| 講演名 | 2004/8/13 閾値電圧制御を用いた低電圧SOICMOSデバイス技術(VLSI回路,デバイス技術(高速,低電圧,低電力)) 前川 繁登, 一法師 隆志, 犬石 昌秀, 大路 譲, |
|---|---|
| PDFダウンロードページ | PDFダウンロードページへ |
| 抄録(和) | SOICMOSにおいて、ボディ電位を変動させVtbを動的に制御することにより、低リーク電流と高速動作を両立させることができるが、2種の素子分離構造を組み合わせることによりトランジスタごとにその動作を実現するデバイス構造を提案する。SRAMにその構造を適用した結果、セル面積とスタンバイ電流を増加させずに高速動作や低電圧動作を達成した。さらに、ボディに正バイアス電圧を印加する方式では、閾値電圧Vthの短チャネル効果が抑制されることを見出した。今後、素子の微細化で顕在化するばらつき問題の抑制に有効である。 |
| 抄録(英) | Novel device structure of the SOI CMOS is proposed to realize Vth controlling for each MOSFET. The MOSFET's are isolated by the two kinds of isolation structures, including the partial trench and full trench isolations. The SRAM utilizing the proposed structure achieved high-speed and/or low-voltage operation, keeping the cell area and standby current. Moreover, it was found that positive body bias suppresses the short channel effect in Vth. The effect is thought to become the important countermeasure against the issue of characteristics variation. |
| キーワード(和) | SOI / ボディ電位 / 閾値電圧制御 / SRAM |
| キーワード(英) | SOI / Body Potential / Vth Controlling / SRAM |
| 資料番号 | SDM2004-143,ICD2004-85 |
| 発行日 |
| 研究会情報 | |
| 研究会 | ICD |
|---|---|
| 開催期間 | 2004/8/13(から1日開催) |
| 開催地（和） | |
| 開催地（英） | |
| テーマ（和） | |
| テーマ（英） | |
| 委員長氏名（和） | |
| 委員長氏名（英） | |
| 副委員長氏名（和） | |
| 副委員長氏名（英） | |
| 幹事氏名（和） | |
| 幹事氏名（英） | |
| 幹事補佐氏名（和） | |
| 幹事補佐氏名（英） | |
| 講演論文情報詳細 | |
| 申込み研究会 | Integrated Circuits and Devices (ICD) |
|---|---|
| 本文の言語 | JPN |
| タイトル（和） | 閾値電圧制御を用いた低電圧SOICMOSデバイス技術(VLSI回路,デバイス技術(高速,低電圧,低電力)) |
| サブタイトル（和） | |
| タイトル（英） | Low-Voltage SOI CMOS Device Technology using Vth Controlling |
| サブタイトル（和） | |
| キーワード(1)（和/英） | SOI / SOI |
| キーワード(2)（和/英） | ボディ電位 / Body Potential |
| キーワード(3)（和/英） | 閾値電圧制御 / Vth Controlling |
| キーワード(4)（和/英） | SRAM / SRAM |
| 第 1 著者 氏名（和/英） | 前川 繁登 / Shigeto MAEGAWA |
| 第 1 著者 所属（和/英） | (株)ルネサステクノロジ先端デバイス開発部 Advanced Device Development Dept., Renesas Technology Corp. |
| 第 2 著者 氏名（和/英） | 一法師 隆志 / Takashi IPPOSHI |
| 第 2 著者 所属（和/英） | (株)ルネサステクノロジ先端デバイス開発部 Advanced Device Development Dept., Renesas Technology Corp. |
| 第 3 著者 氏名（和/英） | 犬石 昌秀 / Masahide INUISHI |
| 第 3 著者 所属（和/英） | (株)ルネサステクノロジ先端デバイス開発部 Advanced Device Development Dept., Renesas Technology Corp. |
| 第 4 著者 氏名（和/英） | 大路 譲 / Yuzuru OHJI |
| 第 4 著者 所属（和/英） | (株)ルネサステクノロジ先端デバイス開発部 Advanced Device Development Dept., Renesas Technology Corp. |
| 発表年月日 | 2004/8/13 |
| 資料番号 | SDM2004-143,ICD2004-85 |
| 巻番号（vol） | vol.104 |
| 号番号（no） | 251 |
| ページ範囲 | pp.- |
| ページ数 | 5 |
| 発行日 | |