講演名 2002/10/11
LD励起受動QスイッチNd : YAGマイクロチップレーザーの開発 : 尖頭値および安定性の改善
酒井 博, 曽根 明弘, 菅 博文, 平等 拓範,
PDFダウンロードページ PDFダウンロードページへ
抄録(和) 受動Qスイッチ固体レーザーは、小型で簡便であるため、科学から産業までの幅広い応用が進みつつある。Cr:YAGを受動Qスイッチとして用いたNd:YAGマイクロチップレーザーの高出力化および安定化に対して理論的、実験的な検討を加えた。まず高尖頭値化を図るため、可飽和吸収体の初期透過率や励起面積、共振器長の依存性を検討した。次に、LD電源の変調により、繰り返し周波数の安定化を図った。その結果、パルスエネルギーは0.5mJを超え、パルス幅は2.2nsまで短くできたため、尖頭値は230kWとなった。このとき、繰り返し周波数は100Hz、M^2=1.27であった。
抄録(英) Passively Q-switched solid-state lasers are compact and simple, so they are attractive for scientific and industrial applications. We have improved the peak power and the stability of the Cr:YAG passively Q-switched Nd:YAG microchip laser. In order to increase the peak power, we have measured the dependence of the initial transmission of saturable absorber, the pump area and the cavity length. In order to stabilize the repetition frequency, we have modulated the power supply of the diode laser. As a result, its maximum output pulse energy exceeded half-mJ with the pulse width of 2.2-ns and the peak power was 230 kW with 100Hz repetition frequency and a beam quality of M^2=1.27.
キーワード(和) LD励起固体レーザー / 受動Qスイッチ / Nd:YAG / Cr:YAG
キーワード(英) Diode-pumped solid state laser / Passively Q-switch / Nd:YAG / Cr:YAG
資料番号 LQE2002-129
発行日

研究会情報
研究会 LQE
開催期間 2002/10/11(から1日開催)
開催地(和)
開催地(英)
テーマ(和)
テーマ(英)
委員長氏名(和)
委員長氏名(英)
副委員長氏名(和)
副委員長氏名(英)
幹事氏名(和)
幹事氏名(英)
幹事補佐氏名(和)
幹事補佐氏名(英)

講演論文情報詳細
申込み研究会 Lasers and Quantum Electronics (LQE)
本文の言語 JPN
タイトル(和) LD励起受動QスイッチNd : YAGマイクロチップレーザーの開発 : 尖頭値および安定性の改善
サブタイトル(和)
タイトル(英) Development of diode-pumped passively Q-switched Nd : YAG microchip lasers : Improvement of the peak power and the stability
サブタイトル(和)
キーワード(1)(和/英) LD励起固体レーザー / Diode-pumped solid state laser
キーワード(2)(和/英) 受動Qスイッチ / Passively Q-switch
キーワード(3)(和/英) Nd:YAG / Nd:YAG
キーワード(4)(和/英) Cr:YAG / Cr:YAG
第 1 著者 氏名(和/英) 酒井 博 / Hiroshi SAKAI
第 1 著者 所属(和/英) 浜松ホトニクス(株)
Central Research Laboratory, Hamamatsu Photonics K.K.
第 2 著者 氏名(和/英) 曽根 明弘 / Akihiro SONE
第 2 著者 所属(和/英) 浜松ホトニクス(株)
Central Research Laboratory, Hamamatsu Photonics K.K.
第 3 著者 氏名(和/英) 菅 博文 / Hirohumi KAN
第 3 著者 所属(和/英) 浜松ホトニクス(株)
Central Research Laboratory, Hamamatsu Photonics K.K.
第 4 著者 氏名(和/英) 平等 拓範 / Takunori TAIRA
第 4 著者 所属(和/英) 分子科学研究所
Institute for Molecular Science
発表年月日 2002/10/11
資料番号 LQE2002-129
巻番号(vol) vol.102
号番号(no) 386
ページ範囲 pp.-
ページ数 4
発行日