| 講演名 | 2004/8/13 ヘテロソース構造MOSFETにおけるチャネルへの高速電子注入(VLSI回路,デバイス技術(高速,低電圧,低電力)) 水野 智久, 杉山 直治, 手塚 勉, 守山 佳彦, 中払 周, 前田 辰郎, 高木 信一, |
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| 抄録(和) | ヘテロソース構造を有するMOSFET開発し,ソースか6チヤネルへの電子の高速注入による相互コンダクタンスGmの向上を実証した.チャネルに大きな電子親和力を有するひずみSiとSiGeソースのヘテロ面においては,伝導帯のバンドオフセットが生じ,ソースからの電子はこの余分なエネルギーを得てチャネルに高速注入される.今回,この高速電子注入によって,ヘテロMOSFETのGmが,ひずみSOI素子(SSOI)のGmに比べても,増大することが確認できた. |
| 抄録(英) | |
| キーワード(和) | ヘテロジャンクション / ひずみSi / バンドオフセット / 高速電子注入 |
| キーワード(英) | heterojunction / source / band-offset / high velocity electron injection |
| 資料番号 | SDM2004-147,ICD2004-89 |
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| 研究会情報 | |
| 研究会 | ICD |
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| 開催期間 | 2004/8/13(から1日開催) |
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| テーマ（和） | |
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| 委員長氏名（和） | |
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| 副委員長氏名（和） | |
| 副委員長氏名（英） | |
| 幹事氏名（和） | |
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| 幹事補佐氏名（和） | |
| 幹事補佐氏名（英） | |
| 講演論文情報詳細 | |
| 申込み研究会 | Integrated Circuits and Devices (ICD) |
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| 本文の言語 | JPN |
| タイトル（和） | ヘテロソース構造MOSFETにおけるチャネルへの高速電子注入(VLSI回路,デバイス技術(高速,低電圧,低電力)) |
| サブタイトル（和） | |
| タイトル（英） | High Velocity Electron Injection into Channel Region in MOSFETs with Heterojunction Source Structures |
| サブタイトル（和） | |
| キーワード(1)（和/英） | ヘテロジャンクション / heterojunction |
| キーワード(2)（和/英） | ひずみSi / source |
| キーワード(3)（和/英） | バンドオフセット / band-offset |
| キーワード(4)（和/英） | 高速電子注入 / high velocity electron injection |
| 第 1 著者 氏名（和/英） | 水野 智久 / Tomohisa MIZUNO |
| 第 1 著者 所属（和/英） | MIRAI-AIST:神奈川大学 MIRAI-AIST |
| 第 2 著者 氏名（和/英） | 杉山 直治 / Naoharu SUGIYAMA |
| 第 2 著者 所属（和/英） | MIRAI-ASET:東芝 MIRAI-ASET |
| 第 3 著者 氏名（和/英） | 手塚 勉 / Tsutomu TEZUKA |
| 第 3 著者 所属（和/英） | MIRAI-ASET:東芝 MIRAI-ASET |
| 第 4 著者 氏名（和/英） | 守山 佳彦 / Yoshihiko MORIYAMA |
| 第 4 著者 所属（和/英） | MIRAI-ASET:東芝 MIRAI-ASET |
| 第 5 著者 氏名（和/英） | 中払 周 / Shu NAKAHARAI |
| 第 5 著者 所属（和/英） | MIRAI-ASET:東芝 MIRAI-ASET |
| 第 6 著者 氏名（和/英） | 前田 辰郎 / Tatsuro MAEDA |
| 第 6 著者 所属（和/英） | MIRAI-AIST:産業技術総合研究所 MIRAI-AIST |
| 第 7 著者 氏名（和/英） | 高木 信一 / Shinichi TAKAGI |
| 第 7 著者 所属（和/英） | MIRAI-AIST:東京大学 MIRAI-AIST |
| 発表年月日 | 2004/8/13 |
| 資料番号 | SDM2004-147,ICD2004-89 |
| 巻番号（vol） | vol.104 |
| 号番号（no） | 251 |
| ページ範囲 | pp.- |
| ページ数 | 4 |
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