名（和/英） | 川島 毅士 / Takeshi KAWASHIMA |
| 第 7 著者 所属（和/英） | 名城大学理工学研究科、21世紀COEプログラムナノファクトリー Faculty of Science and Technology, 2 1 st Century COE "Nano-Factory", Meijo University |
| 第 8 著者 氏名（和/英） | 飯田 一喜 / Kazuyoshi IIDA |
| 第 8 著者 所属（和/英） | 名城大学理工学研究科、21世紀COEプログラムナノファクトリー Faculty of Science and Technology, 2 1 st Century COE "Nano-Factory", Meijo University |
| 第 9 著者 氏名（和/英） | 岩谷 素顕 / Motoaki IWAYA |
| 第 9 著者 所属（和/英） | 名城大学理工学研究科、21世紀COEプログラムナノファクトリー Faculty of Science and Technology, 2 1 st Century COE "Nano-Factory", Meijo University |
| 第 10 著者 氏名（和/英） | 上山 智 / Satoshi KAMIYAMA |
| 第 10 著者 所属（和/英） | 名城大学理工学研究科、21世紀COEプログラムナノファクトリー Faculty of Science and Technology, 2 1 st Century COE "Nano-Factory", Meijo University |
| 第 11 著者 氏名（和/英） | 天野 浩 / Hiroshi AMANO |
| 第 11 著者 所属（和/英） | 名城大学理工学研究科、21世紀COEプログラムナノファクトリー Faculty of Science and Technology, 2 1 st Century COE "Nano-Factory", Meijo University |
| 第 12 著者 氏名（和/英） | 赤崎 勇 / Isamu AKASAKI |
| 第 12 著者 所属（和/英） | 名城大学理工学研究科、21世紀COEプログラムナノファクトリー Faculty of Science and Technology, 2 1 st Century COE "Nano-Factory", Meijo University |
| 第 13 著者 氏名（和/英） | 木下 博之 / Hiroyuki KINOSHITA |
| 第 13 著者 所属（和/英） | (株)シタスオン SiXON Limited |
| 第 14 著者 氏名（和/英） | 塩見 弘 / Hiromu SHIOMI |
| 第 14 著者 所属（和/英） | (株)シタスオン SiXON Limited |
| 発表年月日 | 2004/10/14 |
| 資料番号 | ED2004-117,CPM2004-91,LQE2004-55 |
| 巻番号（vol） | vol.104 |
| 号番号（no） | 359 |
| ページ範囲 | pp.- |
| ページ数 | 5 |
| 発行日 | |