| 講演名 | 2004/10/14 サファイアR面オフ基板上に作製したIII族窒化物半導体 : 基板オフ角依存性(化合物混晶半導体デバイス・材料(含むSiGe,ワイドギャップ半導体),一般) 本塩 彰, 井村 将隆, 飯田 一喜, 三宅 泰人, 春日井 秀紀, 川島 毅士, 津田 道信, 岩谷 素顕, 上山 智, 天野 浩, 赤崎 勇, |
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| 抄録(和) | 従来、サファイアR面基板上にGaNを成長させる場合、結晶性が比較的良好でかつ平坦な膜を得るために数十μm程度の厚膜成長が必要であった。本報告では、サファイア基板のオフ角を制御することによって、薄膜でも結晶性・平坦性の改善が可能であることを見出したので報告する。 |
| 抄録(英) | Formerly, it was necessary to grow thick layers to obtain high quality GaN with a flat surface on R-plane sapphire substrate. We found that high-quality thin GaN layer with a flat surface can be grown on R-plane sapphire substrate by controlling the offset angle of the sapphire substrate. |
| キーワード(和) | サファイア / R面 / MOVPE / GaN |
| キーワード(英) | sapphire / R-plane / MOVPE / GaN |
| 資料番号 | ED2004-116,CPM2004-90,LQE2004-54 |
| 発行日 |
| 研究会情報 | |
| 研究会 | CPM |
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| 開催期間 | 2004/10/14(から1日開催) |
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| 委員長氏名（和） | |
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| 幹事補佐氏名（和） | |
| 幹事補佐氏名（英） | |
| 講演論文情報詳細 | |
| 申込み研究会 | Component Parts and Materials (CPM) |
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| 本文の言語 | JPN |
| タイトル（和） | サファイアR面オフ基板上に作製したIII族窒化物半導体 : 基板オフ角依存性(化合物混晶半導体デバイス・材料(含むSiGe,ワイドギャップ半導体),一般) |
| サブタイトル（和） | |
| タイトル（英） | Group III nitrides grown on R-plane sapphire with different off-angle : Off-angle dependence |
| サブタイトル（和） | |
| キーワード(1)（和/英） | サファイア / sapphire |
| キーワード(2)（和/英） | R面 / R-plane |
| キーワード(3)（和/英） | MOVPE / MOVPE |
| キーワード(4)（和/英） | GaN / GaN |
| 第 1 著者 氏名（和/英） | 本塩 彰 / Akira HONSHIO |
| 第 1 著者 所属（和/英） | 名城大学大学院理工学研究科、21世紀COE"ナノファクトリー" Faculty of Science and Technology, Meijo University, 21st Century COE "Nano-factory", Meijo University |
| 第 2 著者 氏名（和/英） | 井村 将隆 / Masataka IMURA |
| 第 2 著者 所属（和/英） | 名城大学大学院理工学研究科、21世紀COE"ナノファクトリー" Faculty of Science and Technology, Meijo University, 21st Century COE "Nano-factory", Meijo University |
| 第 3 著者 氏名（和/英） | 飯田 一喜 / Kazuyoshi IIDA |
| 第 3 著者 所属（和/英） | 名城大学大学院理工学研究科、21世紀COE"ナノファクトリー" Faculty of Science and Technology, Meijo University, 21st Century COE "Nano-factory", Meijo University |
| 第 4 著者 氏名（和/英） | 三宅 泰人 / Yasuto MIYAKE |
| 第 4 著者 所属（和/英） | 名城大学大学院理工学研究科、21世紀COE"ナノファクトリー" Faculty of Science and Technology, Meijo University, 21st Century COE "Nano-factory", Meijo University |
| 第 5 著者 氏名（和/英） | 春日井 秀紀 / Hideki KASUGAI |
| 第 5 著者 所属（和/英） | 名城大学大学院理工学研究科、21世紀COE"ナノファクトリー" Faculty of Science and Technology, Meijo University, 21st Century COE "Nano-factory", Meijo University |
| 第 6 著者 氏名（和/英） | 川島 毅士 / Takeshi KAWASHIMA |
| 第 6 著者 所属（和/英） | 名城大学大学院理工学研究科、21世紀COE"ナノファクトリー" Faculty of Science and Technology, Meijo University, 21st Century COE "Nano-factory", Meijo University |
| 第 7 著者 氏名（和/英） | 津田 道信 / Michinobu TSUDA |
| 第 7 著者 所属（和/英） | 名城大学大学院理工学研究科、21世紀COE"ナノファクトリー":京セラ株式会社単結晶事業部 Faculty of Science and Technology, Meijo University, 21st Century COE "Nano-factory", Meijo University:Single Crystal Division, Kyocera Corporation |
| 第 8 著者 氏名（和/英） | 岩谷 素顕 / Motoaki IWAYA |
| 第 8 著者 所属（和/英） | 名城大学大学院理工学研究科、21世紀COE"ナノファクトリー" Faculty of Science and Technology, Meijo University, 21st Century COE "Nano-factory", Meijo University |
| 第 9 著者 氏名（和/英） | 上山 智 / Satoshi KAMIYAMA |
| 第 9 著者 所属（和/英） | 名城大学大学院理工学研究科、21世紀COE"ナノファクトリー" Faculty of Science and Technology, Meijo University, 21st Century COE "Nano-factory", Meijo University |
| 第 10 著者 氏名（和/英） | 天野 浩 / Hiroshi AMANO |
| 第 10 著者 所属（和/英） | 名城大学大学院理工学研究科、21世紀COE"ナノファクトリー" Faculty of Science and Technology, Meijo University, 21st Century COE "Nano-factory", Meijo University |
| 第 11 著者 氏名（和/英） | 赤崎 勇 / Isamu AKASAKI |
| 第 11 著者 所属（和/英） | 名城大学大学院理工学研究科、21世紀COE"ナノファクトリー" Faculty of Science and Technology, Meijo University, 21st Century COE "Nano-factory", Meijo University |
| 発表年月日 | 2004/10/14 |
| 資料番号 | ED2004-116,CPM2004-90,LQE2004-54 |
| 巻番号（vol） | vol.104 |
| 号番号（no） | 359 |
| ページ範囲 | pp.- |
| ページ数 | 5 |
| 発行日 | |