講演名 1995/10/24
Pulsed-laser-induced crystallization of fluorinated microcrystalline silicon films with different crystalline fraction
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抄録(和)
抄録(英) Laser-induced crystallization effects on fluorinated microcrystalline silicon films, in which the crystalline fraction is varied, have been investigated. Crystalline fractions of initial films, which has been evaluated from Raman data, is found to influence the laser-induced grain growth behavior. The gain growth is enhanced by the increase of surface melting and solidification times in the film with a critical initial crystalline fraction as well as by the fast lateral grain growth in the film with a relative high initial crystalline fraction.
キーワード(和)
キーワード(英) pulsed-laser / microcrystalline silicon / crystalline fraction / grain growth
資料番号 EID95-82
発行日

研究会情報
研究会 EID
開催期間 1995/10/24(から1日開催)
開催地(和)
開催地(英)
テーマ(和)
テーマ(英)
委員長氏名(和)
委員長氏名(英)
副委員長氏名(和)
副委員長氏名(英)
幹事氏名(和)
幹事氏名(英)
幹事補佐氏名(和)
幹事補佐氏名(英)

講演論文情報詳細
申込み研究会 Electronic Information Displays (EID)
本文の言語 ENG
タイトル(和)
サブタイトル(和)
タイトル(英) Pulsed-laser-induced crystallization of fluorinated microcrystalline silicon films with different crystalline fraction
サブタイトル(和)
キーワード(1)(和/英) / pulsed-laser
第 1 著者 氏名(和/英) / H.S. Choi
第 1 著者 所属(和/英)
Department of Electrical Engineering, Seoul National University
発表年月日 1995/10/24
資料番号 EID95-82
巻番号(vol) vol.95
号番号(no) 336
ページ範囲 pp.-
ページ数 6
発行日