| 講演名 | 2004/8/13 CMOS回路の低電圧化はどうすすめるべきか(VLSI回路,デバイス技術(高速,低電圧,低電力)) 入江 直彦, 石橋 孝一郎, 大塚 文雄, 濱田 基嗣, 野村 昌弘, 高柳 万里子, 山岡 雅直, 前川 繁登, |
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| 抄録(和) | 背景:ITRSのロードマップによれば、CMOSは今後も3年毎にテクノロジーノードが更新されていく。これまで、テクノロジーの進展と共に性能の向上、電力の低減、チップ面積の縮小などのご利益があったが、65nm以後、リーク電流の増加やばらつきの増加などにより低電圧化が達成されず、従来のようなご利益を享受できない恐れがでてきた。趣旨:CMOSデバイス、メモリ、アナログなど各分野の第一人者をパネリストに迎え、各分野でテクノロジーの進化に伴い生じる問題点とその解決法を述べてもらう。このとき、特に低電力化に議論の中心を置く。その上で、それらの解決法や、各解決法の整合性などを議論する。 |
| 抄録(英) | ITRS road map has predicted that technology generation has been advancing every 3 years. LSI had enjoyed benefits of higher performances, low power, and small chip area per function by the advancing technologies in the past. However, It becomes difficult to enjoy the benefits, by the technologies beyond 65nm. This panel discussion is focusing on problems that will arise beyond 65nm CMOS technology; especially focusing on reducing power of the LSls. |
| キーワード(和) | オンチップメモリ / SoC / テクノロジー |
| キーワード(英) | CMOS / Low power |
| 資料番号 | SDM2004-154,ICD2004-96 |
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| 研究会情報 | |
| 研究会 | ICD |
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| 開催期間 | 2004/8/13(から1日開催) |
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| 幹事氏名（和） | |
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| 幹事補佐氏名（和） | |
| 幹事補佐氏名（英） | |
| 講演論文情報詳細 | |
| 申込み研究会 | Integrated Circuits and Devices (ICD) |
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| 本文の言語 | JPN |
| タイトル（和） | CMOS回路の低電圧化はどうすすめるべきか(VLSI回路,デバイス技術(高速,低電圧,低電力)) |
| サブタイトル（和） | |
| タイトル（英） | How Do We Lower the Power of CMOS Circuits in Advanced Technologies? |
| サブタイトル（和） | |
| キーワード(1)（和/英） | オンチップメモリ / CMOS |
| キーワード(2)（和/英） | SoC / Low power |
| キーワード(3)（和/英） | テクノロジー |
| 第 1 著者 氏名（和/英） | 入江 直彦 / Naohiko IRIE |
| 第 1 著者 所属（和/英） | 日立 Hitachi |
| 第 2 著者 氏名（和/英） | 石橋 孝一郎 / Koichiro IISHIBASHI |
| 第 2 著者 所属（和/英） | (株)ルネサステクノロジ Renesas Technology Corp. |
| 第 3 著者 氏名（和/英） | 大塚 文雄 / Fumio OTSUKA |
| 第 3 著者 所属（和/英） | SELETE SELETE |
| 第 4 著者 氏名（和/英） | 濱田 基嗣 / Mototsugu HAMADA |
| 第 4 著者 所属（和/英） | 東芝 Toshiba |
| 第 5 著者 氏名（和/英） | 野村 昌弘 / Masahiro Nomura |
| 第 5 著者 所属（和/英） | NEC NEC |
| 第 6 著者 氏名（和/英） | 高柳 万里子 / Mariko TAKAYANAGI |
| 第 6 著者 所属（和/英） | 東芝 Toshiba |
| 第 7 著者 氏名（和/英） | 山岡 雅直 / Masanao YAMAOKA |
| 第 7 著者 所属（和/英） | 日立 Hitachi |
| 第 8 著者 氏名（和/英） | 前川 繁登 / Shigeto MAEKAWA |
| 第 8 著者 所属（和/英） | ルネサス Renesas |
| 発表年月日 | 2004/8/13 |
| 資料番号 | SDM2004-154,ICD2004-96 |
| 巻番号（vol） | vol.104 |
| 号番号（no） | 251 |
| ページ範囲 | pp.- |
| ページ数 | 76 |
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