| 講演名 | 2003/2/27 FET大信号モデルを用いたKu帯MMIC電力増幅器の温度補償ゲートバイアス回路の検討(移動通信ワークショップ「次世代ブロードバンド無線通信の実現に向けて」) 大塚 浩志, 山内 和久, 森 一富, 山中 宏治, 清家 弘光, 宇土元 純一, 池田 幸夫, 石田 修己, |
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| 抄録(和) | 近年,警戒管制用レーダーや衛星搭載用アンテナとしてAPAAの需要が高まぅている. APAAにおいて所望の特性を得るために,マイクロ波モジュールの特性が均一であることが必要であり,それを構成するMMICの特性が環境温度に対して均一であることが求められる.ここでは,温度特性を考慮したFET大信号モデルを用いてKu帯MMIC電力増幅器の温度補償ゲートバイアス回路の検討を行ったので報告する. 基本となる大信号モデルには温度特性を考慮でき,I-V特性が実測と良く一致するAngelovモデルを採用した.Angelovモデルの温度パラメータを抽出し,温度補償ゲートバイアス回路を設計した. 設計した温度補償ゲートバイアス回路は抵抗とダイオードから構成されており,ダイオードの温度特性を利用してゲート電圧を制御することで利得の温度変化を補償している.設計した温度補償ゲートバイアス回路をKu帯MM1C電力増幅器に適用した結果,計算と実測において利得の温度変化を抑圧できることを確認した. |
| 抄録(英) | A design method of a temperature compensation gate bias circuit for Ku-band power monolithic-microwave integrated-circuit (MMIC) power amplifiers by using a large signal FET model is presented. The large signal FET model is based on Angelov model, which accounts for temperature characteristics of an FET. A temperature compensation gate bias circuit, which is composed of a few diodes and a resistor, is designed and fabricated for a Ku-band power MMIC amplifier. The Gain variation of the fabricated amplifier has been improved from 3.0dB to 0.6dB in temperature range from -20℃ to +100℃. It is confirmed that a temperature compensation gate bias circuit can be designed by using the large signal FET model. |
| キーワード(和) | マイクロ波 / 増幅器 / 大信号モデル / ダイオード |
| キーワード(英) | microwave / amplifier / large-signal model / diode |
| 資料番号 | MoMuC2002-125,SST2002-100,A・P2002-199,RCS202-316,MW2002-207 |
| 発行日 |
| 研究会情報 | |
| 研究会 | MoMuC |
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| 開催期間 | 2003/2/27(から1日開催) |
| 開催地（和） | |
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| テーマ（和） | |
| テーマ（英） | |
| 委員長氏名（和） | |
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| 幹事氏名（和） | |
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| 幹事補佐氏名（和） | |
| 幹事補佐氏名（英） | |
| 講演論文情報詳細 | |
| 申込み研究会 | Mobile Multimedia Communications(MoMuC) |
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| 本文の言語 | JPN |
| タイトル（和） | FET大信号モデルを用いたKu帯MMIC電力増幅器の温度補償ゲートバイアス回路の検討(移動通信ワークショップ「次世代ブロードバンド無線通信の実現に向けて」) |
| サブタイトル（和） | |
| タイトル（英） | A Study of a Temperature Compensation Gate Bias Circuit for Ku-band Power MMIC Amplifiers by Using a Large-Signal FET Model |
| サブタイトル（和） | |
| キーワード(1)（和/英） | マイクロ波 / microwave |
| キーワード(2)（和/英） | 増幅器 / amplifier |
| キーワード(3)（和/英） | 大信号モデル / large-signal model |
| キーワード(4)（和/英） | ダイオード / diode |
| 第 1 著者 氏名（和/英） | 大塚 浩志 / Hiroshi Ohtsuka |
| 第 1 著者 所属（和/英） | 三菱電機株式会社 Mitsubishi Electric Corporation |
| 第 2 著者 氏名（和/英） | 山内 和久 / Kazuhisa Yamauchi |
| 第 2 著者 所属（和/英） | 三菱電機株式会社 Mitsubishi Electric Corporation |
| 第 3 著者 氏名（和/英） | 森 一富 / Kazutomi Mori |
| 第 3 著者 所属（和/英） | 三菱電機株式会社 Mitsubishi Electric Corporation |
| 第 4 著者 氏名（和/英） | 山中 宏治 / Koji Yamanaka |
| 第 4 著者 所属（和/英） | 三菱電機株式会社 Mitsubishi Electric Corporation |
| 第 5 著者 氏名（和/英） | 清家 弘光 / Hiromitsu Seike |
| 第 5 著者 所属（和/英） | 三菱電機株式会社 Mitsubishi Electric Corporation |
| 第 6 著者 氏名（和/英） | 宇土元 純一 / Junichi Udomoto |
| 第 6 著者 所属（和/英） | 三菱電機株式会社 Mitsubishi Electric Corporation |
| 第 7 著者 氏名（和/英） | 池田 幸夫 / Yukio Ikeda |
| 第 7 著者 所属（和/英） | 三菱電機株式会社 Mitsubishi Electric Corporation |
| 第 8 著者 氏名（和/英） | 石田 修己 / Osami Ishida |
| 第 8 著者 所属（和/英） | 三菱電機株式会社 Mitsubishi Electric Corporation |
| 発表年月日 | 2003/2/27 |
| 資料番号 | MoMuC2002-125,SST2002-100,A・P2002-199,RCS202-316,MW2002-207 |
| 巻番号（vol） | vol.102 |
| 号番号（no） | 678 |
| ページ範囲 | pp.- |
| ページ数 | 7 |
| 発行日 | |