| 講演名 | 2004/8/13 高応力を有する窒化膜使用によるMOSFETの駆動能力向上(VLSI回路,デバイス技術(高速,低電圧,低電力)) ピデイン セルゲイ, 森 年史, 中村 亮, 斎木 孝志, 佐藤 成生, 加勢 正隆, 橋本 浩一, |
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| 抄録(和) | 高引張り応力の窒化膜を有するNMOSFETのプロセスシミュレーションとデバイス試作を通して、NMOSFETの歪み技術に対する検討を行った。プロセスシミュレーションの結果を利用して、歪み技術によるNMOSFETの駆動能力最適化の指針を提案した。45nmのゲート長のNMOSFETを作成し、ドレイン電圧は1VとOff電流は40nA/μmに対して、1.01mA/μmのON電流が得られた。この特性はこれまでの報告[1-3]と比較して、最高性能のNMOSFET特性である。 |
| 抄録(英) | NMOSFET strain engineering with highly tensile silicon nitride capping layer was studied by way of numerical simulations and device experiments. Using extensive process simulations we developed optimization guideline for NMOSFET strain engineering. At 45nm gate length and 1V supply voltage fabricated NMOSFET delivers 1.01mA/μm drive current for off-state current of 40nA/μm and physical gate oxide thickness of 1.25nm(TEM). These data demonstrate the best up to date NMOSFET current drivability [1-3]. |
| キーワード(和) | 応力 / 歪み / MOSFET / 電流駆動能力 |
| キーワード(英) | Stress / strain / MOSFET / current drivability |
| 資料番号 | SDM2004-152,ICD2004-94 |
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| 研究会情報 | |
| 研究会 | ICD |
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| 開催期間 | 2004/8/13(から1日開催) |
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| 委員長氏名（和） | |
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| 幹事氏名（和） | |
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| 幹事補佐氏名（和） | |
| 幹事補佐氏名（英） | |
| 講演論文情報詳細 | |
| 申込み研究会 | Integrated Circuits and Devices (ICD) |
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| 本文の言語 | JPN |
| タイトル（和） | 高応力を有する窒化膜使用によるMOSFETの駆動能力向上(VLSI回路,デバイス技術(高速,低電圧,低電力)) |
| サブタイトル（和） | |
| タイトル（英） | MOSFET Current Drive Optimization Using Silicon Nitride Capping Layer |
| サブタイトル（和） | |
| キーワード(1)（和/英） | 応力 / Stress |
| キーワード(2)（和/英） | 歪み / strain |
| キーワード(3)（和/英） | MOSFET / MOSFET |
| キーワード(4)（和/英） | 電流駆動能力 / current drivability |
| 第 1 著者 氏名（和/英） | ピデイン セルゲイ / S. PIDIN |
| 第 1 著者 所属（和/英） | 富士通(株)次世代LSI開発事業部 Fujitsu Ltd., Advanced LSI Development Div., |
| 第 2 著者 氏名（和/英） | 森 年史 / T. MORI |
| 第 2 著者 所属（和/英） | 富士通(株)次世代LSI開発事業部 Fujitsu Ltd., Advanced LSI Development Div., |
| 第 3 著者 氏名（和/英） | 中村 亮 / R. NAKAMURA |
| 第 3 著者 所属（和/英） | 富士通(株)次世代LSI開発事業部 Fujitsu Ltd., Advanced LSI Development Div., |
| 第 4 著者 氏名（和/英） | 斎木 孝志 / T. SAIKI |
| 第 4 著者 所属（和/英） | 富士通(株)次世代LSI開発事業部 Fujitsu Ltd., Advanced LSI Development Div., |
| 第 5 著者 氏名（和/英） | 佐藤 成生 / S. SATOH |
| 第 5 著者 所属（和/英） | 富士通(株)次世代LSI開発事業部 Fujitsu Ltd., Advanced LSI Development Div., |
| 第 6 著者 氏名（和/英） | 加勢 正隆 / M. KASE |
| 第 6 著者 所属（和/英） | 富士通(株)次世代LSI開発事業部 Fujitsu Ltd., Advanced LSI Development Div., |
| 第 7 著者 氏名（和/英） | 橋本 浩一 / K. HASHIMOTO |
| 第 7 著者 所属（和/英） | 富士通(株)次世代LSI開発事業部 Fujitsu Ltd., Advanced LSI Development Div., |
| 発表年月日 | 2004/8/13 |
| 資料番号 | SDM2004-152,ICD2004-94 |
| 巻番号（vol） | vol.104 |
| 号番号（no） | 251 |
| ページ範囲 | pp.- |
| ページ数 | 5 |
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