| 講演名 | 2004/8/13 hp22 nm Node Low Operating Power(LOP)向けSub-10nmゲートCMOS技術(VLSI回路,デバイス技術(高速,低電圧,低電力)) 安武 信昭, 大内 和也, 藤原 実, 安達 甘奈, 外園 明, 小島 健嗣, 青木 伸俊, 須藤 裕之, 渡辺 健, 諸岡 哲, 水野 央之, 馬越 俊之, 清水 敬, 森 伸二, 小熊 英樹, 佐々木 俊之, 大村 光弘, 宮野 清孝, 山田 浩玲, 冨田 寛, 松下 大介, 村岡 浩一, 稲葉 聡, 高柳 万里子, 石丸 一成, 石内 秀美, |
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| 抄録(和) | プロセスの最適化により高性能な10nmゲートCMOSを実現した。さらにhp22nmノードLow Operating Power(LOP)ターゲット達成のために必要な要素技術であるエレベーテッド・ソース/ドレイン・エクステンション権造、メタルゲート電極、およびゲート絶縁膜の最適化手法について検討することにより、高性能な微細CMOSFETを実現するためのガイドラインを示し、planar bulk CMOSでhp22nmノードLOPを実現できる見通しを得た。 |
| 抄録(英) | High performance 10nm gate length CMOSFETs for hp22nm node Low Operating Power (LOP) is demonstrated for the first time. Key process, such as elevated source/drain extension combined with flash lamp annealing, fully silicided metal gate, novel SiON, and optimization method under high V_ |
| キーワード(和) | CMOS / エレベーテッド・ソース/ドレイン・エクステンション / FLA / メタルゲート / SiON |
| キーワード(英) | CMOS / elevated source/drain extension / FLA / metal gate / SiON |
| 資料番号 | SDM2004-153,ICD2004-95 |
| 発行日 |
| 研究会情報 | |
| 研究会 | ICD |
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| 開催期間 | 2004/8/13(から1日開催) |
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| 幹事氏名（和） | |
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| 幹事補佐氏名（和） | |
| 幹事補佐氏名（英） | |
| 講演論文情報詳細 | |
| 申込み研究会 | Integrated Circuits and Devices (ICD) |
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| 本文の言語 | JPN |
| タイトル（和） | hp22 nm Node Low Operating Power(LOP)向けSub-10nmゲートCMOS技術(VLSI回路,デバイス技術(高速,低電圧,低電力)) |
| サブタイトル（和） | |
| タイトル（英） | A hp22 nm Node Low Operating Power(LOP) Technology with Sub-10nm Gate Length Planar Bulk CMOS Devices |
| サブタイトル（和） | |
| キーワード(1)（和/英） | CMOS / CMOS |
| キーワード(2)（和/英） | エレベーテッド・ソース/ドレイン・エクステンション / elevated source/drain extension |
| キーワード(3)（和/英） | FLA / FLA |
| キーワード(4)（和/英） | メタルゲート / metal gate |
| キーワード(5)（和/英） | SiON / SiON |
| 第 1 著者 氏名（和/英） | 安武 信昭 / N. Yasutake |
| 第 1 著者 所属（和/英） | (株)東芝セミコンダクター社SoC研究開発センター SoC Research & Development Center, Toshiba Corporation Semiconductor Company |
| 第 2 著者 氏名（和/英） | 大内 和也 / K. Ohuchi |
| 第 2 著者 所属（和/英） | (株)東芝セミコンダクター社SoC研究開発センター SoC Research & Development Center, Toshiba Corporation Semiconductor Company |
| 第 3 著者 氏名（和/英） | 藤原 実 / M. Fujiwara |
| 第 3 著者 所属（和/英） | (株)東芝セミコンダクター社SoC研究開発センター SoC Research & Development Center, Toshiba Corporation Semiconductor Company |
| 第 4 著者 氏名（和/英） | 安達 甘奈 / K. Adachi |
| 第 4 著者 所属（和/英） | (株)東芝セミコンダクター社SoC研究開発センター SoC Research & Development Center, Toshiba Corporation Semiconductor Company |
| 第 5 著者 氏名（和/英） | 外園 明 / A. Hokazono |
| 第 5 著者 所属（和/英） | (株)東芝セミコンダクター社SoC研究開発センター SoC Research & Development Center, Toshiba Corporation Semiconductor Company |
| 第 6 著者 氏名（和/英） | 小島 健嗣 / K. Kojima |
| 第 6 著者 所属（和/英） | (株)東芝セミコンダクター社SoC研究開発センター SoC Research & Development Center, Toshiba Corporation Semiconductor Company |
| 第 7 著者 氏名（和/英） | 青木 伸俊 / N. Aoki |
| 第 7 著者 所属（和/英） | (株)東芝セミコンダクター社SoC研究開発センター SoC Research & Development Center, Toshiba Corporation Semiconductor Company |
| 第 8 著者 氏名（和/英） | 須藤 裕之 / H. Suto |
| 第 8 著者 所属（和/英） | (株)東芝セミコンダクター社SoC研究開発センター SoC Research & Development Center, Toshiba Corporation Semiconductor Company |
| 第 9 著者 氏名（和/英） | 渡辺 健 / T. Watanabe |
| 第 9 著者 所属（和/英） | (株)東芝セミコンダクター社SoC研究開発センター SoC Research & Development Center, Toshiba Corporation Semiconductor Company |
| 第 10 著者 氏名（和/英） | 諸岡 哲 / T. Morooka |
| 第 10 著者 所属（和/英） | (株)東芝セミコンダクター社SoC研究開発センター SoC Research & Development Center, Toshiba Corporation Semiconductor Company |
| 第 11 著者 氏名（和/英） | 水野 央之 / H. Mizuno |
| 第 11 著者 所属（和/英） | (株)東芝セミコンダクター社プロセス技術推進センター Process & Manufacturing Engineering Center, Toshiba Corporation Semiconductor Company |
| 第 12 著者 氏名（和/英） | 馬越 俊之 / S. Magoshi |
| 第 12 著者 所属（和/英） | (株)東芝セミコンダクター社プロセス技術推進センター Process & Manufacturing Engineering Center, Toshiba Corporation Semiconductor Company |
| 第 13 著者 氏名（和/英） | 清水 敬 / T. Shimizu |
| 第 13 著者 所属（和/英） | (株)東芝セミコンダクター社プロセス技術推進センター Process & Manufacturing Engineering Center, Toshiba Corporation Semiconductor Company |
| 第 14 著者 氏名（和/英） | 森 伸二 / S. Mori |
| 第 14 著者 所属（和/英） | (株)東芝セミコンダクター社プロセス技術推進センター Process & Manufacturing Engineering Center, Toshiba Corporation Semiconductor Company |
| 第 15 著者 氏名（和/英） | 小熊 英樹 / H. Oguma |
| 第 15 著者 所属（和/英） | (株)東芝セミコンダクター社プロセス技術推進センター Process & Manufacturing Engineering Center, Toshiba Corporation Semiconductor Company |
| 第 16 著者 氏名（和/英） | 佐々木 俊之 / T. Sasaki |
| 第 16 著者 所属（和/英） | (株)東芝セミコンダクター社プロセス技術推進センター Process & Manufacturing Engineering Center, Toshiba Corporation Semiconductor Company |
| 第 17 著者 氏名（和/英） | 大村 光弘 / M. Ohmura |
| 第 17 著者 所属（和/英） | (株)東芝セミコンダクター社プロセス技術推進センター Process & Manufacturing Engineering Center, Toshiba Corporation Semiconductor Company |
| 第 18 著者 氏名（和/英） | 宮野 清孝 / K. Miyano |
| 第 18 著者 所属（和/英） | (株)東芝セミコンダクター社プロセス技術推進センター Process & Manufacturing Engineering Center, Toshiba Corporation Semiconductor Company |
| 第 19 著者 氏名（和/英） | 山田 浩玲 / H. Yamada |
| 第 19 著者 所属（和/英） | (株)東芝セミコンダクター社プロセス技術推進センター Process & Manufacturing Engineering Center, Toshiba Corporation Semiconductor Company |
| 第 20 著者 氏名（和/英） | 冨田 寛 / H. Tomita |
| 第 20 著者 所属（和/英） | (株)東芝セミコンダクター社プロセス技術推進センター Process & Manufacturing Engineering Center, Toshiba Corporation Semiconductor Company |
| 第 21 著者 氏名（和/英） | 松下 大介 / D. Matsushita |
| 第 21 著者 所属（和/英） | (株)東芝研究開発センター Corporate R&D Center, Toshiba Corporation |
| 第 22 著者 氏名（和/英） | 村岡 浩一 / K. Muraoka |
| 第 22 著者 所属（和/英） | (株)東芝研究開発センター Corporate R&D Center, Toshiba Corporation |
| 第 23 著者 氏名（和/英） | 稲葉 聡 / S. Inaba |
| 第 23 著者 所属（和/英） | (株)東芝セミコンダクター社SoC研究開発センター SoC Research & Development Center, Toshiba Corporation Semiconductor Company |
| 第 24 著者 氏名（和/英） | 高柳 万里子 / M. Takayanagi |
| 第 24 著者 所属（和/英） | (株)東芝セミコンダクター社SoC研究開発センター SoC Research & Development Center, Toshiba Corporation Semiconductor Company |
| 第 25 著者 氏名（和/英） | 石丸 一成 / K. Ishimaru |
| 第 25 著者 所属（和/英） | (株)東芝セミコンダクター社SoC研究開発センター SoC Research & Development Center, Toshiba Corporation Semiconductor Company |
| 第 26 著者 氏名（和/英） | 石内 秀美 / H. Ishiuchi |
| 第 26 著者 所属（和/英） | (株)東芝セミコンダクター社SoC研究開発センター SoC Research & Development Center, Toshiba Corporation Semiconductor Company |
| 発表年月日 | 2004/8/13 |
| 資料番号 | SDM2004-153,ICD2004-95 |
| 巻番号（vol） | vol.104 |
| 号番号（no） | 251 |
| ページ範囲 | pp.- |
| ページ数 | 6 |
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