講演名 | 1995/10/24 Pulsed-laser-induced crystallization of fluorinated microcrystalline silicon films with different crystalline fraction , |
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抄録(和) | |
抄録(英) | Laser-induced crystallization effects on fluorinated microcrystalline silicon films, in which the crystalline fraction is varied, have been investigated. Crystalline fractions of initial films, which has been evaluated from Raman data, is found to influence the laser-induced grain growth behavior. The gain growth is enhanced by the increase of surface melting and solidification times in the film with a critical initial crystalline fraction as well as by the fast lateral grain growth in the film with a relative high initial crystalline fraction. |
キーワード(和) | |
キーワード(英) | pulsed-laser / microcrystalline silicon / crystalline fraction / grain growth |
資料番号 | EID95-82 |
発行日 |
研究会情報 | |
研究会 | EID |
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開催期間 | 1995/10/24(から1日開催) |
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幹事補佐氏名(和) | |
幹事補佐氏名(英) |
講演論文情報詳細 | |
申込み研究会 | Electronic Information Displays (EID) |
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本文の言語 | ENG |
タイトル(和) | |
サブタイトル(和) | |
タイトル(英) | Pulsed-laser-induced crystallization of fluorinated microcrystalline silicon films with different crystalline fraction |
サブタイトル(和) | |
キーワード(1)(和/英) | / pulsed-laser |
第 1 著者 氏名(和/英) | / H.S. Choi |
第 1 著者 所属(和/英) | Department of Electrical Engineering, Seoul National University |
発表年月日 | 1995/10/24 |
資料番号 | EID95-82 |
巻番号(vol) | vol.95 |
号番号(no) | 336 |
ページ範囲 | pp.- |
ページ数 | 6 |
発行日 |