)を発生している。出力電圧をn-MOSFETのゲートにフィードバックすることできわめて安定な出力電圧が得られた。本回路はわずか17個のMOSFETで構成され、1.2μm n-well CMOSプロセスで試作した面積は0.18mm^2である。) circuit is described. The temperature coefficient of 5 μV/℃(T=-60~+100℃) and V_
sensitivity of 0.1 mV/V(V_
=3~5V) are achieved with a standard CMOS process. The combination of current modes of n-MOSFETs, which are subthreshold, linear and saturation current mode, can provide small voltage and temperature dependence. Three different regions in I-V characteristics of MOSFETs generate a constant V_
based on threshold voltage at 0 K. A feedback scheme from the reference output to gates of n-MOSFETs extremely stabilizes the output. The circuit has been fabricated in a 1.2μm n-well CMOS process and its die area is 0.18mm^2.
講演名 2004/8/13
高精度CMOS定電圧回路の開発(VLSI回路,デバイス技術(高速,低電圧,低電力))
松田 敏弘, 南 隆一, 金森 章, 岩田 栄之, 大曽根 隆志, 山本 真也, 伊原 隆, 中島 茂樹,
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抄録(和) 標準的なCMOSプロセスを用いて、電源電圧依存性:O.1mV/V(V_
=3~5V)、温度係数:5μV/℃(T=-60~+100℃)の基準電圧発生回路を設計した。本回路では、MOSFETの3つの動作領域(サブ・スレッショールド領域、線形領域および飽和領域)の特性を組み合わせることで、絶対0度におけるしきい値電圧を基準とした一定電圧(V_
抄録(英) A V_
and temperature independent threshold-voltage reference (V_
キーワード(和) 基準電圧 / CMOS / しきい値電圧 / フィードバック
キーワード(英) Voltage Reference / CMOS / Threshold voltage / Feedback
資料番号 SDM2004-142,ICD2004-84
発行日

研究会情報
研究会 ICD
開催期間 2004/8/13(から1日開催)
開催地(和)
開催地(英)
テーマ(和)
テーマ(英)
委員長氏名(和)
委員長氏名(英)
副委員長氏名(和)
副委員長氏名(英)
幹事氏名(和)
幹事氏名(英)
幹事補佐氏名(和)
幹事補佐氏名(英)

講演論文情報詳細
申込み研究会 Integrated Circuits and Devices (ICD)
本文の言語 JPN
タイトル(和) 高精度CMOS定電圧回路の開発(VLSI回路,デバイス技術(高速,低電圧,低電力))
サブタイトル(和)
タイトル(英) A V_
and Temperature Independent CMOS Voltage Reference Circuit
サブタイトル(和)
キーワード(1)(和/英) 基準電圧 / Voltage Reference
キーワード(2)(和/英) CMOS / CMOS
キーワード(3)(和/英) しきい値電圧 / Threshold voltage
キーワード(4)(和/英) フィードバック / Feedback
第 1 著者 氏名(和/英) 松田 敏弘 / Toshihiro MATSUDA
第 1 著者 所属(和/英) 富山県立大学工学部
Toyama Prefectural University
第 2 著者 氏名(和/英) 南 隆一 / Ryuichi MINAMI
第 2 著者 所属(和/英) 富山県立大学工学部
Toyama Prefectural University
第 3 著者 氏名(和/英) 金森 章 / Akira KANAMORI
第 3 著者 所属(和/英) 富山県立大学工学部
Toyama Prefectural University
第 4 著者 氏名(和/英) 岩田 栄之 / Hideyuki IWATA
第 4 著者 所属(和/英) 富山県立大学工学部
Toyama Prefectural University
第 5 著者 氏名(和/英) 大曽根 隆志 / Takashi OHZONE
第 5 著者 所属(和/英) 岡山県立大学情報工学部
Okayama Prefectural University
第 6 著者 氏名(和/英) 山本 真也 / Shinya YAMAMOTO
第 6 著者 所属(和/英) 株式会社シキノハイテック
Shikino High-Tech Co., Ltd.
第 7 著者 氏名(和/英) 伊原 隆 / Takashi IHARA
第 7 著者 所属(和/英) 株式会社シキノハイテック
Shikino High-Tech Co., Ltd.
第 8 著者 氏名(和/英) 中島 茂樹 / Shigeki NAKAJIMA
第 8 著者 所属(和/英) 株式会社シキノハイテック
Shikino High-Tech Co., Ltd.
発表年月日 2004/8/13
資料番号 SDM2004-142,ICD2004-84
巻番号(vol) vol.104
号番号(no) 251
ページ範囲 pp.-
ページ数 5
発行日