| 講演名 | 2004/8/13 短チャネルlow-Fin FETの基板バイアス係数における角の効果(VLSI回路,デバイス技術(高速,低電圧,低電力)) 南雲 俊治, 平本 俊郎, |
||
|---|---|---|---|
| PDFダウンロードページ | PDFダウンロードページへ | ||
| 抄録(和) | low-Fin(tri-gate)FETにおいてFinの角の形状が基板バイアス係数γに及ぼす影響について、高濃度ドープチャネルとノンドープチャネルの両者に関して3次元デバイスシミュレーションを用いて調査した。しきい値電圧V_ | とγの挙動は、V_ | をオン特性とオフ特性のどちらから導出するかによって異なる。高濃度ドープlow-Finにおいて、オフ特性から求めたγ(γ_ |
| 抄録(英) | Impact of Fin-corner shape on body factor γ of low-Fin (tri-gate) FET in the both cases of highly-doped channel and undoped channel has been investigated by means of three-dimensional device simulation. Behavior of both threshold voltage (V_ | ) and γ depends on whether V_ | is derived from on-state or off-state. In highly-doped low-Fin, γ derived from off-state characteristics (γ_ |
| キーワード(和) | FinFET / 基板バイアス効果 / 基板バイアス係数 / VTCMOS(しきい値電圧可変CMOS) / corner effect | ||
| キーワード(英) | FinFET / body effect / body factor / VTCMOS(variable threshold voltage CMOS) / corner effect | ||
| 資料番号 | SDM2004-145,ICD2004-87 | ||
| 発行日 |
| 研究会情報 | |
| 研究会 | ICD |
|---|---|
| 開催期間 | 2004/8/13(から1日開催) |
| 開催地（和） | |
| 開催地（英） | |
| テーマ（和） | |
| テーマ（英） | |
| 委員長氏名（和） | |
| 委員長氏名（英） | |
| 副委員長氏名（和） | |
| 副委員長氏名（英） | |
| 幹事氏名（和） | |
| 幹事氏名（英） | |
| 幹事補佐氏名（和） | |
| 幹事補佐氏名（英） | |
| 講演論文情報詳細 | |
| 申込み研究会 | Integrated Circuits and Devices (ICD) |
|---|---|
| 本文の言語 | JPN |
| タイトル（和） | 短チャネルlow-Fin FETの基板バイアス係数における角の効果(VLSI回路,デバイス技術(高速,低電圧,低電力)) |
| サブタイトル（和） | |
| タイトル（英） | Corner Effect on body factor of short channel low-Fin FETs |
| サブタイトル（和） | |
| キーワード(1)（和/英） | FinFET / FinFET |
| キーワード(2)（和/英） | 基板バイアス効果 / body effect |
| キーワード(3)（和/英） | 基板バイアス係数 / body factor |
| キーワード(4)（和/英） | VTCMOS(しきい値電圧可変CMOS) / VTCMOS(variable threshold voltage CMOS) |
| キーワード(5)（和/英） | corner effect / corner effect |
| 第 1 著者 氏名（和/英） | 南雲 俊治 / Toshiharu NAGUMO |
| 第 1 著者 所属（和/英） | 東京大学生産技術研究所 Institute of Industrial Science, University of Tokyo |
| 第 2 著者 氏名（和/英） | 平本 俊郎 / Toshiro HIRAMOTO |
| 第 2 著者 所属（和/英） | 東京大学生産技術研究所 Institute of Industrial Science, University of Tokyo |
| 発表年月日 | 2004/8/13 |
| 資料番号 | SDM2004-145,ICD2004-87 |
| 巻番号（vol） | vol.104 |
| 号番号（no） | 251 |
| ページ範囲 | pp.- |
| ページ数 | 5 |
| 発行日 | |