| 講演名 | 2004/8/13 基板電圧印加時の信頼性を考慮した65nmCMOSFETのパワーマネージメント(VLSI回路,デバイス技術(高速,低電圧,低電力)) 東郷 光洋, 深井 利憲, 中原 寧, 小山 晋, 真壁 昌里子, 長谷川 英司, 永瀬 正俊, 松田 友子, 坂本 圭司, 藤原 秀二, 後藤 啓郎, 山本 豊二, 最上 徹, 山縣 保司, 今井 清隆, |
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| 抄録(和) | 電源電圧(V_ |
| 抄録(英) | We have developed a power-aware CMOS technology featuring variable V_ |
| キーワード(和) | 電源電圧 / 基板電圧 / 低消費電力 / CMOSFET / NBTI / ホットホール注入 |
| キーワード(英) | Supply voltage / Back bias / Low power consumption / CMOSFET / NBTI / Hot hole injection |
| 資料番号 | SDM2004-146,ICD2004-88 |
| 発行日 |
| 研究会情報 | |
| 研究会 | ICD |
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| 開催期間 | 2004/8/13(から1日開催) |
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| テーマ（英） | |
| 委員長氏名（和） | |
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| 幹事氏名（和） | |
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| 幹事補佐氏名（和） | |
| 幹事補佐氏名（英） | |
| 講演論文情報詳細 | |
| 申込み研究会 | Integrated Circuits and Devices (ICD) |
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| 本文の言語 | JPN |
| タイトル（和） | 基板電圧印加時の信頼性を考慮した65nmCMOSFETのパワーマネージメント(VLSI回路,デバイス技術(高速,低電圧,低電力)) |
| サブタイトル（和） | |
| タイトル（英） | Power-aware 65nm Node CMOS Technology Using Variable V_ |
| サブタイトル（和） | |
| キーワード(1)（和/英） | 電源電圧 / Supply voltage |
| キーワード(2)（和/英） | 基板電圧 / Back bias |
| キーワード(3)（和/英） | 低消費電力 / Low power consumption |
| キーワード(4)（和/英） | CMOSFET / CMOSFET |
| キーワード(5)（和/英） | NBTI / NBTI |
| キーワード(6)（和/英） | ホットホール注入 / Hot hole injection |
| 第 1 著者 氏名（和/英） | 東郷 光洋 / M. Togo |
| 第 1 著者 所属（和/英） | NECシステムデバイス研究所 System Devices Research Labs., NEC Corporation |
| 第 2 著者 氏名（和/英） | 深井 利憲 / T. Fukai |
| 第 2 著者 所属（和/英） | NECシステムデバイス研究所 System Devices Research Labs., NEC Corporation |
| 第 3 著者 氏名（和/英） | 中原 寧 / Y. Nakahara |
| 第 3 著者 所属（和/英） | NECエレクトロニクス先端デバイス開発事業部 Advanced Device Development Division, NEC Electronics Corporation |
| 第 4 著者 氏名（和/英） | 小山 晋 / S. Koyama |
| 第 4 著者 所属（和/英） | NECエレクトロニクスプロセス技術事業部 Process Technology Division, NEC Electronics Corporation |
| 第 5 著者 氏名（和/英） | 真壁 昌里子 / M. Makabe |
| 第 5 著者 所属（和/英） | NECエレクトロニクスプロセス技術事業部 Process Technology Division, NEC Electronics Corporation |
| 第 6 著者 氏名（和/英） | 長谷川 英司 / E. Hasegawa |
| 第 6 著者 所属（和/英） | NECエレクトロニクスプロセス技術事業部 Process Technology Division, NEC Electronics Corporation |
| 第 7 著者 氏名（和/英） | 永瀬 正俊 / M. Nagase |
| 第 7 著者 所属（和/英） | NECエレクトロニクスプロセス技術事業部 Process Technology Division, NEC Electronics Corporation |
| 第 8 著者 氏名（和/英） | 松田 友子 / T. Matsuda |
| 第 8 著者 所属（和/英） | NECエレクトロニクスプロセス技術事業部 Process Technology Division, NEC Electronics Corporation |
| 第 9 著者 氏名（和/英） | 坂本 圭司 / K. Sakamoto |
| 第 9 著者 所属（和/英） | NECエレクトロニクスプロセス技術事業部 Process Technology Division, NEC Electronics Corporation |
| 第 10 著者 氏名（和/英） | 藤原 秀二 / S. Fujiwara |
| 第 10 著者 所属（和/英） | NECエレクトロニクスプロセス技術事業部 Process Technology Division, NEC Electronics Corporation |
| 第 11 著者 氏名（和/英） | 後藤 啓郎 / Y. Goto |
| 第 11 著者 所属（和/英） | NECエレクトロニクス先端デバイス開発事業部 Advanced Device Development Division, NEC Electronics Corporation |
| 第 12 著者 氏名（和/英） | 山本 豊二 / T. Yamamoto |
| 第 12 著者 所属（和/英） | NECシステムデバイス研究所 System Devices Research Labs., NEC Corporation |
| 第 13 著者 氏名（和/英） | 最上 徹 / T. Mogami |
| 第 13 著者 所属（和/英） | NECシステムデバイス研究所 System Devices Research Labs., NEC Corporation |
| 第 14 著者 氏名（和/英） | 山縣 保司 / Y. Yamagata |
| 第 14 著者 所属（和/英） | NECエレクトロニクス先端デバイス開発事業部 Advanced Device Development Division, NEC Electronics Corporation |
| 第 15 著者 氏名（和/英） | 今井 清隆 / K. Imai |
| 第 15 著者 所属（和/英） | NECエレクトロニクス先端デバイス開発事業部 Advanced Device Development Division, NEC Electronics Corporation |
| 発表年月日 | 2004/8/13 |
| 資料番号 | SDM2004-146,ICD2004-88 |
| 巻番号（vol） | vol.104 |
| 号番号（no） | 251 |
| ページ範囲 | pp.- |
| ページ数 | 5 |
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