| 講演名 | 2004/8/13 低消費電力65nm-node向け高性能・高信頼性Poly-Si/a-Si/HfSiON構造トランジスタ技術(VLSI回路,デバイス技術(高速,低電圧,低電力)) 安田 有里, 君塚 直彦, 岩本 敏幸, 藤枝 信次, 小倉 卓, 辰巳 徹, 山本 一郎, 渡辺 啓仁, 山縣 保司, 今井 清隆, |
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| 抄録(和) | 低消費電力65nm-node向けに高いIon/Istandby比を有するpoly-Si/a-Si/HfSiON構造トランジスタ技術を開発した。チャネル及びhalo注入条件の最適化により、Vdd=1.2VでIon=520uA及びIstandby=17pAという現在までの報告の中で最も高いIon/Istandby比を実現した。また、HfSiONの信頼性を大幅に改善する技術として、HfSiONとポリシリコン電極の間に、薄いアモルファスシリコン層を導入する技術を提案する。これにより、HfSiONの信頼性で大きな課題となっているPBTI寿命を2桁改善することに成功した。 |
| 抄録(英) | We have newly developed poly-Si/a-Si/HfSiON (EOT=1.6nm) transistor that features high I_ |
| キーワード(和) | HfSiON / GIDL / Ion/Istandby比 / アモルファスシリコン / PBTI |
| キーワード(英) | HfSiON / GIDL / Ion/Istandby ratio / amorphous silicon / PBTI |
| 資料番号 | SDM2004-150,ICD2004-92 |
| 発行日 |
| 研究会情報 | |
| 研究会 | ICD |
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| 開催期間 | 2004/8/13(から1日開催) |
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| 委員長氏名（和） | |
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| 幹事氏名（和） | |
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| 幹事補佐氏名（和） | |
| 幹事補佐氏名（英） | |
| 講演論文情報詳細 | |
| 申込み研究会 | Integrated Circuits and Devices (ICD) |
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| 本文の言語 | JPN |
| タイトル（和） | 低消費電力65nm-node向け高性能・高信頼性Poly-Si/a-Si/HfSiON構造トランジスタ技術(VLSI回路,デバイス技術(高速,低電圧,低電力)) |
| サブタイトル（和） | |
| タイトル（英） | A 65nm-node LSTP(LOW Standby Power) Poly-Si/a-Si/HfSiON Transistor with High Ion-Istandby Ratio and Reliability |
| サブタイトル（和） | |
| キーワード(1)（和/英） | HfSiON / HfSiON |
| キーワード(2)（和/英） | GIDL / GIDL |
| キーワード(3)（和/英） | Ion/Istandby比 / Ion/Istandby ratio |
| キーワード(4)（和/英） | アモルファスシリコン / amorphous silicon |
| キーワード(5)（和/英） | PBTI / PBTI |
| 第 1 著者 氏名（和/英） | 安田 有里 / Y. Yasuda |
| 第 1 著者 所属（和/英） | NECエレクトロニクス、先端デバイス開発事業部 Advanced Technology Development Division, NEC Electronics Corporation |
| 第 2 著者 氏名（和/英） | 君塚 直彦 / N. Kimizuka |
| 第 2 著者 所属（和/英） | NECエレクトロニクス、先端デバイス開発事業部 Advanced Technology Development Division, NEC Electronics Corporation |
| 第 3 著者 氏名（和/英） | 岩本 敏幸 / T. Iwamoto |
| 第 3 著者 所属（和/英） | NEC、システムデバイス研究所 System Devices Research Laboratories, NEC Corporation |
| 第 4 著者 氏名（和/英） | 藤枝 信次 / S. Fujieda |
| 第 4 著者 所属（和/英） | NEC、システムデバイス研究所 System Devices Research Laboratories, NEC Corporation |
| 第 5 著者 氏名（和/英） | 小倉 卓 / T. Ogura |
| 第 5 著者 所属（和/英） | NEC、システムデバイス研究所 System Devices Research Laboratories, NEC Corporation |
| 第 6 著者 氏名（和/英） | 辰巳 徹 / T. Tatsumi |
| 第 6 著者 所属（和/英） | NEC、システムデバイス研究所 System Devices Research Laboratories, NEC Corporation |
| 第 7 著者 氏名（和/英） | 山本 一郎 / I. Yamamoto |
| 第 7 著者 所属（和/英） | NECエレクトロニクス、先端デバイス開発事業部 Advanced Technology Development Division, NEC Electronics Corporation |
| 第 8 著者 氏名（和/英） | 渡辺 啓仁 / H. Watanabe |
| 第 8 著者 所属（和/英） | NEC、システムデバイス研究所 System Devices Research Laboratories, NEC Corporation |
| 第 9 著者 氏名（和/英） | 山縣 保司 / Y. Yamagata |
| 第 9 著者 所属（和/英） | NECエレクトロニクス、先端デバイス開発事業部 Advanced Technology Development Division, NEC Electronics Corporation |
| 第 10 著者 氏名（和/英） | 今井 清隆 / K. Imai |
| 第 10 著者 所属（和/英） | NEC、システムデバイス研究所 System Devices Research Laboratories, NEC Corporation |
| 発表年月日 | 2004/8/13 |
| 資料番号 | SDM2004-150,ICD2004-92 |
| 巻番号（vol） | vol.104 |
| 号番号（no） | 251 |
| ページ範囲 | pp.- |
| ページ数 | 5 |
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