| 講演名 | 2004/8/13 65nm世代以降のVdd,Vthのスケーリング指針の新規提案(VLSI回路,デバイス技術(高速,低電圧,低電力)) 森藤 英治, 吉田 毅, 松田 聡, 山田 誠司, 松岡 史倫, 野口 達夫, 各務 正一, |
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| 抄録(和) | 65nm世代以降の電源電圧と閾値電圧のスケーリングの指針を示す。 |
| 抄録(英) | We show new guideline of Vdd and Vth scaling for logic blocks and high density SRAM cell from low power dissipation viewpoint. |
| キーワード(和) | 電源電圧 / 閾値電圧 / 低消費電力 / CMOS / SRAM / スケーリング |
| キーワード(英) | Supply voltage / threshold voltage / low power consumption / CMOS / SRAM / scaling |
| 資料番号 | SDM2004-151,ICD2004-93 |
| 発行日 |
| 研究会情報 | |
| 研究会 | ICD |
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| 開催期間 | 2004/8/13(から1日開催) |
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| テーマ（和） | |
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| 委員長氏名（和） | |
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| 幹事氏名（和） | |
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| 幹事補佐氏名（和） | |
| 幹事補佐氏名（英） | |
| 講演論文情報詳細 | |
| 申込み研究会 | Integrated Circuits and Devices (ICD) |
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| 本文の言語 | JPN |
| タイトル（和） | 65nm世代以降のVdd,Vthのスケーリング指針の新規提案(VLSI回路,デバイス技術(高速,低電圧,低電力)) |
| サブタイトル（和） | |
| タイトル（英） | New guideline of Vdd and Vth for 65nm technology and beyond |
| サブタイトル（和） | |
| キーワード(1)（和/英） | 電源電圧 / Supply voltage |
| キーワード(2)（和/英） | 閾値電圧 / threshold voltage |
| キーワード(3)（和/英） | 低消費電力 / low power consumption |
| キーワード(4)（和/英） | CMOS / CMOS |
| キーワード(5)（和/英） | SRAM / SRAM |
| キーワード(6)（和/英） | スケーリング / scaling |
| 第 1 著者 氏名（和/英） | 森藤 英治 / E. Morifuji |
| 第 1 著者 所属（和/英） | 株式会社東芝セミコンダクタ社 System LSI Division, Semiconductor Company, TOSHIBA Corporation |
| 第 2 著者 氏名（和/英） | 吉田 毅 / T. Yoshida |
| 第 2 著者 所属（和/英） | 株式会社東芝セミコンダクタ社 System LSI Division, Semiconductor Company, TOSHIBA Corporation |
| 第 3 著者 氏名（和/英） | 松田 聡 / S. Matsuda |
| 第 3 著者 所属（和/英） | 株式会社東芝セミコンダクタ社 System LSI Division, Semiconductor Company, TOSHIBA Corporation |
| 第 4 著者 氏名（和/英） | 山田 誠司 / S. Yamada |
| 第 4 著者 所属（和/英） | 株式会社東芝セミコンダクタ社 System LSI Division, Semiconductor Company, TOSHIBA Corporation |
| 第 5 著者 氏名（和/英） | 松岡 史倫 / F. Matsuoka |
| 第 5 著者 所属（和/英） | 株式会社東芝セミコンダクタ社 System LSI Division, Semiconductor Company, TOSHIBA Corporation |
| 第 6 著者 氏名（和/英） | 野口 達夫 / T. Noguchi |
| 第 6 著者 所属（和/英） | 株式会社東芝セミコンダクタ社 System LSI Division, Semiconductor Company, TOSHIBA Corporation |
| 第 7 著者 氏名（和/英） | 各務 正一 / M. Kakumu |
| 第 7 著者 所属（和/英） | 株式会社東芝セミコンダクタ社 System LSI Division, Semiconductor Company, TOSHIBA Corporation |
| 発表年月日 | 2004/8/13 |
| 資料番号 | SDM2004-151,ICD2004-93 |
| 巻番号（vol） | vol.104 |
| 号番号（no） | 251 |
| ページ範囲 | pp.- |
| ページ数 | 6 |
| 発行日 | |